Horno CVD y PECVD
Horno tubular CVD de cámara partida con estación de vacío Máquina CVD
Número de artículo : KT-CTF12
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura máxima
- 1200 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1100 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 60 mm
- Longitud de la zona de calentamiento
- 1x450 mm
- Velocidad de calentamiento
- 0-20 ℃/min
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El horno tubular CVD de cámara dividida con estación de vacío es un equipo de laboratorio versátil y de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de deposición química en fase vapor (CVD). Cuenta con una cámara de horno dividida que permite un fácil acceso a las muestras de reacción y un enfriamiento rápido. El tubo del horno es de cuarzo de alta temperatura y tiene un diámetro de 60 mm. El sistema incluye un caudalímetro másico MFC de 4 canales con gases fuente de CH4, H2, O2 y N2, que proporciona un control preciso de los caudales de gas. La estación de vacío cuenta con una bomba de vacío de paletas rotativas 4L/S, que alcanza una presión de vacío máxima de 10 Pa. Con sus características y capacidades avanzadas, el horno tubular CVD de cámara partida con estación de vacío es una opción ideal para diversas aplicaciones de investigación y desarrollo en ciencia de materiales, procesamiento de semiconductores y otros campos.
Detalle&Piezas
Aplicaciones
El horno CVD de cámara partida con estación de vacío es un equipo versátil y avanzado diseñado para una gran variedad de aplicaciones en los campos de la ciencia de materiales, la fabricación de semiconductores y la investigación y el desarrollo. Esta máquina es especialmente útil para procesos que requieren un control preciso de la temperatura, el flujo de gas y los niveles de vacío, lo que la convierte en una herramienta esencial para la síntesis y el procesamiento de materiales de alta calidad.
- Síntesis de nanomateriales: El horno es ideal para el crecimiento de nanohilos, nanopelículas y otros materiales nanoestructurados, que son cruciales en el desarrollo de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados.
- Recubrimiento al vacío: Se utiliza ampliamente para la deposición de películas finas sobre diversos sustratos, incluidas películas metálicas, películas cerámicas y películas compuestas, que son esenciales para mejorar las propiedades de los materiales en aplicaciones como la óptica y la electrónica.
- Procesamiento de materiales para baterías: El horno es adecuado para el secado y la sinterización de materiales de baterías, que es un paso crítico en la producción de baterías de alto rendimiento.
- Secado y sinterización de materiales: Se utiliza en la sinterización a alta temperatura de cerámica, materiales refractarios y materiales especiales, garantizando la consolidación y densificación de estos materiales.
- Tratamiento térmico en atmósfera y vacío: La configuración vertical del horno tubular permite el temple, recocido y revenido de pequeñas piezas de acero, así como el recubrimiento vertical por CVD, lo que lo convierte en un valioso activo en los procesos metalúrgicos.
- Investigación y desarrollo: Es ampliamente utilizado en universidades, institutos de investigación y empresas industriales y mineras para llevar a cabo experimentos de alta temperatura, sinterización en atmósfera, atmósfera reductora y experimentos CVD/CVI, contribuyendo al avance de la ciencia y tecnología de materiales.
Características
El Horno tubular CVD de cámara partida con máquina CVD de estación de vacío es un sofisticado equipo diseñado para procesos avanzados de deposición química en fase vapor (CVD). Este horno integra tecnología de vanguardia para mejorar la eficiencia y la calidad de la deposición de películas, por lo que es ideal para aplicaciones industriales y de investigación. Estas son las principales características y sus ventajas:
- Alta tasa de deposición de películas: Gracias a la tecnología de resplandor por radiofrecuencia, este horno aumenta significativamente la velocidad de deposición de la película, alcanzando hasta 10Å/S. Esta rápida deposición es crucial para la producción de alto rendimiento y la investigación, ahorrando tiempo y aumentando la productividad.
- Uniformidad de gran superficie: Gracias a la avanzada tecnología de alimentación RF multipunto y a la distribución especializada de la trayectoria del gas, el horno garantiza una uniformidad de la película de hasta el 8%. Esta uniformidad es esencial para crear revestimientos uniformes y de alta calidad en grandes sustratos, mejorando la fiabilidad de los materiales producidos.
- Deposición uniforme: El diseño incorpora conceptos avanzados de la industria de semiconductores, lo que da como resultado una desviación inferior al 2% entre sustratos. Este alto nivel de consistencia es vital para aplicaciones que requieren resultados precisos y repetibles, como en la producción de componentes electrónicos.
- Control estable del proceso: La gran estabilidad del equipo garantiza la continuidad y consistencia del proceso CVD. Esta fiabilidad es fundamental para mantener la integridad del proceso y reducir el riesgo de defectos o fallos durante el funcionamiento.
- Sistema de control inteligente: Patentado por Bonage, el sistema de control integrado incluye un sistema de control de temperatura de alto rendimiento que utiliza un mecanismo de retroalimentación negativa de bucle cerrado. Este sistema, combinado con componentes eléctricos importados de alta calidad, mejora el rendimiento general y la fiabilidad del equipo, haciéndolo prácticamente libre de mantenimiento.
- Aplicaciones versátiles: Adecuado para depositar diversos tipos de películas, incluidas películas metálicas, cerámicas y compuestas, el horno admite procesos de crecimiento continuo y puede ampliarse fácilmente con funciones adicionales como la limpieza y el grabado por plasma. Esta versatilidad lo convierte en un valioso activo para diversas necesidades de investigación y producción.
Principio
El horno tubular CVD de cámara partida con estación de vacío es un horno de vacío de alta temperatura utilizado para procesos de deposición química en fase vapor (CVD). CVD es un proceso en el que una fina película de material se deposita sobre un sustrato por la reacción química de un gas o vapor. El horno tubular CVD de cámara dividida con estación de vacío utiliza una cámara de horno dividida para facilitar el acceso al sustrato durante el proceso CVD. La estación de vacío se utiliza para crear un vacío en la cámara del horno, lo que ayuda a eliminar impurezas y mejorar la calidad de la película depositada.
Ventajas
- Observación intuitiva de la muestra y enfriamiento rápido: La cámara de horno dividida permite la observación directa de las muestras de reacción y un enfriamiento rápido.
- Capacidad de alta temperatura: Temperatura máxima de trabajo de hasta 1200℃ para aplicaciones versátiles.
- Control preciso del gas: El caudalímetro másico MFC de 4 canales con fuentes de CH4, H2, O2 y N2 garantiza un suministro de gas preciso y estable.
- Compatibilidad con vacío: La estación de vacío con una bomba de vacío de paletas rotativas 4L/S alcanza una presión de vacío máxima de hasta 10Pa, lo que permite diversos procesos de vacío.
- Calentamiento y enfriamiento de alta velocidad: El sistema de deslizamiento de la cámara del horno facilita el calentamiento y enfriamiento rápidos para un procesamiento eficiente de las muestras.
- Control avanzado de la temperatura: Control de temperatura programable PID con excelente precisión, control remoto y capacidad de control centralizado.
- Interfaz fácil de usar: El controlador CTF Pro con pantalla táctil TFT de 7 pulgadas ofrece una configuración intuitiva de los programas y análisis de datos.
- Configuración de vacío versátil: La brida de vacío de acero inoxidable con puertos adaptables acomoda diferentes estaciones de bomba de vacío para entornos de vacío personalizados.
- Eficiencia energética: El sistema de refrigeración por agua y el diseño de postflujo de gas minimizan el consumo de energía.
- Amplia aplicabilidad: Adecuado para CVD, difusión y otros tratamientos térmicos bajo vacío y protección atmosférica.
Ventaja de seguridad
- El horno tubular Kindle Tech dispone de protección contra sobrecorriente y función de alarma por sobretemperatura, el horno desconectará la alimentación automáticamente.
- El horno incorpora la función de detección de par térmico, el horno dejará de calentar y la alarma se activará una vez que se detecte una rotura o fallo.
- KT-CTF12 Pro soporta la función de reinicio en caso de fallo de alimentación, el horno reanudará el programa de calentamiento del horno cuando la energía es entrante después de un fallo.
Especificaciones tecnicas
| Modelo de horno | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Temperatura maxima | 1200℃ |
| Temperatura de trabajo constante | 1100℃ |
| Material del tubo del horno | Cuarzo de alta pureza |
| Diámetro del tubo del horno | 60mm |
| Longitud de la zona de calentamiento | 1x450mm |
| Material de la cámara | Fibra de alúmina japonesa |
| Elemento calefactor | Bobina de alambre Cr2Al2Mo2 |
| Velocidad de calentamiento | 0-20℃/min |
| Par térmico | Tipo K incorporado |
| Regulador de temperatura | Controlador PID digital/Controlador PID de pantalla táctil |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ |
| Distancia de deslizamiento | 600mm |
| Unidad de control preciso de gas | |
| Caudalímetro | Caudalímetro másico MFC |
| Canales de gas | 4 canales |
| Caudal | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linealidad | ±0,5% F.S. |
| Repetibilidad | ±0,2% E.F. |
| Tubería y válvula | Acero inoxidable |
| Presión máxima de funcionamiento | 0,45MPa |
| Controlador del caudalímetro | Controlador de perilla digital/Controlador de pantalla táctil |
| Unidad de vacío estándar (opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de vacío rotativa de paletas |
| Caudal de la bomba | 4L/S |
| Boca de aspiración de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro de silicona Pirani/Resistance |
| Presión nominal de vacío | 10Pa |
| Unidad de alto vacío (opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba rotativa de paletas+Bomba molecular |
| Caudal de la bomba | 4L/S+110L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Vacuómetro | Vacuómetro compuesto |
| Presión de vacío nominal | 6x10-5Pa |
| Las especificaciones y configuraciones anteriores pueden personalizarse | |
Paquete estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
|---|---|---|
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | Tubo de cuarzo | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico del tubo | 2 |
| 5 | Tubo bloque térmico gancho | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | Control preciso del gas | 1 |
| 8 | Unidad de vacío | 1 |
| 9 | Manual de instrucciones | 1 |
Configuración opcional
- Detección y monitorización de gases en el tubo, como H2, O2, etc.
- Control y registro independiente de la temperatura del horno
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto por PC y exportación de datos
- Control de caudal de alimentación de gases de inserción, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador
- Controlador de temperatura de pantalla táctil con funciones versátiles y sencillas para el operador
- Configuración de estación de bomba de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué es el horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué es un equipo CVD?
¿Qué es una prensa de laboratorio?
¿Cómo funciona el horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Qué es el método PECVD?
¿Qué hace el equipo CVD?
¿Qué es Mpcvd?
¿Qué es RF PECVD?
¿Cuáles son los métodos utilizados para depositar películas delgadas?
¿Cuál es el propósito de una prensa hidráulica en el laboratorio?
¿Qué gas se utiliza en el proceso de CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Para qué se utiliza PECVD?
¿Cuál es el principio básico de la ECV?
¿Qué es la máquina Mpcvd?
PACVD es PECVD?
¿Qué es un equipo de deposición de película delgada?
¿Cuáles son los diferentes tipos de prensas de laboratorio?
¿Cuál es la ventaja del sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Cuáles son las ventajas de PECVD?
¿Cuáles son los diferentes tipos de método CVD?
¿Cuáles son las ventajas de Mpcvd?
¿Qué es la tecnología de deposición de película delgada?
¿Qué significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Cuál es la diferencia entre ALD y PECVD?
¿Los diamantes CVD son reales o falsos?
¿Cuál es la diferencia entre CVD y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
¿Cuál es la diferencia entre PECVD y pulverización catódica?
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