La principal diferencia entre el sputtering RF y el sputtering DC radica en sus fuentes de energía. El sputtering DC utiliza una corriente continua como fuente de energía, mientras que el sputtering RF utiliza una fuente de corriente alterna (AC). Esta diferencia en las fuentes de energía conduce a varias distinciones entre las dos técnicas de sputtering.
1. Requisitos de tensión: El sputtering de CC suele requerir entre 2.000 y 5.000 voltios, mientras que el sputtering de RF requiere 1.012 voltios o más para alcanzar la misma velocidad de deposición. Esto se debe a que el sputtering DC implica el bombardeo iónico directo del plasma gaseoso por electrones, mientras que el sputtering RF utiliza energía cinética para extraer electrones de las capas externas de los átomos gaseosos. La creación de ondas de radio en el sputtering RF requiere más suministro de energía para lograr el mismo efecto que una corriente de electrones.
2. Presión de la cámara: El sputtering RF puede mantener el plasma gaseoso a una presión de cámara significativamente inferior a 15 mTorr, en comparación con los 100 mTorr necesarios para el sputtering DC. Esta menor presión ayuda a reducir el número de colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo, creando un camino más directo hacia el objetivo de sputtering.
3. Aplicabilidad: El sputtering DC es ampliamente utilizado, eficaz y económico. Es adecuado para procesar grandes cantidades de sustrato. Por otro lado, el sputtering RF funciona tanto para materiales sputtered conductores como no conductores. Es más caro y tiene un menor rendimiento de sputtering, por lo que es más adecuado para sustratos de menor tamaño.
En resumen, las principales diferencias entre el sputtering RF y el sputtering DC residen en sus fuentes de energía, requisitos de voltaje, presiones de cámara y aplicabilidad. El sputtering de RF utiliza una fuente de alimentación de CA, requiere una tensión más alta, funciona a una presión de cámara más baja y es adecuado tanto para materiales conductores como no conductores. El sputtering de CC utiliza una fuente de alimentación de CC, requiere un voltaje más bajo, funciona a una presión de cámara más alta y es más económico para procesar grandes cantidades de sustratos.
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