El PECVD (Depósito químico en fase vapor mejorado con plasma) es superior al CVD (Depósito químico en fase vapor) convencional debido principalmente a sus menores temperaturas de depósito, mejor cobertura de los pasos en superficies irregulares, mayor control sobre los procesos de película fina y mayores velocidades de depósito.
Temperaturas de deposición más bajas:
El PECVD funciona a temperaturas significativamente más bajas que el CVD convencional, normalmente entre temperatura ambiente y 350°C, mientras que los procesos de CVD suelen requerir temperaturas entre 600°C y 800°C. Esta operación a temperaturas más bajas es crucial para evitar daños térmicos en el sustrato o el dispositivo que se recubre, especialmente en aplicaciones en las que el material del sustrato no puede soportar altas temperaturas. La menor tensión térmica también minimiza el riesgo de delaminación u otros fallos estructurales debidos a diferencias en los coeficientes de expansión/contracción térmica entre la película y el sustrato.Cobertura escalonada mejorada en superficies irregulares:
El CVD se basa en la difusión de gas, lo que inherentemente proporciona una mejor cobertura en superficies complejas o irregulares. Sin embargo, el PECVD va un paso más allá al utilizar plasma, que puede rodear el sustrato y garantizar una deposición uniforme incluso en zonas que no son directamente visibles o accesibles. Esto es especialmente importante en microelectrónica, donde las características pueden ser muy finas e irregulares, lo que requiere un recubrimiento preciso y uniforme.
Control más estricto de los procesos de capa fina:
El uso de plasma en PECVD permite un ajuste preciso de varios parámetros para controlar las propiedades de las películas depositadas. Esto incluye ajustes de la densidad, dureza, pureza, rugosidad e índice de refracción de la película. Este control preciso es crucial para lograr las características de rendimiento deseadas en aplicaciones que van desde los semiconductores hasta los revestimientos ópticos.
Mayores velocidades de deposición:
