El proceso de pulverización catódica implica el uso de un plasma para expulsar átomos de un material objetivo, que luego se depositan sobre un sustrato en forma de película fina o revestimiento. Esto se consigue introduciendo un gas controlado, normalmente argón, en una cámara de vacío y energizando eléctricamente un cátodo para crear un plasma. Los átomos de gas se convierten en iones cargados positivamente dentro del plasma y se aceleran hacia el objetivo, desprendiendo átomos o moléculas del material objetivo. Este material pulverizado forma una corriente de vapor que se deposita sobre el sustrato.
Explicación detallada:
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Configuración de la cámara de vacío:
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El proceso comienza en una cámara de vacío, donde la presión se reduce a un nivel muy bajo, normalmente alrededor de 10^-6 torr. Esto crea un entorno en el que el proceso de sputtering puede tener lugar sin interferencias de gases atmosféricos.Introducción del gas de sputtering:
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Se introduce un gas inerte, como el argón, en la cámara de vacío. La elección del argón se debe a su inercia química y a su capacidad para formar un plasma en las condiciones utilizadas en el sputtering.
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Generación de plasma:
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Se aplica una tensión entre dos electrodos de la cámara, uno de los cuales es el cátodo (blanco) fabricado con el material que se va a depositar. Este voltaje genera una descarga luminosa, un tipo de plasma, donde los electrones libres colisionan con los átomos de argón, ionizándolos y creando iones de argón cargados positivamente.Aceleración de iones y erosión del blanco:
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Los iones de argón cargados positivamente son acelerados hacia el cátodo cargado negativamente debido al campo eléctrico. Cuando estos iones colisionan con el blanco, transfieren su energía cinética al material del blanco, provocando la expulsión de átomos o moléculas de la superficie del blanco.
Deposición sobre el sustrato:
