Existen varios tipos de técnicas de sputtering, siendo las más comunes el sputtering por magnetrón de corriente continua (CC) y el sputtering reactivo. Cada técnica tiene características y ventajas únicas.
Magnetrón de corriente continua (CC):
En este método, se utiliza una fuente de alimentación de corriente continua para generar un plasma en un entorno de gas a baja presión. El plasma se crea cerca de un material objetivo, normalmente de metal o cerámica, que se va a pulverizar. El plasma hace que los iones de gas choquen con el objetivo, desprendiendo átomos de la superficie y expulsándolos a la fase gaseosa. El campo magnético producido por el conjunto de imanes ayuda a aumentar la velocidad de pulverización catódica y garantiza una deposición más uniforme del material pulverizado sobre el sustrato. La velocidad de sputtering puede calcularse mediante una fórmula específica que tiene en cuenta factores como la densidad del flujo de iones, el número de átomos del material objetivo por unidad de volumen, el peso atómico del material objetivo, etc.Pulverización catódica reactiva:
Este proceso implica la combinación de un gas no inerte, como el oxígeno, y un material objetivo elemental, como el silicio. El gas reacciona químicamente con los átomos pulverizados dentro de la cámara, generando un nuevo compuesto que sirve como material de recubrimiento en lugar del material objetivo original puro. Esta técnica es especialmente útil para crear compuestos químicos específicos en el proceso de deposición.
En resumen, aunque existen muchas variantes de técnicas de pulverización catódica, los tipos principales que se tratan aquí son la pulverización catódica con magnetrón de corriente continua y la pulverización catódica reactiva. Cada método se adapta a aplicaciones y materiales específicos, ofreciendo un control preciso del proceso de deposición para diversos fines industriales y científicos.
