RF PECVD significa deposición de vapor químico mejorada por plasma de radiofrecuencia. Es un método bien establecido para depositar películas delgadas sobre sustratos planos utilizados en la tecnología estándar de circuitos integrados de silicio. El método RF PECVD es económico y altamente eficiente. El crecimiento de la película se debe a la activación de precursores en fase gaseosa en un entorno de plasma. Las reacciones químicas activadas por el plasma tienen lugar sobre y en el sustrato. RF PECVD es capaz de depositar materiales como el carburo de silicio y puede usarse para recubrir objetos con diferentes formas.
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Sistema RF PECVD Deposición química en fase vapor mejorada con plasma por radiofrecuencia
Número de artículo : KT-RFPE
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¡Obtenga su cotización ahora! Leave a Message Cotización Rápida Via WhatsappTenemos las mejores soluciones de RF-PECVD para las necesidades de su laboratorio. Nuestra amplia cartera ofrece una gama de soluciones estándar adecuadas para una variedad de aplicaciones. Para requisitos más exclusivos, nuestro servicio de diseño personalizado puede adaptar una solución para cumplir con sus especificaciones.
Aplicaciones de RF PECVD
- Fabricación de películas de índice de refracción gradual
- Deposición de pila de nano-películas con diferentes propiedades
- Recubrimiento de formas complejas con película uniforme de carburo de silicio
- Preparación de materiales de grafeno verticales con microestructuras únicas
- Creación de películas policristalinas sobre un sustrato
- Fabricación de películas de bajo costo.
- Alta eficiencia de deposición
- Formación de películas delgadas de alta calidad a bajas temperaturas
- Preparación de películas delgadas de silicio.
- Deposición de películas delgadas sobre sustratos elevados en el reactor de plasma
Ventajas de RF PECVD
- Corto tiempo de preparación
- Proceso controlable
- Bajo costo
- Capacidad de deposición a gran escala
- Tecnología respetuosa con el medio ambiente
- Capacidad para ajustar la fuente de carbono y el gas portador para las propiedades deseadas
- Se puede utilizar para la deposición sobre sustratos con formas complejas y superficies elevadas
- Posibilidad de fabricación de película de bajo costo
- Alta eficiencia de deposición
- Los materiales se pueden depositar como películas de índice de refracción gradual o como una pila de nanopelículas, cada una con diferentes propiedades.
Nuestra tecnología RF PECVD es la solución perfecta para quienes requieren equipos de laboratorio eficientes, de bajo costo y personalizables. Con su corto tiempo de preparación y características controlables, RF PECVD es la opción preferida para aquellos que requieren materiales de grafeno vertical de alta calidad. Nuestra amplia línea de productos garantiza que tengamos una solución estándar que se adapte a sus necesidades, y nuestro servicio de diseño personalizado nos permite satisfacer sus requisitos específicos.
FAQ
¿Qué es RF PECVD?
RF PECVD significa deposición de vapor químico mejorada con plasma de radiofrecuencia, que es una técnica utilizada para preparar películas policristalinas en un sustrato mediante el uso de plasma de descarga luminiscente para influir en el proceso mientras se lleva a cabo la deposición de vapor químico a baja presión. El método RF PECVD está bien establecido para la tecnología estándar de circuitos integrados de silicio, en la que normalmente se utilizan obleas planas como sustratos. Este método es ventajoso debido a la posibilidad de fabricación de película de bajo costo y alta eficiencia de deposición. Los materiales también se pueden depositar como películas de índice de refracción gradual o como una pila de nanopelículas, cada una con diferentes propiedades.
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