horno tubular
Horno tubular multizona
Número de artículo : KT-MTF
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- máx. temperatura
- 1700 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1650 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 30 / 40 / 60 / 80 / 100 / 150 / 230 mm
- Longitud de la zona de calentamiento
- 300 / 450 / 600 / 800mm
- Cantidad de zona de calentamiento
- 1-10 zonas
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Para lograr un campo de calentamiento de gradiente de alta temperatura variable y controlado o un campo de calentamiento constante de primera calidad, el horno tubular multizona es la opción ideal para este exigente requisito.
Cada zona de calentamiento del horno tubular multizona se controla de forma independiente, hay un sensor de temperatura para cada zona de calentamiento, por lo que el operador puede establecer una temperatura diferente para cada zona de calentamiento, por lo que se creará un campo térmico de gradiente de alta temperatura, el investigador puede continuar las pruebas y análisis térmicos con mayor eficiencia y sin pérdida de tiempo.
Características
- Diseño único de zona de calefacción individual, garantiza el rendimiento de calefacción para cada zona de calefacción independiente
- Diseño de carcasa de horno doble, flujo de aire forzado entre la carcasa interior y exterior, para mantener una temperatura baja en la superficie del horno
- Control de temperatura programable PID, excelente precisión de control y rendimiento de calefacción estable, admite control remoto y control centralizado
- Brida de vacío de acero inoxidable con varios puertos de adaptación para adaptarse a diferentes configuraciones de estaciones de bomba de vacío, buen sellado y alta presión de vacío
- TFM Pro aplica un controlador de pantalla táctil TFT de 7 pulgadas, configuración de programa más amigable y análisis de datos de historial, se pueden guardar y seleccionar diferentes recetas de programa
Ventaja de seguridad
- El horno de tubo Kindle Tech posee protección contra sobrecorriente y función de alarma de sobretemperatura, el horno apagará la energía automáticamente una vez que se detecte sobrecorriente
- El horno incorpora la función de detección de pareja térmica, el horno dejará de calentar y la alarma se encenderá una vez que se rompa la pareja térmica o se detecte una falla
- TFM Pro admite la función de reinicio por falla de energía, el horno reanudará el programa de calentamiento del horno cuando entre energía después de una falla
Especificaciones técnicas
| Modelo de horno | KT-MTF | KT-MTF Pro |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital | Controlador PID de pantalla táctil |
| Preajuste de programa múltiple | No | Sí |
| Reinicio por falla de energía | No | Sí |
| máx. temperatura | 1700℃ | |
| Temperatura de trabajo constante | 1650℃ | |
| Material del tubo del horno | Cuarzo de alta calidad/alúmina Al2O3 | |
| Diámetro del tubo del horno | 30 / 40 / 60 / 80 / 100 / 150 / 230 mm | |
| Longitud de la zona de calentamiento | 300 / 450 / 600 / 800mm | |
| Cantidad de zona de calentamiento | 1-10 zonas | |
| Solución de sellado al vacío | Brida SS 304 con junta tórica | |
| Presión de vacío nominal | 0,001 Pa/10E5 torr | |
| Presión positiva nominal | 0,02 MPa/150 torr | |
| Material de la cámara | Fibra de alúmina japonesa Al2O3 | |
| Elemento de calefacción | Bobina de alambre Cr2Al2Mo2 | |
| Pareja térmica | Tipo K/S/B | |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ | |
| Uniformidad de temperatura | ±5℃ | |
| Suministro de energía eléctrica | CA 110-220 V, 50/60 HZ | |
| Se pueden personalizar otros tamaños de tubos de alúmina Al2O3 y la longitud de la zona de calentamiento | ||
Paquete estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | tubo de alúmina | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico de tubo | 2 |
| 5 | Gancho de bloque térmico de tubo | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | Operación manual | 1 |
Configuración opcional
- En la detección y monitoreo de gases de tubo, como H2, O2, etc.
- Monitoreo y registro de la temperatura del horno independiente
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto de PC y exportación de datos
- Inserte el control de caudal de alimentación de gases, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador
- Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles fáciles de usar
- Configuraciones de estaciones de bombeo de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
Diseñado para ti
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FAQ
¿Qué Es Un Horno Tubular?
El horno tubular de laboratorio es un horno tubular de alta temperatura de calentamiento externo clásico, también llamado horno de calentamiento de pared caliente.
De acuerdo con las diferentes temperaturas de trabajo, el material del tubo del horno generalmente puede ser tubos de cuarzo transparente, tubos de cerámica de alúmina de alta pureza y tubos de aleación de metal de alta resistencia.
Para cumplir con diferentes propósitos de investigación térmica, el horno tubular se puede diseñar con múltiples zonas de calentamiento, para tener un control flexible del gradiente de temperatura en la cámara de trabajo del tubo; El tubo del horno puede funcionar con un entorno de trabajo de atmósfera controlada o un entorno de trabajo de alto vacío.
¿Qué Es El Horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Cómo Funciona Un Horno Tubular?
Los elementos calefactores del horno tubular se colocan alrededor de la cavidad cilíndrica, el horno solo puede calentar las muestras en la cavidad cilíndrica a través de la radiación térmica indirecta, ya que el tubo del horno puede evitar que el material de la muestra entre en contacto con los elementos calefactores del horno y los materiales de aislamiento, por lo que el horno tubular crea un aislamiento limpio. calentar la cámara y reducir los riesgos de que el material de la muestra se contamine con el horno.
¿Cómo Funciona El Horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Cuál Es La Aplicación Para Horno Tubular?
El horno tubular se utiliza principalmente en metalurgia, vidrio, tratamiento térmico, materiales de ánodo y cátodo de litio, nueva energía, abrasivos y otras industrias, y es un equipo profesional para medir materiales bajo ciertas condiciones de temperatura.
El horno tubular presenta una estructura simple, fácil operación, fácil control y producción continua.
El horno tubular también se aplica ampliamente en los sistemas CVD (deposición química de vapor) y CVD mejorados con plasma.
¿Qué Gas Se Utiliza En El Proceso De CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Cuántos Tipos Diferentes De Hornos Tubulares?
El horno tubular puede funcionar con diferentes funciones mecánicas sin problemas, por lo que hay muchos tipos diferentes de variaciones de horno tubular para diferentes propósitos experimentales, los hornos típicos son los siguientes:
- Horno tubular horizontal
- Horno tubular vertical
- Horno de tubo partido
- Horno de tubo rotatorio
- Horno de tubo basculante
- Horno de tubo deslizante
- Horno tubular de calentamiento y enfriamiento rápido
- Horno tubular de alimentación y descarga continua
¿Cuál Es La Ventaja Del Sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Qué Significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Cuál Es La Diferencia Entre CVD Y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
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