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Sistema Slide PECVD con gasificador líquido

Horno CVD y PECVD

Sistema Slide PECVD con gasificador líquido

Número de artículo : KT-PE12

El precio varía según Especificaciones y personalizaciones


máx. temperatura
1200 ℃
Temperatura de trabajo constante
1100 ℃
Diámetro del tubo del horno
60mm
Longitud de la zona de calentamiento
1x450mm
Velocidad de calentamiento
0-20 ℃/minuto
Distancia de deslizamiento
600 mm
ISO & CE icon

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Aplicaciones

El sistema KT-PE12 Slide PECVD con gasificador líquido consta de una fuente de plasma RF de 500 W, un horno deslizante TF-1200, 4 unidades de control preciso de gas MFC y una estación de vacío estándar. El sistema de deslizamiento del riel de la cámara del horno, que puede realizar el propósito de calentamiento rápido y enfriamiento rápido, se puede instalar un ventilador de circulación de aire forzado auxiliar opcional para acelerar la velocidad de enfriamiento; movimiento deslizante opcional que funciona automáticamente; máx. La temperatura de trabajo es de hasta 1200 ℃, el tubo del horno es un tubo de cuarzo de 60 mm de diámetro; Medidor de flujo másico MFC de 4 canales con fuentes de gas de CH4, H2, O2 y N2; La estación de vacío es una bomba de vacío de paletas rotativas de 4L/S, máx. La presión de vacío es de hasta 10 Pa.

Ventajas

  • Fuente de coincidencia automática de plasma RF, salida estable de amplio rango de potencia de salida de 5-500W
  • Están disponibles el sistema deslizante de la cámara del horno para calentamiento de alta velocidad y enfriamiento de tiempo corto, enfriamiento rápido auxiliar y movimiento deslizante automático
  • Control de temperatura programable PID, excelente precisión de control y soporte de control remoto y control centralizado
  • Control de caudalímetro másico MFC de alta precisión, premezcla de gases fuente y velocidad de suministro de gas estable
  • Brida de vacío de acero inoxidable con varios puertos de adaptación para adaptarse a diferentes configuraciones de estaciones de bomba de vacío, buen sellado y alto grado de vacío
  • CTF Pro aplica un controlador de pantalla táctil TFT de 7 pulgadas, configuración de programa más amigable y análisis de datos históricos

Diferentes sistemas CVD de configuración y temperatura disponibles

Sistema Slide PECVD con gasificador líquido
Sistema Slide PECVD con gasificador líquido
Sistema Slide PECVD con horno de doble tubo dividido
Sistema Slide PECVD con horno de doble tubo dividido
Sistema Split PECVD con tubo de gran diámetro
Sistema Split PECVD con tubo de gran diámetro
Sistema MFC PECVD de 4 canales con estación de alto vacío
Sistema MFC PECVD de 4 canales con estación de alto vacío

Ventaja de seguridad

  • El horno de tubo Kindle Tech posee protección contra sobrecorriente y función de alarma de sobretemperatura, el horno apagará la energía automáticamente
  • El horno incorpora la función de detección de pareja térmica, el horno dejará de calentar y la alarma se encenderá una vez que se rompa o se detecte una falla
  • PE Pro admite la función de reinicio por falla de energía, el horno reanudará el programa de calentamiento del horno cuando entre energía después de una falla

Especificaciones técnicas

Modelo de horno KT-PE12-60
máx. temperatura 1200℃
Temperatura de trabajo constante 1100℃
Material del tubo del horno cuarzo de alta pureza
Diámetro del tubo del horno 60 mm
Longitud de la zona de calentamiento 1x450mm
Material de la cámara Fibra de alúmina de Japón
Elemento de calefacción Bobina de alambre Cr2Al2Mo2
Velocidad de calentamiento 0-20 ℃/minuto
Pareja térmica Construir en tipo K
Controlador de temperatura Controlador PID digital/Controlador PID de pantalla táctil
Precisión del control de temperatura ±1℃
Distancia de deslizamiento 600 mm
Unidad de plasma RF
Potencia de salida 5 -500W ajustable con ± 1% de estabilidad
frecuencia de radiofrecuencia 13,56 MHz ±0,005 % de estabilidad
Poder de reflexión 350 W máx.
Pareo Automático
Ruido <50dB
Enfriamiento Aire acondicionado.
Unidad de control de precisión de gas
Medidor de corriente Medidor de flujo másico MFC
Canales de gas 4 canales
Tasa de flujo MFC1: 0-5 SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100 SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
linealidad ±0,5 % fondo de escala
Repetibilidad ±0,2 % fondo de escala
Tubería y válvula Acero inoxidable
Presión máxima de funcionamiento 0.45MPa
Controlador de medidor de flujo Controlador de perilla digital/controlador de pantalla táctil
Unidad de vacío estándar (Opcional)
Bomba aspiradora Bomba de vacío de paletas rotativas
Caudal de la bomba 4L/S
Puerto de succión de vacío KF25
Indicador de vacio Vacuómetro Pirani/Resistencia de silicio
Presión de vacío nominal 10Pa
Unidad de alto vacío (Opcional)
Bomba aspiradora Bomba rotativa de paletas+bomba molecular
Caudal de la bomba 4L/S+110L/S
Puerto de succión de vacío KF25
Indicador de vacio Vacuómetro compuesto
Presión de vacío nominal 6x10-5Pa
Las especificaciones y configuraciones anteriores se pueden personalizar

Paquete estándar

No. Descripción Cantidad
1 Horno 1
2 tubo de cuarzo 1
3 Brida de vacío 2
4 Bloque térmico de tubo 2
5 Gancho de bloque térmico de tubo 1
6 Guante resistente al calor 1
7 fuente de plasma de radiofrecuencia 1
8 Control preciso de gases 1
9 Unidad de vacío 1
10 Operación manual 1

Configuración opcional

  • En la detección y monitoreo de gases de tubo, como H2, O2, etc.
  • Monitoreo y registro de la temperatura del horno independiente
  • Puerto de comunicación RS 485 para control remoto de PC y exportación de datos
  • Inserte el control de caudal de alimentación de gases, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador
  • Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles fáciles de usar
  • Configuraciones de estaciones de bombeo de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión

Advertencias

¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.

Diseñado para ti

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FAQ

¿Qué Es El Horno CVD?

La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.

El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.

¿Qué Es La Deposición Física De Vapor (PVD)?

La deposición física de vapor (PVD) es una técnica para depositar películas delgadas al vaporizar un material sólido en el vacío y luego depositarlo sobre un sustrato. Los recubrimientos PVD son muy duraderos, resistentes a los arañazos y a la corrosión, lo que los hace ideales para una variedad de aplicaciones, desde células solares hasta semiconductores. PVD también crea películas delgadas que pueden soportar altas temperaturas. Sin embargo, PVD puede ser costoso y el costo varía según el método utilizado. Por ejemplo, la evaporación es un método de PVD de bajo costo, mientras que la pulverización catódica de haz de iones es bastante costosa. La pulverización catódica con magnetrón, por otro lado, es más costosa pero más escalable.

¿Qué Es El Método PECVD?

PECVD (Deposición de vapor químico mejorada con plasma) es un proceso utilizado en la fabricación de semiconductores para depositar películas delgadas en dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas y paneles de visualización. En PECVD, se introduce un precursor en la cámara de reacción en estado gaseoso, y la ayuda de medios reactivos de plasma disocia el precursor a temperaturas mucho más bajas que con CVD. Los sistemas PECVD ofrecen una excelente uniformidad de película, procesamiento a baja temperatura y alto rendimiento. Se utilizan en una amplia gama de aplicaciones y desempeñarán un papel cada vez más importante en la industria de los semiconductores a medida que la demanda de dispositivos electrónicos avanzados siga creciendo.

¿Cómo Funciona El Horno CVD?

El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.

La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.

¿Qué Es RF PECVD?

RF PECVD significa deposición de vapor químico mejorada con plasma de radiofrecuencia, que es una técnica utilizada para preparar películas policristalinas en un sustrato mediante el uso de plasma de descarga luminiscente para influir en el proceso mientras se lleva a cabo la deposición de vapor químico a baja presión. El método RF PECVD está bien establecido para la tecnología estándar de circuitos integrados de silicio, en la que normalmente se utilizan obleas planas como sustratos. Este método es ventajoso debido a la posibilidad de fabricación de película de bajo costo y alta eficiencia de deposición. Los materiales también se pueden depositar como películas de índice de refracción gradual o como una pila de nanopelículas, cada una con diferentes propiedades.

¿Cuáles Son Los Métodos Utilizados Para Depositar Películas Delgadas?

Los dos métodos principales utilizados para depositar películas delgadas son la deposición química de vapor (CVD) y la deposición física de vapor (PVD). CVD implica la introducción de gases reactivos en una cámara, donde reaccionan en la superficie de la oblea para formar una película sólida. PVD no implica reacciones químicas; en cambio, los vapores de los materiales constituyentes se crean dentro de la cámara, que luego se condensan en la superficie de la oblea para formar una película sólida. Los tipos comunes de PVD incluyen la deposición por evaporación y la deposición por pulverización catódica. Los tres tipos de técnicas de deposición por evaporación son la evaporación térmica, la evaporación por haz de electrones y el calentamiento inductivo.

¿Qué Es La Pulverización Catódica Con Magnetrón?

La pulverización catódica con magnetrón es una técnica de recubrimiento basada en plasma que se utiliza para producir películas muy densas con una excelente adherencia, lo que la convierte en un método versátil para crear recubrimientos en materiales que tienen puntos de fusión altos y no se pueden evaporar. Este método genera un plasma confinado magnéticamente cerca de la superficie de un objetivo, donde los iones energéticos con carga positiva chocan con el material del objetivo con carga negativa, lo que hace que los átomos sean expulsados o "pulverizados". Estos átomos expulsados luego se depositan en un sustrato u oblea para crear el recubrimiento deseado.

¿Qué Es Mpcvd?

MPCVD significa Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition y es un proceso de depósito de películas delgadas sobre una superficie. Utiliza una cámara de vacío, un generador de microondas y un sistema de suministro de gas para crear un plasma compuesto por productos químicos reactivos y los catalizadores necesarios. MPCVD se usa mucho en la red ANFF para depositar capas de diamante utilizando metano e hidrógeno para hacer crecer nuevo diamante en un sustrato con semilla de diamante. Es una tecnología prometedora para producir diamantes grandes de alta calidad y bajo costo y se usa ampliamente en la industria de corte de diamantes y semiconductores.

¿Para Qué Se Utiliza PECVD?

PECVD (deposición química de vapor mejorada con plasma) se usa ampliamente en la industria de semiconductores para fabricar circuitos integrados, así como en los campos fotovoltaico, tribológico, óptico y biomédico. Se utiliza para depositar películas delgadas para dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas y paneles de visualización. PECVD puede producir compuestos y películas únicos que no se pueden crear solo con las técnicas comunes de CVD, y películas que demuestran una alta resistencia a los solventes y la corrosión con estabilidad química y térmica. También se utiliza para producir polímeros orgánicos e inorgánicos homogéneos sobre grandes superficies y carbono tipo diamante (DLC) para aplicaciones tribológicas.

¿Qué Gas Se Utiliza En El Proceso De CVD?

Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.

Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.

¿Qué Es Un Equipo De Deposición De Película Delgada?

El equipo de deposición de película delgada se refiere a las herramientas y los métodos utilizados para crear y depositar recubrimientos de película delgada sobre un material de sustrato. Estos recubrimientos pueden estar hechos de varios materiales y tener diferentes características que pueden mejorar o alterar el desempeño del sustrato. La deposición física de vapor (PVD) es una técnica popular que consiste en vaporizar un material sólido en el vacío y luego depositarlo sobre un sustrato. Otros métodos incluyen la evaporación y la pulverización catódica. El equipo de deposición de película delgada se utiliza en la producción de dispositivos optoelectrónicos, implantes médicos y óptica de precisión, entre otros.

PACVD Es PECVD?

Sí, PACVD (deposición química de vapor asistida por plasma) es otro término para PECVD (deposición química de vapor mejorada con plasma). Este proceso utiliza un plasma energético formado en un campo eléctrico para activar la reacción de CVD a temperaturas más bajas que la CVD térmica, lo que lo hace ideal para sustratos o películas depositadas con un presupuesto térmico bajo. Al variar el plasma, se puede agregar un control adicional a las propiedades de la película depositada. La mayoría de los procesos de PECVD se realizan a baja presión para estabilizar el plasma de descarga.

¿Por Qué Pulverizar Con Magnetrón?

Se prefiere la pulverización catódica con magnetrón debido a su capacidad para lograr una alta precisión en el espesor de la película y la densidad de los recubrimientos, superando a los métodos de evaporación. Esta técnica es especialmente adecuada para crear recubrimientos metálicos o aislantes con propiedades ópticas o eléctricas específicas. Además, los sistemas de pulverización catódica con magnetrones se pueden configurar con múltiples fuentes de magnetrones.

¿Qué Es La Máquina Mpcvd?

La máquina MPCVD (deposición química de vapor de plasma por microondas) es un equipo de laboratorio que se utiliza para cultivar películas de diamante de alta calidad. Utiliza un gas que contiene carbono y un plasma de microondas para crear una bola de plasma sobre el sustrato de diamante, que lo calienta a una temperatura específica. La bola de plasma no hace contacto con la pared de la cavidad, lo que hace que el proceso de crecimiento del diamante esté libre de impurezas y mejore la calidad del diamante. El sistema MPCVD consta de una cámara de vacío, un generador de microondas y un sistema de suministro de gas que controla el flujo de gas hacia la cámara.

¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?

Las principales ventajas de PECVD son su capacidad para operar a temperaturas de deposición más bajas, proporcionando una mejor conformidad y cobertura de pasos en superficies irregulares, un control más estricto del proceso de película delgada y altas tasas de deposición. PECVD permite aplicaciones exitosas en situaciones en las que las temperaturas de CVD convencionales podrían dañar el dispositivo o el sustrato que se está recubriendo. Al operar a una temperatura más baja, PECVD crea menos estrés entre las capas de película delgada, lo que permite un rendimiento eléctrico de alta eficiencia y una unión con estándares muy altos.

¿Cuál Es La Ventaja Del Sistema CVD?

  • Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
  • La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
  • Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
  • Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
  • Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
  • La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
  • Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos

¿Qué Es La Tecnología De Deposición De Película Delgada?

La tecnología de deposición de película delgada es el proceso de aplicar una película muy delgada de material, con un grosor que varía desde unos pocos nanómetros hasta 100 micrómetros, sobre la superficie de un sustrato o sobre recubrimientos previamente depositados. Esta tecnología se utiliza en la producción de productos electrónicos modernos, incluidos semiconductores, dispositivos ópticos, paneles solares, CD y unidades de disco. Las dos amplias categorías de deposición de película delgada son la deposición química, donde un cambio químico produce un revestimiento depositado químicamente, y la deposición física de vapor, donde un material se libera de una fuente y se deposita sobre un sustrato mediante procesos mecánicos, electromecánicos o termodinámicos.

¿Cuáles Son Los Materiales Utilizados En La Deposición De Película Delgada?

La deposición de película delgada comúnmente utiliza metales, óxidos y compuestos como materiales, cada uno con sus ventajas y desventajas únicas. Se prefieren los metales por su durabilidad y facilidad de depósito, pero son relativamente caros. Los óxidos son muy duraderos, pueden soportar altas temperaturas y pueden depositarse a bajas temperaturas, pero pueden ser quebradizos y difíciles de manipular. Los compuestos ofrecen resistencia y durabilidad, pueden depositarse a bajas temperaturas y adaptarse para exhibir propiedades específicas.

La selección del material para un recubrimiento de película delgada depende de los requisitos de la aplicación. Los metales son ideales para la conducción térmica y eléctrica, mientras que los óxidos son efectivos para ofrecer protección. Los compuestos se pueden adaptar para satisfacer necesidades específicas. En última instancia, el mejor material para un proyecto en particular dependerá de las necesidades específicas de la aplicación.

¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?

MPCVD tiene varias ventajas sobre otros métodos de producción de diamantes, como mayor pureza, menor consumo de energía y la capacidad de producir diamantes más grandes.

¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?

ALD es un proceso de deposición de película delgada que permite una resolución atómica del espesor de la capa, excelente uniformidad de superficies de alta relación de aspecto y capas sin poros. Esto se logra mediante la formación continua de capas atómicas en una reacción autolimitante. PECVD, por otro lado, implica mezclar el material de origen con uno o más precursores volátiles utilizando un plasma para interactuar químicamente y descomponer el material de origen. Los procesos usan calor con presiones más altas que conducen a una película más reproducible en la que los espesores de la película pueden administrarse por tiempo/energía. Estas películas son más estequiométricas, más densas y pueden producir películas aislantes de mayor calidad.

¿Qué Significa PECVD?

PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.

Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...

¿Cuáles Son Los Métodos Para Lograr Una Deposición óptima De Película Delgada?

Para lograr películas delgadas con propiedades deseables, son esenciales objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de alta calidad. La calidad de estos materiales puede verse influenciada por varios factores, como la pureza, el tamaño del grano y el estado de la superficie.

La pureza de los objetivos de pulverización catódica o los materiales de evaporación juega un papel crucial, ya que las impurezas pueden causar defectos en la película delgada resultante. El tamaño del grano también afecta la calidad de la película delgada, y los granos más grandes conducen a propiedades deficientes de la película. Además, la condición de la superficie es crucial, ya que las superficies ásperas pueden provocar defectos en la película.

Para lograr objetivos de pulverización catódica y materiales de evaporación de la más alta calidad, es crucial seleccionar materiales que posean alta pureza, tamaño de grano pequeño y superficies lisas.

Usos De La Deposición De Película Delgada

Películas delgadas a base de óxido de zinc

Las películas delgadas de ZnO encuentran aplicaciones en varias industrias, como la térmica, óptica, magnética y eléctrica, pero su uso principal es en recubrimientos y dispositivos semiconductores.

Resistencias de película delgada

Las resistencias de película delgada son cruciales para la tecnología moderna y se utilizan en receptores de radio, placas de circuitos, computadoras, dispositivos de radiofrecuencia, monitores, enrutadores inalámbricos, módulos Bluetooth y receptores de teléfonos celulares.

Películas delgadas magnéticas

Las películas delgadas magnéticas se utilizan en electrónica, almacenamiento de datos, identificación por radiofrecuencia, dispositivos de microondas, pantallas, placas de circuitos y optoelectrónica como componentes clave.

Películas finas ópticas

Los recubrimientos ópticos y la optoelectrónica son aplicaciones estándar de películas delgadas ópticas. La epitaxia de haz molecular puede producir dispositivos optoelectrónicos de película delgada (semiconductores), donde las películas epitaxiales se depositan átomo por átomo sobre el sustrato.

Películas finas de polímero

Las películas delgadas de polímero se utilizan en chips de memoria, células solares y dispositivos electrónicos. Las técnicas de deposición química (CVD) ofrecen un control preciso de los recubrimientos de película de polímero, incluida la conformidad y el espesor del recubrimiento.

Baterías de película delgada

Las baterías de película delgada alimentan dispositivos electrónicos, como dispositivos médicos implantables, y la batería de iones de litio ha avanzado significativamente gracias al uso de películas delgadas.

Recubrimientos de película delgada

Los recubrimientos de película delgada mejoran las características químicas y mecánicas de los materiales objetivo en diversas industrias y campos tecnológicos. Los recubrimientos antirreflectantes, los recubrimientos antiultravioleta o antiinfrarrojos, los recubrimientos antirrayas y la polarización de lentes son algunos ejemplos comunes.

Células solares de película delgada

Las células solares de película delgada son esenciales para la industria de la energía solar, ya que permiten la producción de electricidad relativamente barata y limpia. Los sistemas fotovoltaicos y la energía térmica son las dos principales tecnologías aplicables.

¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?

Los diamantes CVD son diamantes reales y no falsos. Se cultivan en un laboratorio a través de un proceso llamado Deposición Química de Vapor (CVD). A diferencia de los diamantes naturales que se extraen de debajo de la superficie terrestre, los diamantes CVD se crean usando tecnología avanzada en laboratorios. Estos diamantes son 100% carbono y son la forma más pura de diamantes conocidos como diamantes Tipo IIa. Tienen las mismas propiedades ópticas, térmicas, físicas y químicas que los diamantes naturales. La única diferencia es que los diamantes CVD se crean en un laboratorio y no se extraen de la tierra.

¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?

La PECVD y la pulverización catódica son técnicas de deposición física de vapor utilizadas para la deposición de películas delgadas. PECVD es un proceso impulsado por gas difusivo que produce películas delgadas de muy alta calidad, mientras que la pulverización catódica es una deposición de línea de visión. PECVD permite una mejor cobertura en superficies irregulares como zanjas, paredes y alta conformidad y puede producir compuestos y películas únicos. Por otro lado, la pulverización catódica es buena para la deposición de capas finas de varios materiales, ideal para crear sistemas de revestimiento multicapa y multigraduado. PECVD se utiliza principalmente en la industria de semiconductores, campos tribológicos, ópticos y biomédicos, mientras que la pulverización catódica se utiliza principalmente para materiales dieléctricos y aplicaciones tribológicas.

¿Cuál Es La Diferencia Entre CVD Y PECVD?

La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.

Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.

Factores Y Parámetros Que Influyen En La Deposición De Películas Delgadas

Tasa de deposición:

La velocidad a la que se produce la película, normalmente medida en espesor dividido por el tiempo, es crucial para seleccionar una tecnología adecuada para la aplicación. Las tasas de deposición moderadas son suficientes para películas delgadas, mientras que las tasas de deposición rápidas son necesarias para películas gruesas. Es importante lograr un equilibrio entre la velocidad y el control preciso del espesor de la película.

Uniformidad:

La consistencia de la película sobre el sustrato se conoce como uniformidad, que generalmente se refiere al espesor de la película, pero también puede relacionarse con otras propiedades, como el índice de refracción. Es importante tener una buena comprensión de la aplicación para evitar la uniformidad de especificación insuficiente o excesiva.

Capacidad de llenado:

La capacidad de relleno o cobertura escalonada se refiere a qué tan bien el proceso de deposición cubre la topografía del sustrato. El método de deposición utilizado (p. ej., CVD, PVD, IBD o ALD) tiene un impacto significativo en la cobertura y el relleno del paso.

Características de la película:

Las características de la película dependen de los requisitos de la aplicación, que pueden categorizarse como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecánicos o químicos. La mayoría de las películas deben cumplir con los requisitos en más de una categoría.

Temperatura de proceso:

Las características de la película se ven significativamente afectadas por la temperatura del proceso, que puede estar limitada por la aplicación.

Daño:

Cada tecnología de deposición tiene el potencial de dañar el material sobre el que se deposita, y las características más pequeñas son más susceptibles al daño del proceso. La contaminación, la radiación ultravioleta y el bombardeo de iones se encuentran entre las posibles fuentes de daño. Es crucial entender las limitaciones de los materiales y herramientas.

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