Comprender las diferencias entre el depósito físico en fase vapor (PVD) y el depósito químico en fase vapor (CVD) es crucial para cualquiera que se dedique a los procesos de deposición de películas finas.
5 puntos clave que hay que comprender
1. Método de creación de vapor
En el PVD, el vapor se crea por medios físicos como el calentamiento o el sputtering.
El CVD implica reacciones químicas de precursores gaseosos sobre la superficie del sustrato para formar una película fina.
2. Naturaleza del proceso de deposición
El PVD consiste en la ionización de moléculas de gas, que se disocian en átomos y se condensan para formar una película fina.
El CVD consiste en la introducción de un gas en una cámara de reacción donde reacciona químicamente con un material sólido para crear una película fina.
3. Aspectos clave de cada proceso
El aspecto clave del PVD es que la formación de vapor y la deposición son procesos puramente físicos, sin reacciones químicas.
La característica crítica del CVD es la reacción química que se produce en la superficie del sustrato, que conduce a la formación de la película.
4. Idoneidad para aplicaciones específicas
El CVD se utiliza normalmente para películas finas de unos pocos nanómetros a unos pocos micrómetros y no es adecuado para películas más gruesas o estructuras tridimensionales.
El PVD puede ser más versátil dependiendo de la técnica específica utilizada.
5. Técnicas de PVD y CVD
Dentro de la PVD, las técnicas incluyen la evaporación por pistola electrónica, la evaporación por arco catódico, el sputtering y la epitaxia por haz molecular.
Las técnicas de CVD incluyen el CVD térmico (convencional) y el activado por plasma (PECVD).
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