Horno CVD y PECVD
Sistema RF PECVD Deposición química en fase vapor mejorada con plasma por radiofrecuencia
Número de artículo : KT-RFPE
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Frecuencia
- Frecuencia RF 13.56MHZ
- Temperatura de calentamiento
- máx. 200°C
- Dimensiones de la cámara de vacío
- Ф420mm × 400 mm
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La deposición química en fase vapor mejorada por plasma de radiofrecuencia (RF PECVD) es una técnica de deposición de películas finas que utiliza plasma para mejorar el proceso de deposición química en fase vapor. Este proceso se utiliza para depositar una amplia variedad de materiales, incluidos metales, dieléctricos y semiconductores. RF PECVD es una técnica versátil que puede utilizarse para depositar películas con una amplia gama de propiedades, incluyendo espesor, composición y morfología.
Aplicaciones
La RF-PECVD, una técnica revolucionaria en el campo de la deposición de películas finas, tiene amplias aplicaciones en diversas industrias, entre las que se incluyen:
- Fabricación de componentes y dispositivos ópticos
- Fabricación de dispositivos semiconductores
- Producción de recubrimientos protectores
- Desarrollo de microelectrónica y MEMS
- Síntesis de nuevos materiales
Componentes y funciones
La deposición química en fase vapor potenciada por plasma y radiofrecuencia (RF PECVD) es una técnica utilizada para depositar películas finas sobre sustratos utilizando un generador de radiofrecuencia para crear un plasma que ioniza los gases precursores. Los gases ionizados reaccionan entre sí y se depositan sobre el sustrato, formando una película fina. El PECVD por RF se utiliza habitualmente para depositar películas de carbono tipo diamante (DLC) sobre sustratos de germanio y silicio para aplicaciones en la gama de longitudes de onda infrarrojas de 3-12um.
Compuesto por una cámara de vacío, un sistema de bombeo de vacío, cátodos y ánodos, una fuente de RF, un sistema inflable de mezcla de gases, un sistema de armario de control informático, etc., este aparato permite el recubrimiento sin fisuras con un solo botón, el almacenamiento y recuperación de procesos, funciones de alarma, conmutación de señales y válvulas, así como un registro exhaustivo de las operaciones del proceso.
Detalles y ejemplos
Características
Características del sistema RF-PECVD de deposición química en fase vapor mejorada por plasma de radiofrecuencia:
- Recubrimiento con un solo botón: Simplifica el proceso de recubrimiento, facilitando el manejo a los usuarios.
- Almacenamiento y recuperación de procesos: Permite a los usuarios guardar y recuperar los parámetros del proceso, asegurando resultados consistentes.
- Funciones de alarma: Alerta a los usuarios de cualquier problema o error durante el proceso de recubrimiento, minimizando el tiempo de inactividad.
- Conmutación de señales y válvulas: proporciona un control preciso del proceso de recubrimiento, lo que permite a los usuarios obtener los resultados deseados.
- Registro exhaustivo de las operaciones del proceso: Registra todos los parámetros del proceso, facilitando el seguimiento y el análisis del proceso de recubrimiento.
- Cámara de vacío, sistema de bombeo de vacío, cátodos y ánodos, fuente de RF, sistema inflable de mezcla de gases, sistema de armario de control informático: Garantiza un entorno estable y controlado para el proceso de revestimiento.
Ventajas
- Deposición de película de alta calidad a baja temperatura, adecuada para sustratos sensibles a la temperatura.
- Control preciso del espesor y la composición de la película.
- Deposición uniforme y conforme de la película en geometrías complejas.
- Baja contaminación por partículas y películas de alta pureza.
- Proceso escalable y rentable para la producción de grandes volúmenes.
- Proceso respetuoso con el medio ambiente con mínima generación de residuos peligrosos.
Especificaciones técnicas
Parte principal del equipo
Forma del equipo |
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Cámara de vacío |
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Esqueleto anfitrión |
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Sistema de refrigeración por agua |
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Armario de control |
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Sistema de vacío
Vacío final |
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Tiempo de restablecimiento del vacío |
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Velocidad de aumento de la presión |
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Configuración del sistema de vacío |
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Medición del sistema de vacío |
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Funcionamiento del sistema de vacío | Hay dos modos de selección de vacío manual y automático;
|
Cuando el vacío es anormal o se corta la energía, la bomba molecular de la válvula de vacío debe volver al estado cerrado. La válvula de vacío está equipada con una función de protección de enclavamiento, y la entrada de aire de cada cilindro está equipado con un dispositivo de ajuste de la válvula de corte, y hay una posición establecer el sensor para mostrar el estado cerrado del cilindro; |
|
De acuerdo con las condiciones técnicas generales de la máquina de recubrimiento al vacío GB11164.
- Sistema de calentamiento
- Método de calentamiento: método de calentamiento con lámpara de tungsteno de yodo;
- Regulador de potencia: regulador de potencia digital;
- Temperatura de calentamiento: temperatura máxima 200°C, potencia 2000W/220V, pantalla controlable y ajustable, control ±2°C;
Método de conexión: rápida inserción y rápida extracción, cubierta metálica de blindaje para antiincrustante, y fuente de alimentación aislada para garantizar la seguridad del personal.
- Fuente de alimentación por radiofrecuencia
- Frecuencia: Frecuencia RF 13,56MHZ;
- Potencia: 0-2000W regulable en continuo;
- Función: ajuste totalmente automático de la función de adaptación de impedancia, ajuste totalmente automático para mantener la función de reflexión muy baja de trabajo, reflexión interna dentro del 0,5% , con función de ajuste de conversión manual y automática;
Visualización: con tensión de polarización, posición del condensador CT, posición del condensador RT, potencia ajustada, visualización de la función de reflexión, con función de comunicación, comunicación con pantalla táctil, ajuste y visualización de parámetros en el software de configuración, visualización de la línea de sintonización, etc.
- Cátodo ánodo objetivo
- Ánodo de destino: φ300mm sustrato de cobre se utiliza como cátodo de destino, la temperatura es baja cuando se trabaja, y no se necesita agua de refrigeración;
Cátodo: φ200mm de cobre refrigerado por agua, la temperatura es alta cuando se trabaja, y el interior es de agua refrigerada, para asegurar una temperatura constante durante el trabajo, la distancia máxima entre el ánodo y el cátodo es de 100-250mm.
- Control de inflado
- Caudalímetro: Se utiliza caudalímetro británico de cuatro vías, el caudal es de 0-200SCCM, con indicación de presión, parámetros de ajuste de comunicación, y se puede ajustar el tipo de gas;
- Válvula de cierre: Qixing Huachuang DJ2C-VUG6 válvula de cierre, trabaja con el medidor de flujo, mezcla el gas, lo llena en la cámara a través del dispositivo de inflado anular, y fluye uniformemente a través de la superficie objetivo;
- Botella de almacenamiento de gas de etapa previa: principalmente una botella de conversión de lavado, que vaporiza el líquido C4H10, y luego entra en la tubería de etapa previa del caudalímetro. La botella de almacenamiento de gas tiene un instrumento DSP de visualización digital de la presión, que realiza avisos de alarma de sobrepresión y baja presión;
- Botella tampón de gas mezclado: La botella tampón se mezcla con cuatro gases en la última etapa. Después de la mezcla, sale de la botella tampón hasta el fondo de la cámara y hasta la parte superior, y una de ellas se puede cerrar de forma independiente;
Dispositivo de inflado: la tubería de gas uniforme en la salida del circuito de gas del cuerpo de la cámara, que se carga de manera uniforme a la superficie objetivo para hacer el recubrimiento uniforme es mejor.
- Sistema de control
- Pantalla táctil: toma la pantalla táctil TPC1570GI como ordenador central + teclado y ratón;
- Software de control: configuración de parámetros de proceso tabular, visualización de parámetros de alarma, visualización de parámetros de vacío y visualización de curvas, configuración y visualización de parámetros de fuente de alimentación RF y fuente de alimentación de corriente continua DC, todos los registros de estado de trabajo de válvulas e interruptores, registros de proceso, registros de alarma, parámetros de registro de vacío , se pueden almacenar durante aproximadamente medio año, y la operación de proceso de todo el equipo se guarda en 1 segundo para guardar los parámetros;
- PLC: El PLC de Omron se utiliza como el ordenador inferior para recopilar datos de varios componentes e interruptores en posición, válvulas de control y varios componentes, y luego realizar la interacción de datos, visualización y control con el software de configuración. Esto es más seguro y fiable;
- Estado de control: recubrimiento con un botón, aspiración automática, vacío constante automático, calentamiento automático, deposición automática de proceso multicapa, finalización automática de recogida y otros trabajos;
5. Ventajas de la pantalla táctil: software de control de pantalla táctil no se puede cambiar, el funcionamiento estable es más conveniente y flexible, pero la cantidad de datos almacenados es limitada, los parámetros se pueden exportar directamente, y cuando hay un problema con el proceso; 6. Alarma: adoptar el modo de alarma de sonido y luz, y registrar la alarma en la biblioteca de parámetros de alarma de configuración. Se puede consultar en cualquier momento en el futuro, y los datos guardados pueden ser consultados y llamados en cualquier momento.
- Vacío constante
- Válvula de mariposa de vacío constante: La válvula de mariposa DN80 coopera con el medidor de película capacitiva Inficon CDG025 para trabajar con vacío constante, la desventaja es que el puerto de la válvula es fácil de ser contaminado y difícil de limpiar;
Modo de posición de la válvula: Ajuste el modo de control de posición.
- Agua, electricidad, gas
- Las tuberías principales de entrada y salida son de acero inoxidable y están equipadas con tomas de agua de emergencia;
- Todos los tubos refrigerados por agua fuera de la cámara de vacío adoptan juntas fijas de cambio rápido de acero inoxidable y plástico de alta presión (tubos de agua de alta calidad, que pueden utilizarse durante mucho tiempo sin fugas ni roturas), y los tubos de agua de alta presión de plástico de entrada y salida de agua deben mostrarse en dos colores diferentes y estar marcados correspondientemente; marca Airtek;
- Todos los tubos refrigerados por agua dentro de la cámara de vacío están hechos de material SUS304 de alta calidad;
- Los circuitos de agua y gas están respectivamente instalados con instrumentos de presión de agua y presión de aire de visualización segura y fiable y de alta precisión .
- Equipada con un enfriador 8P para el flujo de agua de la máquina de película de carbono.
Equipado con un conjunto de 6KW máquina de agua caliente, cuando se abre la puerta, el agua caliente fluirá a través de la habitación.
- Requisitos de protección de seguridad
- La máquina está equipada con un dispositivo de alarma;
- Cuando la presión del agua o del aire no alcanza el caudal especificado, todas las bombas y válvulas de vacío están protegidas y no pueden ponerse en marcha, y se emite un sonido de alarma y una señal luminosa roja;
- Cuando la máquina está en proceso de trabajo normal, cuando la presión del agua o la presión del aire es repentinamente insuficiente, todas las válvulas se cerrarán automáticamente, y aparecerá un sonido de alarma y una luz roja de señalización;
- Cuando el sistema operativo es anormal (alto voltaje, fuente de iones, sistema de control), habrá un sonido de alarma y una señal luminosa roja;
La alta tensión se enciende, y hay un dispositivo de alarma de protección.
- Requisitos del entorno de trabajo
- Temperatura ambiente: 10~35℃;
- Humedad relativa: no superior al 80%;
El entorno alrededor del equipo está limpio y el aire está limpio. No debe haber polvo ni gases que puedan causar la corrosión de los aparatos eléctricos y otras superficies metálicas o provocar la conducción eléctrica entre metales.
- Requisitos de potencia del equipo
- Fuente de agua: agua blanda industrial, presión del agua 0,2~0,3Mpa, volumen de agua~60L/min , temperatura de entrada del agua≤25°C; conexión de la tubería de agua 1,5 pulgadas;
- Fuente de aire: presión de aire 0,6MPa;
- Fuente de alimentación: sistema trifásico de cinco hilos 380V, 50Hz, rango de fluctuación de voltaje: voltaje de línea 342 ~ 399V, voltaje de fase 198 ~ 231V; rango de fluctuación de frecuencia: 49 ~ 51Hz; consumo de energía del equipo: ~ 16KW; resistencia de puesta a tierra ≤ 1Ω;
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué es la deposición física de vapor (PVD)?
¿Qué es el horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué es un equipo CVD?
¿Qué es RF PECVD?
¿Qué es el método PECVD?
¿Cuáles son los métodos utilizados para depositar películas delgadas?
¿Qué es la pulverización catódica con magnetrón?
¿Qué es Mpcvd?
¿Cómo funciona el horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Qué hace el equipo CVD?
¿Qué es el objetivo de pulverización catódica?
¿Para qué se utiliza PECVD?
¿Qué es un equipo de deposición de película delgada?
¿Por qué pulverizar con magnetrón?
PACVD es PECVD?
¿Qué es la máquina Mpcvd?
¿Qué gas se utiliza en el proceso de CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Cuál es el principio básico de la ECV?
¿Cómo se fabrican los blancos de pulverización catódica?
¿Cuáles son las ventajas de PECVD?
¿Qué es la tecnología de deposición de película delgada?
¿Cuáles son los materiales utilizados en la deposición de película delgada?
La deposición de película delgada comúnmente utiliza metales, óxidos y compuestos como materiales, cada uno con sus ventajas y desventajas únicas. Se prefieren los metales por su durabilidad y facilidad de depósito, pero son relativamente caros. Los óxidos son muy duraderos, pueden soportar altas temperaturas y pueden depositarse a bajas temperaturas, pero pueden ser quebradizos y difíciles de manipular. Los compuestos ofrecen resistencia y durabilidad, pueden depositarse a bajas temperaturas y adaptarse para exhibir propiedades específicas.
La selección del material para un recubrimiento de película delgada depende de los requisitos de la aplicación. Los metales son ideales para la conducción térmica y eléctrica, mientras que los óxidos son efectivos para ofrecer protección. Los compuestos se pueden adaptar para satisfacer necesidades específicas. En última instancia, el mejor material para un proyecto en particular dependerá de las necesidades específicas de la aplicación.
¿Cuáles son las ventajas de Mpcvd?
¿Cuál es la ventaja del sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Cuáles son los diferentes tipos de método CVD?
¿Para qué se utiliza el objetivo de pulverización catódica?
¿Cuál es la diferencia entre ALD y PECVD?
¿Cuáles son los métodos para lograr una deposición óptima de película delgada?
Para lograr películas delgadas con propiedades deseables, son esenciales objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de alta calidad. La calidad de estos materiales puede verse influenciada por varios factores, como la pureza, el tamaño del grano y el estado de la superficie.
La pureza de los objetivos de pulverización catódica o los materiales de evaporación juega un papel crucial, ya que las impurezas pueden causar defectos en la película delgada resultante. El tamaño del grano también afecta la calidad de la película delgada, y los granos más grandes conducen a propiedades deficientes de la película. Además, la condición de la superficie es crucial, ya que las superficies ásperas pueden provocar defectos en la película.
Para lograr objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de la más alta calidad, es crucial seleccionar materiales que posean alta pureza, tamaño de grano pequeño y superficies lisas.
Usos de la deposición de película delgada
Películas delgadas a base de óxido de zinc
Las películas delgadas de ZnO encuentran aplicaciones en varias industrias, como la térmica, óptica, magnética y eléctrica, pero su uso principal es en recubrimientos y dispositivos semiconductores.
Resistencias de película delgada
Las resistencias de película delgada son cruciales para la tecnología moderna y se utilizan en receptores de radio, placas de circuitos, computadoras, dispositivos de radiofrecuencia, monitores, enrutadores inalámbricos, módulos Bluetooth y receptores de teléfonos celulares.
Películas delgadas magnéticas
Las películas delgadas magnéticas se utilizan en electrónica, almacenamiento de datos, identificación por radiofrecuencia, dispositivos de microondas, pantallas, placas de circuitos y optoelectrónica como componentes clave.
Películas finas ópticas
Los recubrimientos ópticos y la optoelectrónica son aplicaciones estándar de películas delgadas ópticas. La epitaxia de haz molecular puede producir dispositivos optoelectrónicos de película delgada (semiconductores), donde las películas epitaxiales se depositan átomo por átomo sobre el sustrato.
Películas finas de polímero
Las películas delgadas de polímero se utilizan en chips de memoria, células solares y dispositivos electrónicos. Las técnicas de deposición química (CVD) ofrecen un control preciso de los recubrimientos de película de polímero, incluida la conformidad y el espesor del recubrimiento.
Baterías de película delgada
Las baterías de película delgada alimentan dispositivos electrónicos, como dispositivos médicos implantables, y la batería de iones de litio ha avanzado significativamente gracias al uso de películas delgadas.
Recubrimientos de película delgada
Los recubrimientos de película delgada mejoran las características químicas y mecánicas de los materiales objetivo en diversas industrias y campos tecnológicos. Los recubrimientos antirreflectantes, los recubrimientos antiultravioleta o antiinfrarrojos, los recubrimientos antirrayas y la polarización de lentes son algunos ejemplos comunes.
Células solares de película delgada
Las células solares de película delgada son esenciales para la industria de la energía solar, ya que permiten la producción de electricidad relativamente barata y limpia. Los sistemas fotovoltaicos y la energía térmica son las dos principales tecnologías aplicables.
¿Los diamantes CVD son reales o falsos?
¿Qué significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Qué son los objetivos de pulverización catódica para la electrónica?
¿Cuál es la diferencia entre PECVD y pulverización catódica?
Factores y parámetros que influyen en la deposición de películas delgadas
Tasa de deposición:
La velocidad a la que se produce la película, normalmente medida en espesor dividido por el tiempo, es crucial para seleccionar una tecnología adecuada para la aplicación. Las tasas de deposición moderadas son suficientes para películas delgadas, mientras que las tasas de deposición rápidas son necesarias para películas gruesas. Es importante lograr un equilibrio entre la velocidad y el control preciso del espesor de la película.
Uniformidad:
La consistencia de la película sobre el sustrato se conoce como uniformidad, que generalmente se refiere al espesor de la película, pero también puede relacionarse con otras propiedades, como el índice de refracción. Es importante tener una buena comprensión de la aplicación para evitar la uniformidad de especificación insuficiente o excesiva.
Capacidad de llenado:
La capacidad de relleno o cobertura escalonada se refiere a qué tan bien el proceso de deposición cubre la topografía del sustrato. El método de deposición utilizado (p. ej., CVD, PVD, IBD o ALD) tiene un impacto significativo en la cobertura y el relleno del paso.
Características de la película:
Las características de la película dependen de los requisitos de la aplicación, que pueden categorizarse como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecánicos o químicos. La mayoría de las películas deben cumplir con los requisitos en más de una categoría.
Temperatura de proceso:
Las características de la película se ven significativamente afectadas por la temperatura del proceso, que puede estar limitada por la aplicación.
Daño:
Cada tecnología de deposición tiene el potencial de dañar el material sobre el que se deposita, y las características más pequeñas son más susceptibles al daño del proceso. La contaminación, la radiación ultravioleta y el bombardeo de iones se encuentran entre las posibles fuentes de daño. Es crucial entender las limitaciones de los materiales y herramientas.
¿Cuál es la diferencia entre CVD y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
¿Cuál es la vida útil de un objetivo de pulverización catódica?
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La máquina dispensadora de pegamento de laboratorio totalmente automática con cavidad acrílica de 4 pulgadas es una máquina compacta, resistente a la corrosión y fácil de usar diseñada para usarse en operaciones con guanteras. Cuenta con una cubierta transparente con posicionamiento de torsión constante para el posicionamiento de la cadena, una cavidad interior de apertura de molde integrada y un botón de máscara facial en color con pantalla de texto LCD. La velocidad de aceleración y desaceleración es controlable y ajustable, y se puede configurar el control de operación del programa de varios pasos.
Máquina de diamante MPCVD de 915 MHz
915MHz MPCVD máquina de diamante y su crecimiento efectivo de múltiples cristales, el área máxima puede llegar a 8 pulgadas, el área máxima de crecimiento efectivo de un solo cristal puede llegar a 5 pulgadas. Este equipo se utiliza principalmente para la producción de películas de diamante policristalino de gran tamaño, el crecimiento de diamantes largos de un solo cristal, el crecimiento a baja temperatura de grafeno de alta calidad, y otros materiales que requieren energía proporcionada por plasma de microondas para el crecimiento.
Recubrimiento de evaporación por haz de electrones Crisol de cobre libre de oxígeno
Cuando se utilizan técnicas de evaporación por haz de electrones, el uso de crisoles de cobre sin oxígeno minimiza el riesgo de contaminación por oxígeno durante el proceso de evaporación.
Horno CVD versátil hecho por el cliente
Obtenga su horno CVD exclusivo con el horno versátil hecho por el cliente KT-CTF16. Funciones personalizables de deslizamiento, rotación e inclinación para reacciones precisas. ¡Ordenar ahora!
El homogeneizador de pegamento de laboratorio totalmente automático con cámara de acero inoxidable de 4 pulgadas es un dispositivo compacto y resistente a la corrosión diseñado para su uso en operaciones con guanteras. Cuenta con una cubierta transparente con posicionamiento de torsión constante y una cavidad interior con apertura de molde integrada para un fácil desmontaje, limpieza y reemplazo.
Horno de sinterización por plasma de chispa Horno SPS
Descubra las ventajas de los hornos de sinterización por plasma de chispa para la preparación rápida de materiales a baja temperatura. Calentamiento uniforme, bajo coste y respetuoso con el medio ambiente.
Prepare muestras de manera eficiente con nuestra prensa de batería de botón 5T. Ideal para laboratorios de investigación de materiales y producción a pequeña escala. Tamaño pequeño, liviano y compatible con aspiradora.
Recubrimiento de diamante CVD: conductividad térmica, calidad del cristal y adherencia superiores para herramientas de corte, fricción y aplicaciones acústicas
Prensa de pellets de laboratorio calentada automática dividida 30T / 40T
Descubra nuestra prensa de laboratorio calefactada automática dividida 30T/40T para la preparación precisa de muestras en investigación de materiales, farmacia, cerámica e industrias electrónicas. Con un tamaño reducido y un calentamiento de hasta 300 °C, es perfecta para el procesamiento en entornos de vacío.
Actualice sus experimentos electroquímicos con nuestro electrodo de disco de platino. De alta calidad y fiable para obtener resultados precisos.
Molino de rodillos de laboratorio
El molino de rodillos es un molino horizontal con una capacidad de molienda por lotes de 1-20L. Utiliza diferentes depósitos giratorios para moler muestras inferiores a 20um. Entre sus características se incluyen la construcción en acero inoxidable, la cubierta insonorizada, la iluminación LED y la ventana PC.
prensa automática de pellets de laboratorio 25T / 30T / 50T con calefacción
Prepare sus muestras de forma eficiente con nuestra prensa automática de laboratorio calefactada. Con un rango de presión de hasta 50T y un control preciso, es perfecta para diversas industrias.
Crisol de grafito de evaporación por haz de electrones
Una tecnología utilizada principalmente en el campo de la electrónica de potencia. Es una película de grafito hecha de material fuente de carbono por deposición de material utilizando tecnología de haz de electrones.
Prensa eléctrica dividida para pellets de laboratorio 40T / 65T / 100T / 150T / 200T
Prepare muestras de forma eficiente con una prensa de laboratorio eléctrica dividida, disponible en varios tamaños e ideal para investigación de materiales, farmacia y cerámica. Disfrute de mayor versatilidad y mayor presión con esta opción portátil y programable.
Automático de la máquina de prensa de pellets de laboratorio 20T / 30T / 40T / 60T / 100T
Experimente la preparación eficaz de muestras con nuestra prensa automática de laboratorio. Ideal para investigación de materiales, farmacia, cerámica y más. Presenta un tamaño compacto y funcionalidad de prensa hidráulica con placas calefactoras. Disponible en varios tamaños.
Prensa granuladora de laboratorio manual calentada integrada 120mm / 180mm / 200mm / 300mm
Procese de forma eficiente muestras prensadas por calor con nuestra prensa de laboratorio calefactada manual integrada. Con un rango de calentamiento de hasta 500 °C, es perfecta para diversos sectores.
Prensa isostática en frío automática de laboratorio (CIP) 20T / 40T / 60T / 100T
Prepare muestras de forma eficiente con nuestra prensa isostática en frío automática de laboratorio. Ampliamente utilizada en investigación de materiales, farmacia e industrias electrónicas. Proporciona mayor flexibilidad y control en comparación con las CIP eléctricas.
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