Horno CVD y PECVD
Equipo de horno de tubo para deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) rotatorio inclinado
Número de artículo : KT-PE16
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura máxima
- 1600 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1550 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 60 mm
- Longitud de la zona de calentamiento
- 2x300 mm
- Velocidad de calentamiento
- 0-10 ℃/min
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Introducción
La máquina de horno de tubo para deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) rotatorio inclinado es un sistema de deposición química de vapor rotatorio asistido por plasma que utiliza un tubo de horno giratorio y un generador de plasma para inducir reacciones químicas en una descarga gaseosa. Este proceso produce una amplia variedad de especies químicas que pueden utilizarse para formar depósitos sólidos sobre materiales. La máquina está equipada con un medidor de flujo de masa de tres vías y un dispositivo de mezcla de gases, lo que permite un control preciso de los gases utilizados en el proceso. El tubo del horno giratorio garantiza un calentamiento y una mezcla uniformes de los materiales, mientras que el generador de plasma proporciona la energía de activación necesaria para las reacciones químicas. La máquina también está equipada con una bomba mecánica de alto rendimiento que puede evacuar rápidamente el tubo del horno para crear el vacío.





Aplicaciones
Las máquinas de horno de tubo PECVD se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen:
- Fabricación de semiconductores: El PECVD se utiliza para depositar películas delgadas de materiales como nitruro de silicio, dióxido de silicio y polisilicio en obleas de semiconductores.
- Fabricación de células solares: El PECVD se utiliza para depositar películas delgadas de materiales como telururo de cadmio y seleniuro de cobre, indio y galio en células solares.
- Fabricación de pantallas de panel plano: El PECVD se utiliza para depositar películas delgadas de materiales como óxido de indio y estaño y óxido de zinc en pantallas de panel plano.
- Recubrimiento óptico: El PECVD se utiliza para depositar películas delgadas de materiales como dióxido de titanio y nitruro de silicio en componentes ópticos.
- Fabricación de dispositivos médicos: El PECVD se utiliza para depositar películas delgadas de materiales como hidroxiapatita y nitruro de titanio en dispositivos médicos.
Principio
La máquina de horno de tubo para deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) rotatorio inclinado es un sistema de deposición química de vapor rotatorio asistido por plasma. El tubo del horno adopta un diseño de diámetro variable con un deflector de mezcla, lo que permite un calentamiento uniforme y una mezcla eficiente de los materiales. El generador de plasma conectado mediante acoplamiento inductivo cubre el tubo del horno, proporcionando una mayor energía de activación, reduciendo la temperatura de reacción y mejorando la eficiencia. El equipo utiliza un medidor de flujo de masa de tres vías y un dispositivo de mezcla de gases para un control preciso del gas. Además, una bomba mecánica de alto rendimiento permite la evacuación rápida del tubo del horno, creando un entorno de vacío adecuado para varios procesos CVD.
Características
La máquina de horno de tubo para deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) rotatorio inclinado cuenta con una serie de características de vanguardia que permiten a los investigadores e ingenieros lograr resultados inigualables en sus esfuerzos de procesamiento de materiales:
- Control preciso de la temperatura: El control de temperatura programable PID garantiza una precisión y estabilidad excepcionales, permitiendo ciclos precisos de calentamiento y enfriamiento para obtener propiedades óptimas del material.
- Fuente de plasma versátil: La fuente de plasma RF con un amplio rango de potencia de 5-500 W proporciona flexibilidad y control sobre la generación de plasma, promoviendo una deposición de material eficiente y personalizada.
- Mezcla y calentamiento uniformes: El tubo del horno giratorio, que presenta un diseño de diámetro variable y un deflector de mezcla, garantiza una mezcla completa de los materiales y un calentamiento uniforme, lo que resulta en resultados de deposición consistentes y de alta calidad.
- Sistema de deslizamiento automatizado: El sistema de deslizamiento de la cámara del horno facilita el calentamiento y enfriamiento rápidos, minimizando el tiempo de procesamiento y mejorando la productividad.
- Control preciso de gas: Los medidores de flujo de masa MFC de alta precisión y un dispositivo de mezcla de gases permiten un control preciso de la composición del gas y las tasas de flujo, optimizando los procesos de deposición para materiales y aplicaciones específicos.
- Construcción robusta: La brida de vacío de acero inoxidable con puertos adaptables garantiza un sellado confiable y altos niveles de vacío, manteniendo un entorno de deposición impecable.
- Interfaz intuitiva: El controlador CTF Pro con una pantalla táctil TFT de 7 pulgadas proporciona una configuración de programas fácil de usar, análisis de datos y capacidades de control remoto, agilizando la operación y la gestión de datos.
Ventajas
- Fuente de acoplamiento automático de plasma RF, amplio rango de potencia de salida de 5-500 W con salida estable.
- Sistema de deslizamiento de la cámara del horno para calentamiento a alta velocidad y enfriamiento en poco tiempo; enfriamiento rápido auxiliar y movimiento de deslizamiento automático disponibles.
- Control de temperatura programable PID, excelente precisión de control y soporte para control remoto y control centralizado.
- Control de medidor de flujo de masa MFC de alta precisión, premezcla de gases de fuente y velocidad de suministro de gas estable.
- Brida de vacío de acero inoxidable con varios puertos de adaptación para cumplir con diferentes configuraciones de estaciones de bombas de vacío, buen sellado y alto grado de vacío.
- CTF Pro aplica un controlador de pantalla táctil TFT de 7 pulgadas, configuración de programas más amigable y análisis de datos históricos.
- Bajo mantenimiento; Fácil de instalar; Diseño rígido; Rendimiento superior; Larga vida útil.
Ventajas de Seguridad
- El horno de tubo de Kindle Tech posee protección contra sobrecorriente y función de alarma de sobretemperatura; el horno desconectará la energía automáticamente.
- Función de detección de termopar integrada en el horno; el horno dejará de calentar y la alarma se activará una vez que se detecte una rotura o falla.
- PE Pro admite la función de reinicio tras falla de energía; el horno reanudará el programa de calentamiento cuando regrese la energía después de una falla.
Especificaciones técnicas
| Modelo del horno | PE-1600-60 |
|---|---|
| Temperatura máx. | 1600℃ |
| Temperatura de trabajo constante | 1550℃ |
| Material del tubo del horno | Tubo de Al2O3 de alta pureza |
| Diámetro del tubo del horno | 60mm |
| Longitud de la zona de calentamiento | 2x300mm |
| Material de la cámara | Fibra de alúmina de Japón |
| Elemento calefactor | Disiliciuro de molibdeno |
| Tasa de calentamiento | 0-10℃/min |
| Termopar | Tipo B |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital / Controlador PID de pantalla táctil |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ |
| Unidad de Plasma RF | |
| Potencia de salida | 5 -500W ajustable con estabilidad de ± 1% |
| Frecuencia RF | 13.56 MHz ±0.005% de estabilidad |
| Potencia de reflexión | 350W máx. |
| Acoplamiento | Automático |
| Ruido | <50 dB |
| Enfriamiento | Enfriamiento por aire. |
| Unidad de control preciso de gas | |
| Medidor de flujo | Medidor de flujo de masa MFC |
| Canales de gas | 4 canales |
| Tasa de flujo | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linealidad | ±0.5% F.S. |
| Repetibilidad | ±0.2% F.S. |
| Tubería y válvula | Acero inoxidable |
| Presión máxima de operación | 0.45MPa |
| Controlador del medidor de flujo | Controlador de perilla digital / Controlador de pantalla táctil |
| Unidad de vacío estándar (Opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de vacío de paletas rotativas |
| Tasa de flujo de la bomba | 4L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro de silicio Pirani/Resistencia |
| Presión de vacío nominal | 10Pa |
| Unidad de alto vacío (Opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de paletas rotativas + Bomba molecular |
| Tasa de flujo de la bomba | 4L/S+110L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro compuesto |
| Presión de vacío nominal | 6x10-5Pa |
| Las especificaciones y configuraciones anteriores se pueden personalizar | |
Paquete Estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
|---|---|---|
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | Tubo de cuarzo | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico de tubo | 2 |
| 5 | Gancho de bloque térmico de tubo | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | Fuente de plasma RF | 1 |
| 8 | Control de gas preciso | 1 |
| 9 | Unidad de vacío | 1 |
| 10 | Manual de operación | 1 |
Configuración Opcional
- Detección y monitoreo de gases en el tubo, como H2, O2, etc.
- Monitoreo y registro independiente de la temperatura del horno.
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto por PC y exportación de datos.
- Control de la tasa de flujo de alimentación de gases insertados, como medidor de flujo de masa y medidor de flujo de flotador.
- Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles y amigables para el operador.
- Configuraciones de estaciones de bombas de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión.
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
Diseñado para ti
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FAQ
¿Qué Es La Deposición Física De Vapor (PVD)?
¿Qué Es Un Equipo CVD?
¿Qué Es El Método PECVD?
¿Cuáles Son Los Métodos Utilizados Para Depositar Películas Delgadas?
¿Qué Es Mpcvd?
¿Qué Es La Pulverización Catódica Con Magnetrón?
¿Qué Hace El Equipo CVD?
¿Para Qué Se Utiliza PECVD?
¿Qué Es Un Equipo De Deposición De Película Delgada?
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Por Qué Pulverizar Con Magnetrón?
¿Cuál Es El Principio Básico De La ECV?
¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?
¿Qué Es La Tecnología De Deposición De Película Delgada?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Cuáles Son Los Materiales Utilizados En La Deposición De Película Delgada?
La deposición de película delgada comúnmente utiliza metales, óxidos y compuestos como materiales, cada uno con sus ventajas y desventajas únicas. Se prefieren los metales por su durabilidad y facilidad de depósito, pero son relativamente caros. Los óxidos son muy duraderos, pueden soportar altas temperaturas y pueden depositarse a bajas temperaturas, pero pueden ser quebradizos y difíciles de manipular. Los compuestos ofrecen resistencia y durabilidad, pueden depositarse a bajas temperaturas y adaptarse para exhibir propiedades específicas.
La selección del material para un recubrimiento de película delgada depende de los requisitos de la aplicación. Los metales son ideales para la conducción térmica y eléctrica, mientras que los óxidos son efectivos para ofrecer protección. Los compuestos se pueden adaptar para satisfacer necesidades específicas. En última instancia, el mejor material para un proyecto en particular dependerá de las necesidades específicas de la aplicación.
¿Cuáles Son Los Diferentes Tipos De Método CVD?
¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cuáles Son Los Métodos Para Lograr Una Deposición óptima De Película Delgada?
Para lograr películas delgadas con propiedades deseables, son esenciales objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de alta calidad. La calidad de estos materiales puede verse influenciada por varios factores, como la pureza, el tamaño del grano y el estado de la superficie.
La pureza de los objetivos de pulverización catódica o los materiales de evaporación juega un papel crucial, ya que las impurezas pueden causar defectos en la película delgada resultante. El tamaño del grano también afecta la calidad de la película delgada, y los granos más grandes conducen a propiedades deficientes de la película. Además, la condición de la superficie es crucial, ya que las superficies ásperas pueden provocar defectos en la película.
Para lograr objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de la más alta calidad, es crucial seleccionar materiales que posean alta pureza, tamaño de grano pequeño y superficies lisas.
Usos De La Deposición De Película Delgada
Películas delgadas a base de óxido de zinc
Las películas delgadas de ZnO encuentran aplicaciones en varias industrias, como la térmica, óptica, magnética y eléctrica, pero su uso principal es en recubrimientos y dispositivos semiconductores.
Resistencias de película delgada
Las resistencias de película delgada son cruciales para la tecnología moderna y se utilizan en receptores de radio, placas de circuitos, computadoras, dispositivos de radiofrecuencia, monitores, enrutadores inalámbricos, módulos Bluetooth y receptores de teléfonos celulares.
Películas delgadas magnéticas
Las películas delgadas magnéticas se utilizan en electrónica, almacenamiento de datos, identificación por radiofrecuencia, dispositivos de microondas, pantallas, placas de circuitos y optoelectrónica como componentes clave.
Películas finas ópticas
Los recubrimientos ópticos y la optoelectrónica son aplicaciones estándar de películas delgadas ópticas. La epitaxia de haz molecular puede producir dispositivos optoelectrónicos de película delgada (semiconductores), donde las películas epitaxiales se depositan átomo por átomo sobre el sustrato.
Películas finas de polímero
Las películas delgadas de polímero se utilizan en chips de memoria, células solares y dispositivos electrónicos. Las técnicas de deposición química (CVD) ofrecen un control preciso de los recubrimientos de película de polímero, incluida la conformidad y el espesor del recubrimiento.
Baterías de película delgada
Las baterías de película delgada alimentan dispositivos electrónicos, como dispositivos médicos implantables, y la batería de iones de litio ha avanzado significativamente gracias al uso de películas delgadas.
Recubrimientos de película delgada
Los recubrimientos de película delgada mejoran las características químicas y mecánicas de los materiales objetivo en diversas industrias y campos tecnológicos. Los recubrimientos antirreflectantes, los recubrimientos antiultravioleta o antiinfrarrojos, los recubrimientos antirrayas y la polarización de lentes son algunos ejemplos comunes.
Células solares de película delgada
Las células solares de película delgada son esenciales para la industria de la energía solar, ya que permiten la producción de electricidad relativamente barata y limpia. Los sistemas fotovoltaicos y la energía térmica son las dos principales tecnologías aplicables.
¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?
Factores Y Parámetros Que Influyen En La Deposición De Películas Delgadas
Tasa de deposición:
La velocidad a la que se produce la película, normalmente medida en espesor dividido por el tiempo, es crucial para seleccionar una tecnología adecuada para la aplicación. Las tasas de deposición moderadas son suficientes para películas delgadas, mientras que las tasas de deposición rápidas son necesarias para películas gruesas. Es importante lograr un equilibrio entre la velocidad y el control preciso del espesor de la película.
Uniformidad:
La consistencia de la película sobre el sustrato se conoce como uniformidad, que generalmente se refiere al espesor de la película, pero también puede relacionarse con otras propiedades, como el índice de refracción. Es importante tener una buena comprensión de la aplicación para evitar la uniformidad de especificación insuficiente o excesiva.
Capacidad de llenado:
La capacidad de relleno o cobertura escalonada se refiere a qué tan bien el proceso de deposición cubre la topografía del sustrato. El método de deposición utilizado (p. ej., CVD, PVD, IBD o ALD) tiene un impacto significativo en la cobertura y el relleno del paso.
Características de la película:
Las características de la película dependen de los requisitos de la aplicación, que pueden categorizarse como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecánicos o químicos. La mayoría de las películas deben cumplir con los requisitos en más de una categoría.
Temperatura de proceso:
Las características de la película se ven significativamente afectadas por la temperatura del proceso, que puede estar limitada por la aplicación.
Daño:
Cada tecnología de deposición tiene el potencial de dañar el material sobre el que se deposita, y las características más pequeñas son más susceptibles al daño del proceso. La contaminación, la radiación ultravioleta y el bombardeo de iones se encuentran entre las posibles fuentes de daño. Es crucial entender las limitaciones de los materiales y herramientas.
Hoja de Datos del Producto
Equipo de horno de tubo para deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) rotatorio inclinado
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