El PECVD (depósito químico en fase vapor mejorado por plasma) es una técnica versátil que se utiliza para depositar una amplia gama de materiales, como óxido de silicio, dióxido de silicio, nitruro de silicio, carburo de silicio, carbono diamante (DLC) y silicio amorfo. Este método es especialmente atractivo por su capacidad de producir películas estequiométricas muy uniformes con poca tensión a temperaturas inferiores a 400°C.
Películas a base de silicio:
El PECVD se utiliza ampliamente para depositar películas basadas en silicio, como óxido de silicio, dióxido de silicio y nitruro de silicio. Estos materiales son cruciales en la industria de los semiconductores, donde sirven como encapsulantes, capas de pasivación, máscaras duras y aislantes. La baja temperatura de deposición (100°C - 400°C) del PECVD es beneficiosa para los dispositivos sensibles a la temperatura, ya que permite la formación de estas películas sin dañar el sustrato subyacente.Películas basadas en carbono:
El carbono tipo diamante (DLC) y otras películas basadas en el carbono también se depositan mediante PECVD. Estos materiales son conocidos por sus excelentes propiedades mecánicas y eléctricas, lo que los hace adecuados para aplicaciones en revestimientos resistentes al desgaste, revestimientos ópticos y como capas protectoras en diversos dispositivos electrónicos.
Otros materiales:
La tecnología PECVD ha evolucionado para incluir la deposición de otros materiales como metales, óxidos, nitruros y boruros. Estos materiales se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, desde dispositivos MEMS hasta sintonización de filtros de RF y como capas de sacrificio. La capacidad del PECVD para manipular moléculas inorgánicas y orgánicas amplía su aplicabilidad en diferentes sectores.
Avances tecnológicos:
