La principal diferencia entre el sputtering por radiofrecuencia (RF) y el sputtering por corriente continua (DC) radica en el tipo de fuente de alimentación utilizada, los requisitos de tensión, la presión de la cámara y el tratamiento de la acumulación de carga en el material objetivo. El sputtering de RF utiliza una fuente de alimentación de CA (corriente alterna) que alterna el potencial eléctrico a radiofrecuencias, lo que ayuda a evitar la acumulación de carga en el blanco. Por el contrario, el sputtering DC utiliza una fuente de alimentación de corriente continua, que puede provocar la acumulación de carga en el blanco, especialmente con materiales aislantes.
Requisitos de tensión y potencia:
El sputtering de CC suele requerir una tensión de entre 2.000 y 5.000 voltios, mientras que el sputtering de RF requiere una tensión superior, de 1.012 voltios o más. Esta diferencia se debe a los mecanismos por los que se ioniza el plasma de gas. En el sputtering DC, la ionización se consigue mediante el bombardeo directo de iones por electrones, mientras que en el sputtering RF se utiliza energía cinética para extraer electrones de las capas exteriores de los átomos de gas, lo que requiere una fuente de alimentación más alta para conseguir la misma velocidad de deposición.Presión de la cámara:
El sputtering de RF puede funcionar a una presión de cámara significativamente menor, a menudo inferior a 15 mTorr, en comparación con los 100 mTorr que suele requerir el sputtering de CC. Esta menor presión en el sputtering RF reduce el número de colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo, proporcionando una vía más directa para que las partículas sputtered alcancen el sustrato. Esto puede conducir a una deposición más eficiente y uniforme de la película fina.
Manejo de la acumulación de carga:
Una de las ventajas significativas del sputtering RF sobre el sputtering DC es su capacidad para manejar la acumulación de carga en el blanco. En el sputtering DC, el flujo continuo de corriente en una dirección puede provocar una acumulación de carga en el blanco, lo que resulta especialmente problemático en el caso de materiales aislantes. El sputtering RF, al alternar la corriente, neutraliza eficazmente esta acumulación de carga, garantizando un proceso de sputtering más estable y eficaz.
Material blanco ideal:
