Horno CVD y PECVD
Horno tubular CVD multizonas de calentamiento Máquina CVD
Número de artículo : KT-CTF14
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura máxima
- 1400 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1300 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 60 mm
- Zona de calentamiento
- 2x450 mm
- Velocidad de calentamiento
- 0-10 ℃/min
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Un horno tubular CVD multizona es un tipo de equipo de laboratorio utilizado para la deposición química en fase vapor (CVD). El CVD es un proceso en el que se deposita una película fina sobre un sustrato mediante la reacción química de un gas o vapor. Los hornos tubulares CVD multizona tienen varias zonas de calentamiento, lo que permite un control preciso del perfil de temperatura dentro del horno. Esto es importante para muchos procesos de CVD, ya que la temperatura puede afectar a las propiedades de la película depositada.
Los hornos tubulares CVD multizona se utilizan normalmente con fines de investigación y desarrollo, pero también pueden emplearse en aplicaciones de producción. Están disponibles en varios tamaños y configuraciones, y pueden personalizarse para satisfacer los requisitos específicos de una aplicación concreta.
Aplicaciones
La máquina CVD con horno tubular CVD de múltiples zonas de calentamiento se utiliza ampliamente en varios campos, incluyendo:
- Deposición química en fase vapor (CVD): Crecimiento de películas finas para dispositivos electrónicos, semiconductores y células solares.
- Difusión: Dopado de semiconductores y metales
- Recocido: Tratamiento térmico de materiales para mejorar sus propiedades
- Sinterización: Unión de materiales mediante calor y presión
- Tratamientos térmicos: Calentamiento y enfriamiento controlados de materiales para diversos fines
Detalles y piezas
Principio
La máquina CVD con horno tubular CVD de múltiples zonas de calentamiento utiliza la deposición química en fase vapor (CVD) para depositar películas finas sobre sustratos. CVD es un proceso que implica la reacción de precursores gaseosos para formar un material de película sólida. En el caso de este horno, los precursores gaseosos suelen ser compuestos metalorgánicos y/o hidruros, que se introducen en la cámara del horno y reaccionan entre sí para formar la película deseada. El horno está equipado con múltiples zonas de calentamiento que permiten controlar con precisión la temperatura de deposición y el gradiente de temperatura. Esto permite la deposición de películas de alta calidad con propiedades a medida, como el grosor, la composición y la cristalinidad. El horno también cuenta con un sistema de vacío que permite la eliminación de impurezas y el control de la presión de deposición.
Características
Los hornos tubulares CVD multizona ofrecen una amplia gama de ventajas a los usuarios, entre las que se incluyen:
- Zonas de calentamiento independientes: Esto permite crear campos de temperatura constante más largos, así como gradientes de temperatura controlados. Esto es ideal para aplicaciones en las que es fundamental un control preciso de la temperatura.
- Control de temperatura programable PID: Proporciona una excelente precisión de control y es compatible con el control remoto y el control centralizado. Esto facilita la supervisión y el ajuste de la temperatura del horno desde cualquier lugar.
- Control de caudalímetro másico MFC de alta precisión: Garantiza una velocidad de suministro de gas estable. Esto es importante para aplicaciones en las que el control preciso del flujo de gas es crítico.
- Brida de vacío de acero inoxidable con varios puertos de adaptación: Proporciona un buen sellado y un alto grado de vacío. Esto es ideal para aplicaciones en las que se requiere un alto vacío.
- KT-CTF14 Pro aplica un controlador de pantalla táctil TFT de 7 pulgadas: Esto facilita la configuración de programas y el análisis de datos históricos. Es ideal para aplicaciones en las que es importante un manejo sencillo.
Ventajas
- Zonas de calentamiento independientes: Crea un campo de temperatura constante más largo y un gradiente de temperatura controlado.
- Control de temperatura programable PID: Excelente precisión de control, soporte de control remoto y centralizado.
- Control de caudalímetro másico MFC de alta precisión: Premezcla de gases de origen y velocidad de suministro de gas estable.
- Brida de vacío de acero inoxidable: Varios puertos de adaptación para diferentes configuraciones de estaciones de bombas de vacío, buen sellado y alto grado de vacío.
- Controlador KT-CTF14 Pro: Pantalla táctil TFT de 7 pulgadas, configuración de programas fácil de usar y análisis de datos históricos.
- Multiusos: CVD, difusión y otros tratamientos térmicos bajo vacío y protección atmosférica.
- Ahorro de energía: El material de fibra cerámica y la estructura de doble capa reducen la temperatura externa.
- Zona de temperatura larga: Fácil de manejar.
- Sellado fiable: Alto índice de rendimiento integral.
- Opciones de materiales: Tubo del horno disponible en acero resistente al calor, vidrio de cuarzo y cerámica.
- Amplias aplicaciones: Análisis y determinación de elementos, temple de pequeñas piezas de acero, recocido, revenido, cerámica electrónica y otros materiales nuevos.
Especificaciones técnicas
| Modelo de horno | KT-CTF14-60 |
| Temperatura máx. | 1400℃ |
| Temperatura de trabajo constante | 1300℃ |
| Material del tubo del horno | Tubo de Al2O3 de alta pureza |
| Diámetro del tubo del horno | 60mm |
| Zona de calentamiento | 2x450mm |
| Material de la cámara | Fibra policristalina de alúmina |
| Elemento calefactor | Carburo de silicio |
| Velocidad de calentamiento | 0-10℃/min |
| Par térmico | Tipo S |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital/Controlador PID de pantalla táctil |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ |
| Unidad de control preciso de gas | |
| Caudalímetro | Caudalímetro másico MFC |
| Canales de gas | 4 canales |
| Caudal | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linealidad | ±0,5% F.S. |
| Repetibilidad | ±0,2% E.F. |
| Tubería y válvula | Acero inoxidable |
| Presión máxima de funcionamiento | 0,45MPa |
| Controlador del caudalímetro | Controlador de perilla digital/Controlador de pantalla táctil |
| Unidad de vacío estándar (opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de vacío rotativa de paletas |
| Caudal de la bomba | 4L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro de silicona Pirani/Resistance |
| Presión nominal de vacío | 10Pa |
| Unidad de alto vacío (opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba rotativa de paletas+Bomba molecular |
| Caudal de la bomba | 4L/S+110L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro compuesto |
| Presión de vacío nominal | 6x10-5Pa |
| Las especificaciones y configuraciones anteriores pueden personalizarse | |
Paquete estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | Tubo de cuarzo | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico del tubo | 2 |
| 5 | Tubo bloque térmico gancho | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | Control preciso del gas | 1 |
| 8 | Unidad de vacío | 1 |
| 9 | Manual de instrucciones | 1 |
Configuración opcional
- Detección y monitorización de gases en el tubo, como H2, O2, etc.
- Control y registro independiente de la temperatura del horno
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto por PC y exportación de datos
- Control de caudal de alimentación de gases de inserción, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador
- Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles y sencillas para el operador
- Configuración de estación de bomba de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
Diseñado para ti
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FAQ
¿Qué es el horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué es un equipo CVD?
¿Qué son las fuentes de evaporación térmica?
¿Cómo funciona el horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Qué es el método PECVD?
¿Qué hace el equipo CVD?
¿Cuáles son los métodos utilizados para depositar películas delgadas?
¿Qué es Mpcvd?
¿Cuáles son los principales tipos de fuentes de evaporación térmica?
¿Qué gas se utiliza en el proceso de CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Para qué se utiliza PECVD?
¿Cuál es el principio básico de la ECV?
¿Qué es un equipo de deposición de película delgada?
¿Qué es la máquina Mpcvd?
PACVD es PECVD?
¿Cuáles son los tipos de horno rotatorio?
¿Cómo funcionan las fuentes de evaporación térmica?
¿Cuál es la ventaja del sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Cuáles son las ventajas de PECVD?
¿Cuáles son los diferentes tipos de método CVD?
¿Qué es la tecnología de deposición de película delgada?
¿Cuáles son las ventajas de Mpcvd?
¿Cuáles son las ventajas del horno de rotor?
¿Cuáles son las ventajas de utilizar fuentes de evaporación térmica?
¿Qué significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Cuál es la diferencia entre ALD y PECVD?
¿Los diamantes CVD son reales o falsos?
¿Cuál es la eficiencia de un horno rotatorio?
¿Para qué aplicaciones se utilizan las fuentes de evaporación térmica?
¿Cuál es la diferencia entre CVD y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
¿Cuál es la diferencia entre PECVD y pulverización catódica?
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