La pulverización catódica es una técnica de deposición al vacío utilizada para depositar películas finas de materiales sobre superficies. Consiste en crear un plasma gaseoso en una cámara de vacío que acelera los iones en un material fuente, lo que hace que los átomos se desprendan y se depositen en un sustrato. La principal diferencia entre el sputtering de CC (corriente continua) y el de RF (radiofrecuencia) radica en la fuente de energía y en la capacidad de manipular materiales aislantes.
Pulverización catódica de corriente continua:
El sputtering DC utiliza una fuente de alimentación de corriente continua, que no es ideal para materiales aislantes, ya que pueden acumular carga e interrumpir el proceso de sputtering. Este método requiere una cuidadosa regulación de los factores del proceso, como la presión del gas, la distancia entre el blanco y el sustrato y el voltaje, para obtener resultados óptimos. El sputtering DC suele funcionar a presiones de cámara más elevadas (en torno a 100 mTorr) y requiere tensiones de entre 2.000 y 5.000 voltios.Pulverización catódica por RF:
El sputtering RF, por su parte, utiliza una fuente de alimentación de corriente alterna, que evita la acumulación de carga en el blanco, lo que lo hace adecuado para el sputtering de materiales aislantes. Esta técnica puede mantener el plasma gaseoso a presiones de cámara mucho más bajas (inferiores a 15 mTorr), lo que reduce las colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo. El sputtering RF requiere tensiones más elevadas (1.012 voltios o más) debido al uso de energía cinética para extraer electrones de los átomos de gas, creando ondas de radio que ionizan el gas. La aplicación de una corriente alternativa a frecuencias de 1MHz o superiores ayuda a descargar eléctricamente el blanco durante el sputtering, de forma similar al flujo de corriente a través de medios dieléctricos de condensadores en serie.
