Horno CVD y PECVD
Equipo de horno de tubo de deposición química de vapor mejorada por plasma inclinado PECVD
Número de artículo : KT-PED
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura de calentamiento del portamuestras
- ≤800℃
- Canales de purga de gas
- 4 canales
- Tamaño de la cámara de vacío
- Φ500mm × 550 mm
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Introducción
La deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) es un proceso de deposición de películas delgadas al vacío que utiliza vapores o gases como precursores para crear un recubrimiento. PECVD es una variación de la deposición química de vapor (CVD) que utiliza plasma en lugar de calor para activar el gas o vapor fuente. Dado que se pueden evitar las altas temperaturas, el rango de sustratos posibles se expande a materiales de bajo punto de fusión, incluso plásticos en algunos casos. Además, también crece el rango de materiales de recubrimiento que se pueden depositar. PECVD se utiliza para depositar una amplia variedad de materiales, incluyendo dieléctricos, semiconductores, metales y aislantes. Los recubrimientos PECVD se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo células solares, pantallas de panel plano y microelectrónica.
Aplicaciones
Las máquinas de recubrimiento por deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) ofrecen una solución versátil para diversas industrias y aplicaciones:
- Iluminación LED: Deposición de películas dieléctricas y semiconductoras de alta calidad para diodos emisores de luz (LED).
- Semiconductores de potencia: Formación de capas aislantes, óxidos de puerta y otros componentes críticos en dispositivos semiconductores de potencia.
- MEMS: Fabricación de películas delgadas para sistemas microelectromecánicos (MEMS), como sensores y actuadores.
- Recubrimientos ópticos: Deposición de recubrimientos antirreflectantes, filtros ópticos y otros componentes ópticos.
- Células solares de película delgada: Producción de películas delgadas de silicio amorfo y microcristalino para dispositivos de células solares.
- Modificación de superficies: Mejora de las propiedades de la superficie, como la resistencia a la corrosión, la resistencia al desgaste y la biocompatibilidad.
- Nanotecnología: Síntesis de nanomateriales, incluyendo nanopartículas, nanocables y películas delgadas.
Características
La máquina de recubrimiento por deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) ofrece numerosas ventajas que mejoran la productividad y brindan resultados excepcionales:
- Deposición a baja temperatura: Permite la formación de películas de alta calidad a temperaturas significativamente más bajas que los métodos CVD tradicionales, lo que la hace adecuada para sustratos delicados.
- Altas tasas de deposición: Maximiza la eficiencia al depositar películas rápidamente, reduciendo el tiempo de producción y aumentando el rendimiento.
- Películas uniformes y resistentes a grietas: Asegura propiedades de película consistentes y minimiza el riesgo de agrietamiento, lo que lleva a recubrimientos confiables y duraderos.
- Excelente adhesión a los sustratos: Proporciona una fuerte unión entre la película y el sustrato, asegurando un rendimiento duradero y previniendo la delaminación.
- Capacidades de recubrimiento versátiles: Permite la deposición de una amplia gama de materiales, incluyendo SiO2, SiNx y SiOxNy, para satisfacer diversos requisitos de aplicación.
- Personalización para geometrías complejas: Se adapta a sustratos con formas intrincadas, asegurando un recubrimiento uniforme y un rendimiento óptimo.
- Bajo mantenimiento y fácil instalación: Minimiza el tiempo de inactividad y simplifica la configuración, mejorando la productividad y la rentabilidad.
Especificaciones técnicas
| Portamuestras | Tamaño | 1-6 pulgadas |
| Velocidad de rotación | 0-20 rpm ajustable | |
| Temperatura de calentamiento | ≤800℃ | |
| Precisión de control | Controlador PID SHIMADEN de ±0.5℃ | |
| Purga de gas | Caudalímetro | CONTROLADOR DE CAUDAL MÁSICO (MFC) |
| Canales | 4 canales | |
| Método de enfriamiento | Enfriamiento por agua circulante | |
| Cámara de vacío | Tamaño de la cámara | Φ500mm X 550mm |
| Puerto de observación | Puerto de visión completa con deflector | |
| Material de la cámara | Acero inoxidable 316 | |
| Tipo de puerta | Puerta de apertura frontal | |
| Material de la tapa | Acero inoxidable 304 | |
| Puerto de la bomba de vacío | Brida CF200 | |
| Puerto de entrada de gas | Conector VCR de φ6 | |
| Potencia de plasma | Potencia de fuente | Potencia CC o potencia RF |
| Modo de acoplamiento | Acoplado inductivamente o capacitivo de placa | |
| Potencia de salida | 500W—1000W | |
| Potencia de polarización | 500v | |
| Bomba de vacío | Pre-bomba | Bomba de vacío de paletas de 15L/S |
| Puerto de bomba turbo | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Puerto de alivio | KF25 | |
| Velocidad de la bomba | Bomba de paletas: 15L/s, Bomba turbo: 1200l/s o 1600l/s | |
| Grado de vacío | ≤5×10-5Pa | |
| Sensor de vacío | Manómetro de vacío de ionización/resistencia/manómetro de película | |
| Sistema | Fuente de alimentación eléctrica | CA 220V /380 50Hz |
| Potencia nominal | 5kW | |
| Dimensiones | 900mm X 820mm X870mm | |
| Peso | 200kg |
Principio
La deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) utiliza plasma para estimular reacciones químicas durante la deposición, permitiendo la formación de películas sólidas de alta calidad a bajas temperaturas. Al emplear plasma de alta energía, las máquinas PECVD aumentan las tasas de reacción y reducen las temperaturas de reacción. Esta técnica se utiliza ampliamente en iluminación LED, semiconductores de potencia y MEMS. Permite la deposición de SiO2, SiNx, SiOxNy y otras películas intermedias, así como la deposición a alta velocidad de películas gruesas de SiO en sustratos compuestos. PECVD ofrece una excelente calidad de formación de película, minimiza los agujeros de alfiler y reduce el agrietamiento, lo que la hace adecuada para producir dispositivos de células solares de película delgada de silicio amorfo y microcristalino.
Ventaja
- Capacidad para depositar diversos materiales: PECVD puede depositar una amplia gama de materiales, incluyendo carbono similar al diamante, compuestos de silicio y óxidos metálicos, lo que permite la creación de películas con propiedades personalizadas.
- Operación a baja temperatura: PECVD opera a bajas temperaturas (típicamente 300-450 °C), lo que la hace adecuada para sustratos sensibles al calor.
- Películas delgadas de alta calidad: PECVD produce películas delgadas con una uniformidad excepcional, control de espesor y resistencia al agrietamiento.
- Excelente adhesión: Las películas depositadas por PECVD exhiben una fuerte adhesión al sustrato, asegurando durabilidad y confiabilidad.
- Recubrimiento conforme: PECVD permite el recubrimiento de geometrías complejas, proporcionando una cobertura y protección uniformes.
- Altas tasas de deposición: PECVD ofrece altas tasas de deposición, aumentando la productividad y reduciendo el tiempo de producción.
- Bajo mantenimiento: Los sistemas PECVD están diseñados para un bajo mantenimiento, minimizando el tiempo de inactividad y maximizando el tiempo de actividad.
- Fácil instalación: El equipo PECVD es relativamente fácil de instalar e integrar en las líneas de producción existentes.
- Diseño rígido: Los sistemas PECVD están construidos con diseños robustos, asegurando estabilidad y un rendimiento duradero.
- Vida útil prolongada: Los sistemas PECVD están diseñados para una larga vida útil, proporcionando una solución rentable para las necesidades de deposición de películas delgadas a largo plazo.
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
Diseñado para ti
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FAQ
¿Qué Es El Método PECVD?
¿Qué Es Mpcvd?
¿Para Qué Se Utiliza PECVD?
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?
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