El depósito químico en fase vapor mejorado por plasma (PECVD) es conocido por su gran velocidad.
Las velocidades de deposición de PECVD oscilan entre 1 y 10 nm/s o más.
Esto es mucho más rápido que las técnicas tradicionales basadas en el vacío, como el depósito físico en fase vapor (PVD).
Por ejemplo, la velocidad de deposición del nitruro de silicio (Si3N4) mediante PECVD a 400°C es de 130Å/seg.
En comparación, el depósito químico en fase vapor a baja presión (LPCVD) a 800 °C tiene una velocidad de depósito de 48Å/min, lo que es aproximadamente 160 veces más lento.
5 Aspectos clave
1. 1. Activación por plasma para altas velocidades de deposición
El PECVD consigue altas velocidades de deposición utilizando plasma para proporcionar la energía necesaria para las reacciones químicas.
Esta activación por plasma de los gases precursores en la cámara de vacío promueve la formación de películas delgadas a temperaturas más bajas.
2. Deposición a baja temperatura
El uso de plasma en PECVD permite el recubrimiento de sustratos a temperaturas más bajas, que normalmente oscilan entre la temperatura ambiente y unos 350°C.
Esto es beneficioso para materiales que no pueden soportar altas tensiones térmicas.
3. Eficacia en la deposición de películas finas
Las altas velocidades de deposición del PECVD lo convierten en la opción preferida para aplicaciones que requieren una deposición rápida y eficiente de películas finas.
Esta eficiencia es especialmente importante cuando se trata de materiales sensibles a las altas temperaturas o cuando son necesarios ciclos de producción rápidos.
4. Fiabilidad y rentabilidad
La eficiencia en la deposición es un factor clave en la fiabilidad y rentabilidad de la PECVD como tecnología de fabricación.
5. Aplicaciones en diversas industrias
PECVD se utiliza ampliamente en industrias en las que la deposición rápida y eficaz de películas finas es crucial.
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