Horno CVD y PECVD
Deposición por evaporación mejorada con plasma Máquina de revestimiento PECVD
Número de artículo : KT-PED
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura de calentamiento del portamuestras
- ≤800℃
- Canales de purga de gas
- 4 canales
- Tamaño de la cámara de vacío
- Φ500mm × 550 mm
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La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) es un proceso de deposición de películas finas al vacío que utiliza vapores o gases como precursores para crear un recubrimiento. PECVD es una variación de la deposición química en fase vapor (CVD) que utiliza plasma en lugar de calor para activar el gas o vapor fuente. Como se pueden evitar las altas temperaturas, la gama de sustratos posibles se amplía a materiales de bajo punto de fusión, incluso plásticos en algunos casos. Además, también aumenta la gama de materiales de recubrimiento que pueden depositarse. El PECVD se utiliza para depositar una gran variedad de materiales, como dieléctricos, semiconductores, metales y aislantes. Los revestimientos PECVD se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, como células solares, pantallas planas y microelectrónica.
Aplicaciones
Las máquinas de recubrimiento por deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) ofrecen una solución versátil para diversos sectores y aplicaciones:
- Iluminación LED:** Deposición de películas dieléctricas y semiconductoras de alta calidad para diodos emisores de luz (LED).
- Semiconductores de potencia:** Formación de capas aislantes, óxidos de compuerta y otros componentes críticos en dispositivos semiconductores de potencia.
- MEMS:** Fabricación de películas finas para sistemas microelectromecánicos (MEMS), como sensores y actuadores.
- Recubrimientos ópticos:** Deposición de recubrimientos antirreflectantes, filtros ópticos y otros componentes ópticos.
- Células solares de película fina:** Producción de películas finas de silicio amorfo y microcristalino para dispositivos de células solares.
- Modificación de superficies:** Mejora de las propiedades superficiales, como la resistencia a la corrosión, la resistencia al desgaste y la biocompatibilidad.
- Nanotecnología:** Síntesis de nanomateriales, incluidas nanopartículas, nanocables y películas finas.
Características
La máquina de recubrimiento por deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) ofrece numerosas ventajas que mejoran la productividad y proporcionan resultados excepcionales:
- Deposición a baja temperatura: Permite la formación de películas de alta calidad a temperaturas significativamente más bajas que los métodos CVD tradicionales, lo que la hace adecuada para sustratos delicados.
- Altas velocidades de deposición: Maximiza la eficiencia depositando las películas rápidamente, reduciendo el tiempo de producción y aumentando el rendimiento.
- Películas uniformes y resistentes al agrietamiento: Garantiza unas propiedades uniformes de las películas y minimiza el riesgo de agrietamiento, dando lugar a revestimientos fiables y duraderos.
- Excelente adhesión a los sustratos: Proporciona una fuerte unión entre la película y el sustrato, garantizando un rendimiento duradero y evitando la delaminación.
- Capacidad de revestimiento versátil: Permite la deposición de una amplia gama de materiales, incluidos SiO2, SiNx y SiOxNy, para satisfacer diversos requisitos de aplicación.
- Personalización para geometrías complejas: Se adapta a sustratos con formas intrincadas, garantizando un recubrimiento uniforme y un rendimiento óptimo.
- Bajo mantenimiento y fácil instalación: Minimiza el tiempo de inactividad y simplifica la configuración, mejorando la productividad y la rentabilidad.
Especificaciones técnicas
| Soporte de muestras | Tamaño | 1-6 pulgadas |
| Velocidad de rotación | 0-20rpm ajustable | |
| Temperatura de calentamiento | ≤800℃ | |
| Precisión de control | ±0,5℃ Controlador PID SHIMADEN | |
| Purga de gas | Medidor de caudal | CONTROLADOR DE CAUDALÍMETRO MÁSICO (MFC) |
| Canales | 4 canales | |
| Método de refrigeración | Refrigeración por agua circulante | |
| Cámara de vacío | Tamaño de la cámara | Φ500mm X 550mm |
| Puerto de observación | Puerto de visión completa con deflector | |
| Material de la cámara | Acero inoxidable 316 | |
| Tipo de puerta | Puerta de apertura frontal | |
| Material de la tapa | Acero inoxidable 304 | |
| Puerto de la bomba de vacío | Brida CF200 | |
| Puerto de entrada de gas | φ6 Conector VCR | |
| Potencia de plasma | Fuente de alimentación | Alimentación CC o RF |
| Modo de acoplamiento | Acoplado inductivamente o capacitivo de placa | |
| Potencia de salida | 500W-1000W | |
| Potencia de polarización | 500v | |
| Bomba de vacío | Prebomba | Bomba de vacío de paletas 15L/S |
| Puerto de la bomba turbo | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Puerto de alivio | KF25 | |
| Velocidad de la bomba | Bomba de paletas:15l/s，Bomba turbo:1200l/s或1600l/s | |
| Grado de vacío | ≤5×10-5Pa | |
| Sensor de vacío | Medidor de vacío de ionización/resistencia/medidor de película | |
| Sistema | Alimentación eléctrica | CA 220V /380 50Hz |
| Potencia nominal | 5kW | |
| Dimensiones | 900mm X 820mm X870mm | |
| Peso | 200kg |
Principio
La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) utiliza plasma para estimular las reacciones químicas durante la deposición, lo que permite formar películas sólidas de alta calidad a bajas temperaturas. Al emplear plasma de alta energía, las máquinas PECVD mejoran las velocidades de reacción y reducen las temperaturas de reacción. Esta técnica se utiliza ampliamente en iluminación LED, semiconductores de potencia y MEMS. Permite la deposición de películas de SiO2, SiNx, SiOxNy y otros medios, así como la deposición a alta velocidad de películas gruesas de SiO sobre sustratos compuestos. El PECVD ofrece una excelente calidad de formación de película, minimiza los agujeros de alfiler y reduce el agrietamiento, por lo que resulta adecuado para producir dispositivos de células solares de película fina de silicio amorfo y microcristalino.
Ventajas
- Capacidad para depositar diversos materiales: El PECVD puede depositar una amplia gama de materiales, como carbono diamante, compuestos de silicio y óxidos metálicos, lo que permite crear películas con propiedades a medida.
- Funcionamiento a baja temperatura: El PECVD funciona a bajas temperaturas (normalmente 300-450°C), lo que lo hace adecuado para sustratos sensibles al calor.
- Películas finas de alta calidad: El PECVD produce películas finas con una uniformidad, un control del espesor y una resistencia al agrietamiento excepcionales.
- Excelente adherencia: Las películas depositadas por PECVD presentan una fuerte adherencia al sustrato, lo que garantiza su durabilidad y fiabilidad.
- Recubrimiento conforme: El PECVD permite el recubrimiento de geometrías complejas, proporcionando una cobertura y protección uniformes.
- Altas velocidades de deposición: El PECVD ofrece tasas de deposición rápidas, aumentando la productividad y reduciendo el tiempo de producción.
- Bajo mantenimiento: Los sistemas PECVD están diseñados para un bajo mantenimiento, minimizando el tiempo de inactividad y maximizando el tiempo de funcionamiento.
- Fácil instalación: Los equipos PECVD son relativamente fáciles de instalar e integrar en las líneas de producción existentes.
- Diseño rígido: Los sistemas PECVD están construidos con diseños robustos, garantizando estabilidad y un rendimiento duradero.
- Vida útil prolongada: Los sistemas PECVD están diseñados para durar, proporcionando una solución rentable para las necesidades de deposición de película fina a largo plazo.
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué Es El Método PECVD?
¿Qué Es Mpcvd?
¿Para Qué Se Utiliza PECVD?
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?
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