Los dos métodos principales de deposición son la deposición física en fase vapor (PVD) y la deposición química en fase vapor (CVD).
1. Deposición física de vapor (PVD): En el PVD, se crea un vapor calentando o pulverizando un material sólido y el vapor se condensa sobre un sustrato para formar una película fina. El vapor está formado por átomos y moléculas que simplemente se condensan en el sustrato sin sufrir ninguna reacción química. Los métodos de PVD incluyen la evaporación y la pulverización.
2. 2. Deposición química en fase vapor (CVD): En el CVD, un vapor se somete a una reacción química en la superficie del sustrato para formar una película fina. La reacción suele iniciarse haciendo reaccionar un fluido precursor con el sustrato. Los métodos de CVD incluyen la deposición por baño químico, la galvanoplastia, la epitaxia por haz molecular, la oxidación térmica y la CVD mejorada por plasma (PECVD).
Tanto el PVD como el CVD se utilizan para crear películas finas de distintos materiales sobre diversos sustratos. La elección entre ambos métodos depende de factores como el coste, el grosor de la película, la disponibilidad del material de partida y el control de la composición. El PVD es adecuado para situaciones en las que basta con una simple condensación de átomos o moléculas, mientras que el CVD es preferible cuando se requiere una reacción química para formar la película fina deseada.
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