La velocidad de deposición de la evaporación por haz de electrones es un factor crucial para la eficacia del proceso.
Esta velocidad puede variar significativamente, oscilando entre 0,1 nm por minuto y 100 nm por minuto.
La elevada velocidad de deposición se debe principalmente a la transferencia directa de energía del haz de electrones al material objetivo.
Este método es especialmente eficaz para metales con puntos de fusión elevados.
El proceso consiste en utilizar un haz de electrones focalizado para calentar y evaporar metales.
La temperatura de los electrones durante este proceso suele rondar los 3000 °C.
Se utiliza una fuente de tensión continua de 100 kV para acelerar los electrones hacia el material objetivo.
Este calentamiento localizado en el lugar de bombardeo del haz en la superficie de la fuente garantiza una contaminación mínima.
Cuando los electrones calentados golpean el material de la fuente, su energía cinética se convierte en energía térmica.
Esta energía térmica calienta la superficie de la fuente, dando lugar a la producción de vapor.
Cuando la temperatura es lo suficientemente alta, se produce vapor que recubre la superficie del sustrato.
El proceso es muy controlable y repetible.
También es compatible con el uso de una fuente de iones para mejorar las características de rendimiento de las películas finas.
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