El sputtering por RF es una técnica utilizada para crear películas finas, principalmente en las industrias informática y de semiconductores.
Consiste en utilizar energía de radiofrecuencia (RF) para ionizar un gas inerte.
De este modo se crean iones positivos que golpean el material objetivo y lo convierten en una fina pulverización que recubre el sustrato.
Este proceso difiere del sputtering de corriente continua (CC) en varios aspectos clave.
¿Qué es el sputtering RF y DC? Explicación de 4 diferencias clave
1. 1. Requisitos de tensión
El sputtering de RF requiere una tensión más alta (1.012 voltios o más) que el sputtering de CC, que suele funcionar entre 2.000 y 5.000 voltios.
Este mayor voltaje es necesario porque el sputtering RF utiliza energía cinética para extraer electrones de los átomos de gas.
En cambio, el sputtering DC implica el bombardeo directo de iones por electrones.
2. Presión del sistema
El sputtering RF funciona a una presión de cámara más baja (inferior a 15 mTorr) que el sputtering DC (100 mTorr).
Esta menor presión reduce las colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo.
Esto mejora la eficiencia del proceso de sputtering.
3. Patrón de deposición y material objetivo
El sputtering RF es especialmente adecuado para materiales dieléctricos o no conductores.
En el sputtering de corriente continua, estos materiales acumularían carga y repelerían el bombardeo de iones, lo que podría detener el proceso.
La corriente alterna (CA) del sputtering de RF ayuda a neutralizar la acumulación de carga en el objetivo.
Esto permite el sputtering continuo de materiales no conductores.
4. Frecuencia y funcionamiento
El sputtering RF utiliza una frecuencia de 1 MHz o superior.
Esta frecuencia es necesaria para descargar eléctricamente el blanco durante el sputtering.
Permite un uso eficaz de la corriente alterna.
En un semiciclo, los electrones neutralizan los iones positivos de la superficie del blanco.
En el otro medio ciclo, los átomos del blanco pulverizados se depositan sobre el sustrato.
En resumen, el sputtering RF es un método versátil y eficaz para depositar películas finas, especialmente sobre materiales no conductores.
Utiliza voltajes más altos, presiones de sistema más bajas y corriente alterna para gestionar los procesos de ionización y deposición de forma más eficaz que el sputtering DC.
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