La evaporación por haz de electrones, una forma de deposición física en fase vapor (PVD), utiliza un haz concentrado de electrones de alta energía para calentar y evaporar materiales básicos, lo que permite la deposición de revestimientos finos de gran pureza sobre sustratos. Este proceso es distinto del sputtering, que utiliza iones energéticos para expulsar material de un objetivo.
Mecanismo de evaporación por haz de electrones:
En este proceso, un campo eléctrico de alto voltaje (normalmente hasta 10 kV) acelera los electrones emitidos por un filamento de tungsteno calentado. Estos electrones adquieren una gran energía cinética y un campo magnético los concentra en un haz. El haz se dirige hacia un crisol que contiene el material que debe evaporarse. Tras el impacto, la energía cinética de los electrones se convierte en energía térmica, que calienta el material hasta su punto de evaporación.
- Detalles del proceso:Emisión de electrones:
- Se hace pasar corriente a través de un filamento de tungsteno, lo que provoca un calentamiento por julios y la emisión de electrones.Formación y aceleración del haz:
- Se aplica un alto voltaje entre el filamento y el crisol, acelerando los electrones emitidos. Un campo magnético concentra estos electrones en un haz unificado.Evaporación del material:
- El haz de electrones golpea el material en el crisol, transfiriendo energía y provocando la evaporación o sublimación del material.Deposición:
El material evaporado viaja a través de la cámara de vacío y se deposita sobre un sustrato situado por encima de la fuente. El resultado es una fina película, normalmente de entre 5 y 250 nanómetros de espesor, que puede alterar las propiedades del sustrato sin afectar significativamente a sus dimensiones.Ventajas y aplicaciones:
La evaporación por haz de electrones es especialmente eficaz para producir revestimientos densos y de gran pureza. Es versátil, capaz de depositar una amplia gama de materiales, incluidos metales, semiconductores y algunos dieléctricos. El proceso también puede adaptarse para la deposición reactiva introduciendo en la cámara una presión parcial de gases reactivos como el oxígeno o el nitrógeno, lo que permite la formación de películas no metálicas.
Conclusiones:
