La principal diferencia entre el depósito químico en fase vapor (CVD) y el depósito físico en fase vapor (PVD) radica en el método de depósito y la naturaleza de las reacciones implicadas. El CVD implica reacciones químicas en la superficie del sustrato para depositar películas finas, mientras que el PVD implica procesos físicos para depositar materiales sin reacciones químicas.
Proceso CVD:
En CVD, uno o más precursores volátiles se introducen en una cámara de reacción junto con el sustrato. Estos precursores reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato, formando una fina capa de recubrimiento. El proceso se denomina deposición química en fase vapor porque se produce una reacción química real en la superficie del sustrato. Este método se utiliza normalmente para depositar películas finas con espesores que oscilan entre unos pocos nanómetros y unos pocos micrómetros. El CVD no es adecuado para depositar películas más gruesas o crear estructuras tridimensionales. Además, algunos procesos de CVD utilizan gases y productos químicos peligrosos, lo que supone riesgos para la salud y la seguridad de los trabajadores.Proceso PVD:
En cambio, el PVD no implica reacciones químicas. Se trata de un proceso físico en el que los materiales se vaporizan al vacío o a baja presión y se depositan sobre el sustrato. Existen varios tipos de métodos PVD, todos ellos con técnicas de revestimiento en seco. La ausencia de reacciones químicas en el PVD es la razón por la que se denomina deposición física en fase vapor. Los métodos PVD también se utilizan para depositar películas finas, pero difieren del CVD en el mecanismo de deposición y en las condiciones en las que se aplican.
Aplicación y elección:
