La corriente de iones de sputtering en un proceso de sputtering viene determinada por la tensión aplicada y el tipo de técnica de sputtering utilizada. En el sputtering por diodos de corriente continua, se aplica una tensión continua de 500 - 1000 V, que enciende un plasma de argón a baja presión entre un blanco y un sustrato. Los iones de argón positivos se aceleran hacia el blanco debido a este voltaje, provocando la expulsión de átomos del blanco y su depósito en el sustrato.
En el sputtering RF se utiliza una corriente alterna con frecuencias en torno a los 14 MHz. Esto permite el sputtering de materiales aislantes, ya que los electrones pueden acelerarse para oscilar con la RF, mientras que los iones más pesados reaccionan sólo a la tensión media generada en el sistema de RF. Los iones se ven afectados por la tensión de polarización propia (VDC) que los acelera hacia el blanco, que se aproxima a la tensión equivalente aplicada durante el sputtering DC.
La corriente de los iones de sputtering está directamente relacionada con la tensión aplicada y el tipo de técnica de sputtering utilizada. En el sputtering por diodos de CC, la corriente viene determinada por la tensión de CC de 500 - 1000 V, mientras que en el sputtering por RF, la corriente viene determinada por la tensión de polarización propia (VCC) que acelera los iones hasta el blanco.
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