El sputtering reactivo es una técnica especializada dentro de la categoría más amplia del sputtering por plasma, diseñada para depositar películas finas de materiales compuestos sobre un sustrato. A diferencia del sputtering estándar, que utiliza un gas inerte para expulsar átomos de un material objetivo directamente sobre un sustrato, el sputtering reactivo introduce un gas reactivo en la cámara de sputtering. Este gas reactivo reacciona químicamente con los átomos pulverizados del material objetivo, formando un nuevo compuesto que se deposita sobre el sustrato.
Mecanismo del sputtering reactivo:
En el sputtering reactivo, el material objetivo, normalmente un metal o semiconductor, se coloca en una cámara de vacío. La cámara se llena con una atmósfera de baja presión de un gas reactivo, como el oxígeno o el nitrógeno, en lugar de estar completamente evacuada como en el sputtering estándar. El gas reactivo se ioniza y se carga positivamente. Cuando se aplica un alto voltaje, los iones de gas cargados positivamente chocan con el material objetivo, provocando la expulsión de átomos del objetivo. Estos átomos expulsados reaccionan entonces con el gas reactivo de la cámara para formar un compuesto, que posteriormente se deposita sobre el sustrato.Reacciones químicas y control:
La reacción química entre los átomos pulverizados y el gas reactivo es crucial para formar la película de compuesto deseada. Por ejemplo, si el silicio es el material objetivo y el oxígeno es el gas reactivo, la reacción forma óxido de silicio, que se deposita a continuación. La composición y las propiedades de la película depositada, como su estequiometría, tensión e índice de refracción, pueden controlarse ajustando las presiones relativas de los gases inerte y reactivo. Este control es esencial para optimizar las propiedades funcionales de la película fina.
Retos y parámetros de control:
El sputtering reactivo se caracteriza por un comportamiento similar a la histéresis, lo que dificulta encontrar las condiciones de funcionamiento ideales. El proceso requiere un control minucioso de varios parámetros, como las presiones parciales de los gases inerte y reactivo, los caudales y la velocidad de erosión del blanco. Modelos como el modelo Berg ayudan a estimar el impacto de la adición del gas reactivo y a optimizar el proceso de deposición.
Aplicaciones y configuración del sistema:
