MPCVD
Máquina de diamante MPCVD con resonador cilíndrico para crecimiento de diamante en laboratorio
Número de artículo : KTWB315
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Potencia de microondas
- Frecuencia de microondas 2450±15MHZ
- Potencia de salida
- 1～10 KW regulable en continuo
- Fuga de microondas
- ≤2MW/cm2
- Interfaz de la guía de ondas de salida
- WR340, 430 con brida estándar FD-340, 430
- Soporte de muestras
- Diámetro de la mesa de muestras≥72mm, área efectiva de uso≥66 mm
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¡Obtenga su cotización ahora! Dejar un mensaje Cotización Rápida Via Chat en líneaMPCVD significa deposición química en fase vapor por plasma de microondas. Es un método de crecimiento de películas de diamante de alta calidad en laboratorio mediante el uso de un gas que contiene carbono y un plasma de microondas.
Sistema MPCVD
El sistema MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) es un proceso utilizado para depositar películas finas sobre la superficie de un sustrato. El sistema consta de una cámara de vacío donde tiene lugar el proceso de deposición, un generador de microondas y un sistema de suministro de gas. El generador de microondas se utiliza para generar un plasma dentro de la cámara de vacío, que se utiliza para descomponer y depositar las especies gaseosas sobre el sustrato.
El generador de microondas suele ser un magnetrón o un klystron, que genera microondas en el rango de 2,45 GHz. Las microondas se acoplan a la cámara de vacío a través de una ventana de cuarzo.
El sistema de suministro de gas consta de controladores de flujo másico (MFC) que controlan el flujo de gas en la cámara de vacío. Los MFC están calibrados en centímetros cúbicos estándar por minuto (sccm).
La temperatura del sustrato se controla mediante la posición del plasma y se mide con un termopar. El plasma se utiliza para calentar el sustrato, y la temperatura es controlada por el termopar para asegurar que el sustrato está a la temperatura deseada durante el proceso de deposición.
Aplicaciones
La MPCVD es una tecnología prometedora para producir diamantes de gran tamaño a bajo coste y de alta calidad.
Las propiedades únicas del diamante, como su dureza, rigidez, alta conductividad térmica, baja expansión térmica, dureza a la radiación e inercia química, lo convierten en un material valioso.
A pesar de su gran potencial, el elevado coste, el tamaño limitado y la dificultad para controlar las impurezas de los diamantes naturales y sintéticos de alta presión y alta temperatura han limitado sus aplicaciones.
El MPCVD es el principal equipo utilizado para el crecimiento de gemas y películas de diamante.
El crecimiento de películas de diamante puede ser monocristalino o policristalino, y se utiliza ampliamente en la industria de semiconductores para sustratos de diamante de gran tamaño, así como en la industria de herramientas de corte o perforación de diamante.
En comparación con el método HPHT para diamantes cultivados en laboratorio, el método CVD por microondas es ventajoso para el crecimiento de diamantes de gran tamaño a un coste menor, por lo que es una solución ideal para aplicaciones de diamantes semiconductores, crecimiento de diamantes ópticos y las grandes necesidades del mercado de diamantes para joyería.
Ventajas del MPCVD
MPCVD es un método de síntesis de diamantes que tiene varias ventajas sobre otros métodos, como HFCVD y DC-PJ CVD. Evita la contaminación del diamante por hilos calientes y permite el uso de múltiples gases para satisfacer diferentes necesidades industriales. En comparación con el CVD DC-PJ, permite un ajuste suave y continuo de la potencia de microondas y un control estable de la temperatura de reacción, lo que evita que las semillas de cristal se caigan del sustrato debido a la formación de arcos y al fallo de la llama. Con una gran área de plasma de descarga estable, el método MPCVD se considera el método de síntesis de diamantes más prometedor para aplicaciones industriales.
Los diamantes producidos mediante MPCVD son de mayor pureza en comparación con los producidos mediante el método HPHT, y el proceso de producción consume menos energía. Además, el método MPCVD facilita la producción de diamantes de mayor tamaño.
Ventajas de nuestro sistema MPCVD
Hemos estado profundamente involucrados en la industria durante muchos años, y como resultado, tenemos una amplia base de clientes que confían y utilizan nuestros equipos. Nuestro equipo MPCVD ha estado funcionando de forma constante durante más de 40.000 horas, demostrando una estabilidad, fiabilidad, repetibilidad y rentabilidad excepcionales. Más ventajas de nuestro sistema MPCVD incluyen:
- Área de crecimiento de sustrato de 3 pulgadas, carga máxima por lote de hasta 45 piezas de diamantes
- Potencia de microondas de salida ajustable de 1-10Kw para un menor consumo eléctrico
- Equipo de investigación con amplia experiencia en el cultivo de diamantes.
- Programa de soporte técnico exclusivo para el equipo de experiencia en el cultivo de diamantes Zero.
Aprovechando nuestra tecnología avanzada acumulada, hemos implementado múltiples rondas de actualizaciones y mejoras a nuestro sistema MPCVD, lo que resulta en una mejora significativa de la eficiencia y la reducción de costes de los equipos. Como resultado, nuestro equipo MPCVD está a la vanguardia de los avances tecnológicos y se ofrece a un precio competitivo. Le invitamos a consultarnos.
Procesamiento de trabajo
La máquina MPCVD controla el flujo de cada ruta de gas y la presión de la cavidad mientras introduce gases reactantes (como CH4, H2, Ar, O2, N2, etc.) en la cavidad bajo una presión específica. Tras estabilizar el flujo de aire, el generador de microondas de estado sólido de 6 kW genera microondas que se introducen en la cavidad a través de la guía de ondas.
El gas de reacción se transforma en un estado de plasma bajo el campo de microondas, formando una bola de plasma que se cierne sobre el sustrato de diamante. La elevada temperatura del plasma calienta el sustrato hasta una temperatura determinada. El exceso de calor producido en la cavidad se disipa mediante la unidad de refrigeración por agua.
Para garantizar unas condiciones de crecimiento óptimas durante el proceso de crecimiento del diamante monocristalino MPCVD, ajustamos factores como la potencia, la composición de la fuente de gas y la presión de la cavidad. Además, como la bola de plasma no entra en contacto con la pared de la cavidad, el proceso de crecimiento del diamante está libre de impurezas, lo que mejora la calidad del diamante.
Detalles y piezas
Sistema de microondas
Cámara de reacción
Sistema de flujo de gas
Sistema de vacío y sensores
Especificaciones técnicas
| Sistema de microondas |
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| Cámara de reacción |
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| Soporte de muestras |
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| Sistema de flujo de gas |
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| Sistema de refrigeración |
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| Sensor de temperatura |
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| Sistema de control |
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| Función opcional |
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Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
Diseñado para ti
KinTek brinda un profundo servicio y equipo personalizado a clientes de todo el mundo, nuestro trabajo en equipo especializado y nuestros ingenieros ricos y experimentados son capaces de llevar a cabo los requisitos de equipos de hardware y software personalizados, y ayudar a nuestros clientes a construir el equipo y la solución exclusivos y personalizados.
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FAQ
¿Qué Materiales Puede Cortar Una Máquina De Corte De Diamante?
¿Qué Es Un Equipo CVD?
¿Qué Es El Horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué Tipos De Máquinas De Crecimiento De Diamantes Están Disponibles?
¿Qué Es La Máquina De Diamante CVD?
¿Qué Es El Método PECVD?
¿Qué Es Mpcvd?
¿Cuál Es El Principio De Una Máquina De Corte Con Diamante?
¿Qué Hace El Equipo CVD?
¿Qué Es RF PECVD?
¿Cómo Funciona El Horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Cuáles Son Las Ventajas De Los Diamantes Cultivados En Laboratorio?
¿Para Qué Se Utiliza PECVD?
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Utilizar Una Máquina De Corte Con Diamante?
¿Cuál Es El Principio Básico De La ECV?
PACVD Es PECVD?
¿Qué Gas Se Utiliza En El Proceso De CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Cuál Es El Precio De La Máquina De Cultivo CVD?
¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Qué Tipos De Máquinas De Corte De Diamante Hay Disponibles?
¿Cuáles Son Los Diferentes Tipos De Método CVD?
¿Cuál Es La Ventaja Del Sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cómo Garantiza Una Máquina De Corte Con Diamante Un Corte De Alta Precisión?
¿Qué Significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?
¿Cuál Es El Campo De Aplicación De Una Máquina De Corte De Diamante?
¿Cuál Es La Diferencia Entre CVD Y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
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KINTEK's MPCVD machine is a game-changer! Its 1-10Kw adjustable output microwave power feature not only saves electricity but also ensures precise control over the diamond growth process.
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