Horno CVD y PECVD
Sistema Slide PECVD con gasificador líquido
Número de artículo : KT-PE12
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- máx. temperatura
- 1200 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1100 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 60mm
- Longitud de la zona de calentamiento
- 1x450mm
- Velocidad de calentamiento
- 0-20 ℃/minuto
- Distancia de deslizamiento
- 600 mm
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El sistema KT-PE12 Slide PECVD con gasificador líquido consta de una fuente de plasma RF de 500 W, un horno deslizante TF-1200, 4 unidades de control preciso de gas MFC y una estación de vacío estándar. El sistema de deslizamiento del riel de la cámara del horno, que puede realizar el propósito de calentamiento rápido y enfriamiento rápido, se puede instalar un ventilador de circulación de aire forzado auxiliar opcional para acelerar la velocidad de enfriamiento; movimiento deslizante opcional que funciona automáticamente; máx. La temperatura de trabajo es de hasta 1200 ℃, el tubo del horno es un tubo de cuarzo de 60 mm de diámetro; Medidor de flujo másico MFC de 4 canales con fuentes de gas de CH4, H2, O2 y N2; La estación de vacío es una bomba de vacío de paletas rotativas de 4L/S, máx. La presión de vacío es de hasta 10 Pa.
Ventajas
- Fuente de coincidencia automática de plasma RF, salida estable de amplio rango de potencia de salida de 5-500W
- Están disponibles el sistema deslizante de la cámara del horno para calentamiento de alta velocidad y enfriamiento de tiempo corto, enfriamiento rápido auxiliar y movimiento deslizante automático
- Control de temperatura programable PID, excelente precisión de control y soporte de control remoto y control centralizado
- Control de caudalímetro másico MFC de alta precisión, premezcla de gases fuente y velocidad de suministro de gas estable
- Brida de vacío de acero inoxidable con varios puertos de adaptación para adaptarse a diferentes configuraciones de estaciones de bomba de vacío, buen sellado y alto grado de vacío
- CTF Pro aplica un controlador de pantalla táctil TFT de 7 pulgadas, configuración de programa más amigable y análisis de datos históricos
Diferentes sistemas CVD de configuración y temperatura disponibles
Ventaja de seguridad
- El horno de tubo Kindle Tech posee protección contra sobrecorriente y función de alarma de sobretemperatura, el horno apagará la energía automáticamente
- El horno incorpora la función de detección de pareja térmica, el horno dejará de calentar y la alarma se encenderá una vez que se rompa o se detecte una falla
- PE Pro admite la función de reinicio por falla de energía, el horno reanudará el programa de calentamiento del horno cuando entre energía después de una falla
Especificaciones técnicas
| Modelo de horno | KT-PE12-60 |
| máx. temperatura | 1200℃ |
| Temperatura de trabajo constante | 1100℃ |
| Material del tubo del horno | cuarzo de alta pureza |
| Diámetro del tubo del horno | 60 mm |
| Longitud de la zona de calentamiento | 1x450mm |
| Material de la cámara | Fibra de alúmina de Japón |
| Elemento de calefacción | Bobina de alambre Cr2Al2Mo2 |
| Velocidad de calentamiento | 0-20 ℃/minuto |
| Pareja térmica | Construir en tipo K |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital/Controlador PID de pantalla táctil |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ |
| Distancia de deslizamiento | 600 mm |
| Unidad de plasma RF | |
| Potencia de salida | 5 -500W ajustable con ± 1% de estabilidad |
| frecuencia de radiofrecuencia | 13,56 MHz ±0,005 % de estabilidad |
| Poder de reflexión | 350 W máx. |
| Pareo | Automático |
| Ruido | <50dB |
| Enfriamiento | Aire acondicionado. |
| Unidad de control de precisión de gas | |
| Medidor de corriente | Medidor de flujo másico MFC |
| Canales de gas | 4 canales |
| Tasa de flujo | MFC1: 0-5 SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100 SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| linealidad | ±0,5 % fondo de escala |
| Repetibilidad | ±0,2 % fondo de escala |
| Tubería y válvula | Acero inoxidable |
| Presión máxima de funcionamiento | 0.45MPa |
| Controlador de medidor de flujo | Controlador de perilla digital/controlador de pantalla táctil |
| Unidad de vacío estándar (Opcional) | |
| Bomba aspiradora | Bomba de vacío de paletas rotativas |
| Caudal de la bomba | 4L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Indicador de vacio | Vacuómetro Pirani/Resistencia de silicio |
| Presión de vacío nominal | 10Pa |
| Unidad de alto vacío (Opcional) | |
| Bomba aspiradora | Bomba rotativa de paletas+bomba molecular |
| Caudal de la bomba | 4L/S+110L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Indicador de vacio | Vacuómetro compuesto |
| Presión de vacío nominal | 6x10-5Pa |
| Las especificaciones y configuraciones anteriores se pueden personalizar | |
Paquete estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | tubo de cuarzo | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico de tubo | 2 |
| 5 | Gancho de bloque térmico de tubo | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | fuente de plasma de radiofrecuencia | 1 |
| 8 | Control preciso de gases | 1 |
| 9 | Unidad de vacío | 1 |
| 10 | Operación manual | 1 |
Configuración opcional
- En la detección y monitoreo de gases de tubo, como H2, O2, etc.
- Monitoreo y registro de la temperatura del horno independiente
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto de PC y exportación de datos
- Inserte el control de caudal de alimentación de gases, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador
- Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles fáciles de usar
- Configuraciones de estaciones de bombeo de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué es el horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué es la deposición física de vapor (PVD)?
¿Qué es el método PECVD?
¿Cómo funciona el horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Qué es RF PECVD?
¿Cuáles son los métodos utilizados para depositar películas delgadas?
¿Qué es la pulverización catódica con magnetrón?
¿Qué es Mpcvd?
¿Para qué se utiliza PECVD?
¿Qué gas se utiliza en el proceso de CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Qué es un equipo de deposición de película delgada?
PACVD es PECVD?
¿Por qué pulverizar con magnetrón?
¿Qué es la máquina Mpcvd?
¿Cuáles son las ventajas de PECVD?
¿Cuál es la ventaja del sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Qué es la tecnología de deposición de película delgada?
¿Cuáles son los materiales utilizados en la deposición de película delgada?
La deposición de película delgada comúnmente utiliza metales, óxidos y compuestos como materiales, cada uno con sus ventajas y desventajas únicas. Se prefieren los metales por su durabilidad y facilidad de depósito, pero son relativamente caros. Los óxidos son muy duraderos, pueden soportar altas temperaturas y pueden depositarse a bajas temperaturas, pero pueden ser quebradizos y difíciles de manipular. Los compuestos ofrecen resistencia y durabilidad, pueden depositarse a bajas temperaturas y adaptarse para exhibir propiedades específicas.
La selección del material para un recubrimiento de película delgada depende de los requisitos de la aplicación. Los metales son ideales para la conducción térmica y eléctrica, mientras que los óxidos son efectivos para ofrecer protección. Los compuestos se pueden adaptar para satisfacer necesidades específicas. En última instancia, el mejor material para un proyecto en particular dependerá de las necesidades específicas de la aplicación.
¿Cuáles son las ventajas de Mpcvd?
¿Cuál es la diferencia entre ALD y PECVD?
¿Qué significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Cuáles son los métodos para lograr una deposición óptima de película delgada?
Para lograr películas delgadas con propiedades deseables, son esenciales objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de alta calidad. La calidad de estos materiales puede verse influenciada por varios factores, como la pureza, el tamaño del grano y el estado de la superficie.
La pureza de los objetivos de pulverización catódica o los materiales de evaporación juega un papel crucial, ya que las impurezas pueden causar defectos en la película delgada resultante. El tamaño del grano también afecta la calidad de la película delgada, y los granos más grandes conducen a propiedades deficientes de la película. Además, la condición de la superficie es crucial, ya que las superficies ásperas pueden provocar defectos en la película.
Para lograr objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de la más alta calidad, es crucial seleccionar materiales que posean alta pureza, tamaño de grano pequeño y superficies lisas.
Usos de la deposición de película delgada
Películas delgadas a base de óxido de zinc
Las películas delgadas de ZnO encuentran aplicaciones en varias industrias, como la térmica, óptica, magnética y eléctrica, pero su uso principal es en recubrimientos y dispositivos semiconductores.
Resistencias de película delgada
Las resistencias de película delgada son cruciales para la tecnología moderna y se utilizan en receptores de radio, placas de circuitos, computadoras, dispositivos de radiofrecuencia, monitores, enrutadores inalámbricos, módulos Bluetooth y receptores de teléfonos celulares.
Películas delgadas magnéticas
Las películas delgadas magnéticas se utilizan en electrónica, almacenamiento de datos, identificación por radiofrecuencia, dispositivos de microondas, pantallas, placas de circuitos y optoelectrónica como componentes clave.
Películas finas ópticas
Los recubrimientos ópticos y la optoelectrónica son aplicaciones estándar de películas delgadas ópticas. La epitaxia de haz molecular puede producir dispositivos optoelectrónicos de película delgada (semiconductores), donde las películas epitaxiales se depositan átomo por átomo sobre el sustrato.
Películas finas de polímero
Las películas delgadas de polímero se utilizan en chips de memoria, células solares y dispositivos electrónicos. Las técnicas de deposición química (CVD) ofrecen un control preciso de los recubrimientos de película de polímero, incluida la conformidad y el espesor del recubrimiento.
Baterías de película delgada
Las baterías de película delgada alimentan dispositivos electrónicos, como dispositivos médicos implantables, y la batería de iones de litio ha avanzado significativamente gracias al uso de películas delgadas.
Recubrimientos de película delgada
Los recubrimientos de película delgada mejoran las características químicas y mecánicas de los materiales objetivo en diversas industrias y campos tecnológicos. Los recubrimientos antirreflectantes, los recubrimientos antiultravioleta o antiinfrarrojos, los recubrimientos antirrayas y la polarización de lentes son algunos ejemplos comunes.
Células solares de película delgada
Las células solares de película delgada son esenciales para la industria de la energía solar, ya que permiten la producción de electricidad relativamente barata y limpia. Los sistemas fotovoltaicos y la energía térmica son las dos principales tecnologías aplicables.
¿Los diamantes CVD son reales o falsos?
¿Cuál es la diferencia entre PECVD y pulverización catódica?
¿Cuál es la diferencia entre CVD y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
Factores y parámetros que influyen en la deposición de películas delgadas
Tasa de deposición:
La velocidad a la que se produce la película, normalmente medida en espesor dividido por el tiempo, es crucial para seleccionar una tecnología adecuada para la aplicación. Las tasas de deposición moderadas son suficientes para películas delgadas, mientras que las tasas de deposición rápidas son necesarias para películas gruesas. Es importante lograr un equilibrio entre la velocidad y el control preciso del espesor de la película.
Uniformidad:
La consistencia de la película sobre el sustrato se conoce como uniformidad, que generalmente se refiere al espesor de la película, pero también puede relacionarse con otras propiedades, como el índice de refracción. Es importante tener una buena comprensión de la aplicación para evitar la uniformidad de especificación insuficiente o excesiva.
Capacidad de llenado:
La capacidad de relleno o cobertura escalonada se refiere a qué tan bien el proceso de deposición cubre la topografía del sustrato. El método de deposición utilizado (p. ej., CVD, PVD, IBD o ALD) tiene un impacto significativo en la cobertura y el relleno del paso.
Características de la película:
Las características de la película dependen de los requisitos de la aplicación, que pueden categorizarse como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecánicos o químicos. La mayoría de las películas deben cumplir con los requisitos en más de una categoría.
Temperatura de proceso:
Las características de la película se ven significativamente afectadas por la temperatura del proceso, que puede estar limitada por la aplicación.
Daño:
Cada tecnología de deposición tiene el potencial de dañar el material sobre el que se deposita, y las características más pequeñas son más susceptibles al daño del proceso. La contaminación, la radiación ultravioleta y el bombardeo de iones se encuentran entre las posibles fuentes de daño. Es crucial entender las limitaciones de los materiales y herramientas.
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