Cuando se trata de técnicas de deposición de películas finas, el bombardeo por haz de iones y el bombardeo por magnetrón son dos métodos populares.
Explicación de 4 diferencias clave
1. Presencia de plasma
Pulverización catódica por haz de iones:
- El bombardeo por haz de iones no implica la presencia de plasma entre el sustrato y el blanco.
- Esta ausencia de plasma lo hace adecuado para depositar materiales en sustratos sensibles sin riesgo de daños por plasma.
Pulverización catódica por magnetrón:
- Los sistemas de sputtering por magnetrón tienen un plasma más denso debido a una mayor eficiencia de ionización.
- Este plasma más denso aumenta el bombardeo iónico del blanco, lo que resulta en mayores tasas de sputtering y deposición.
2. Inclusión del gas de sputtering
Pulverización con haz de iones:
- La falta de plasma suele dar lugar a una menor inclusión de gas de sputtering en el depósito.
- Esto da lugar a revestimientos más puros.
Sputtering por magnetrón:
- El plasma más denso puede dar lugar a veces a una mayor inclusión de gas de pulverización catódica.
- Sin embargo, esto suele controlarse para garantizar la pureza de los revestimientos.
3. Versatilidad en el uso de blancos y sustratos
Sputtering por haz de iones:
- En el bombardeo por haz de iones convencional, no hay polarización entre el sustrato y el blanco.
- Esto permite el uso de cátodos y sustratos conductores y no conductores, ampliando su aplicabilidad.
Pulverización catódica por magnetrón:
- El sputtering por magnetrón puede configurarse de dos formas principales: Sputtering de magnetrón equilibrado (BM) y sputtering de magnetrón no equilibrado (UBM).
- Cada configuración ofrece diferentes distribuciones de plasma, lo que afecta a la uniformidad y a la velocidad de deposición.
4. Control independiente de los parámetros
Sputtering por haz de iones:
- El bombardeo por haz de iones ofrece la ventaja única de controlar independientemente la energía, el flujo, las especies y el ángulo de incidencia de los iones en una amplia gama.
- Esto proporciona un control preciso del proceso de deposición.
Pulverización catódica por magnetrón:
- El sputtering por magnetrón funciona a presiones de cámara más bajas (10^-3 mbar en comparación con 10^-2 mbar) y tensiones de polarización más bajas (~ -500 V en comparación con -2 a -3 kV).
- Esto puede resultar ventajoso para determinadas aplicaciones.
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