El sputtering por RF es una técnica utilizada en la deposición de películas finas, en particular para materiales aislantes, mediante la aplicación de una radiofrecuencia (RF) a un material objetivo en un entorno de vacío. Este método ayuda a evitar la acumulación de carga en el material objetivo, que puede provocar la formación de arcos y otros problemas de control de calidad en el proceso de sputtering.
Mecanismo del sputtering por RF:
El sputtering por RF funciona suministrando potencia a radiofrecuencias, normalmente 13,56 MHz, junto con una red de adaptación. El potencial eléctrico alterno de la RF ayuda a "limpiar" la superficie del material objetivo de cualquier acumulación de carga. Durante el ciclo positivo de la RF, los electrones son atraídos hacia el blanco, dándole una polarización negativa. En el ciclo negativo, continúa el bombardeo iónico del blanco, facilitando el proceso de sputtering.
- Ventajas del sputtering por RF:Reducción de la acumulación de carga:
- Al utilizar RF, la técnica reduce significativamente la acumulación de cargas en la superficie del material objetivo, lo cual es crucial para mantener la integridad del proceso de sputtering.Minimización de la "erosión de la pista de carreras":
El sputtering RF también ayuda a reducir la formación de "erosión de pista de carrera" en la superficie del material objetivo, un problema común en otras técnicas de sputtering.Detalles técnicos:
En el sputtering por RF se aplica un campo alterno de alta frecuencia en lugar de un campo eléctrico de corriente continua. Este campo está conectado en serie con un condensador y el plasma, y el condensador sirve para separar el componente de CC y mantener la neutralidad del plasma. El campo alterno acelera tanto iones como electrones en ambas direcciones. A frecuencias superiores a 50 kHz aproximadamente, los iones ya no pueden seguir el campo alterno debido a su menor relación carga-masa, lo que conduce a una mayor densidad del plasma y a presiones de operación más bajas (alrededor de 10^-1 a 10^-2 Pa), que pueden alterar la microestructura de las películas delgadas depositadas.
Resumen del proceso:
