El sputtering por radiofrecuencia es una técnica utilizada para crear películas finas, sobre todo en las industrias informática y de semiconductores. Consiste en utilizar ondas de radiofrecuencia (RF) para energizar un gas inerte, creando iones positivos que golpean el material objetivo. Este proceso rompe el material objetivo en una fina pulverización que recubre un sustrato, formando una película fina. El sputtering por RF se diferencia del sputtering por corriente continua (CC) en el voltaje, la presión del sistema, el patrón de deposición por sputtering y el tipo de material objetivo utilizado.
Mecanismo del sputtering por RF:
El sputtering por RF funciona suministrando energía a radiofrecuencias, normalmente 13,56 MHz, junto con una red de adaptación. Este método alterna el potencial eléctrico, lo que ayuda a "limpiar" la superficie del material objetivo de la acumulación de carga en cada ciclo. Durante el ciclo positivo, los electrones son atraídos hacia el blanco, dándole una polarización negativa. En el ciclo negativo, continúa el bombardeo iónico del blanco, lo que facilita el proceso de sputtering.Ventajas del sputtering por RF:
Una ventaja significativa del sputtering RF es su capacidad para reducir la acumulación de carga en lugares específicos de la superficie del material objetivo. Esta reducción ayuda a minimizar la "erosión de pista de carreras", un fenómeno en el que el material objetivo se erosiona de forma desigual debido a la acumulación de carga localizada.
Aplicación a materiales aislantes:
El sputtering RF es especialmente eficaz para depositar películas finas de materiales aislantes o no conductores. A diferencia del sputtering DC, que requiere blancos conductores, el sputtering RF puede tratar materiales no conductores gestionando eficazmente la acumulación de carga mediante su potencial eléctrico alterno.
Sputtering por magnetrón RF:
