La velocidad de PECVD (deposición química en fase vapor mejorada por plasma) es notablemente alta, con tasas de deposición que van de 1 a 10 nm/s o más, significativamente más rápidas que las técnicas tradicionales basadas en vacío como PVD (deposición física en fase vapor). Por ejemplo, la velocidad de deposición del nitruro de silicio (Si3N4) mediante PECVD a 400°C es de 130Å/s, frente a los 48Å/min del LPCVD (deposición química en fase vapor a baja presión) a 800°C, que es aproximadamente 160 veces más lento.
El PECVD alcanza estas altas velocidades de deposición utilizando plasma para proporcionar la energía necesaria para que se produzcan las reacciones químicas, en lugar de depender únicamente del calentamiento del sustrato. Esta activación por plasma de los gases precursores en la cámara de vacío favorece la formación de películas finas a temperaturas más bajas, que normalmente oscilan entre la temperatura ambiente y unos 350°C. El uso de plasma en PECVD no sólo acelera el proceso de deposición, sino que también permite el recubrimiento de sustratos a temperaturas más bajas, lo que resulta beneficioso para materiales que no pueden soportar altas tensiones térmicas.
Las altas velocidades de deposición del PECVD lo convierten en la opción preferida para aplicaciones que requieren una deposición rápida y eficiente de películas finas, especialmente cuando se trata de materiales sensibles a las altas temperaturas o cuando son necesarios ciclos de producción rápidos. Esta eficiencia en la deposición es un factor clave en la fiabilidad y rentabilidad de la PECVD como tecnología de fabricación.
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