Conocimiento ¿Qué materiales se depositan en PECVD? (Explicación de los 4 materiales clave)
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Actualizado hace 2 meses

¿Qué materiales se depositan en PECVD? (Explicación de los 4 materiales clave)

PECVD, o deposición química en fase vapor mejorada con plasma, es una técnica de deposición a baja temperatura que utiliza plasma para mejorar el proceso de deposición. Este método es capaz de depositar una amplia gama de materiales, lo que lo convierte en una herramienta versátil en diversas industrias.

¿Qué materiales se depositan en PECVD? (Explicación de 4 materiales clave)

¿Qué materiales se depositan en PECVD? (Explicación de los 4 materiales clave)

1. Películas a base de silicio

  • Polisilicio: Este material se utiliza ampliamente en dispositivos semiconductores. El polisilicio se deposita mediante PECVD a bajas temperaturas, lo que resulta esencial para preservar la integridad del sustrato.
  • Óxido de silicio y nitruro de silicio: Estos materiales se utilizan habitualmente como aislantes y capas de pasivación en dispositivos microelectrónicos. El PECVD permite su deposición a temperaturas inferiores a 400°C, lo que resulta beneficioso para sustratos sensibles a la temperatura.

2. Carbono tipo diamante (DLC)

  • El DLC es una forma de carbono amorfo conocida por su gran dureza. Se utiliza en aplicaciones que requieren alta resistencia al desgaste y baja fricción. PECVD es eficaz en el depósito de DLC debido a su capacidad para manejar químicas complejas a bajas temperaturas.

3. Compuestos metálicos

  • Óxidos, nitruros y boruros: Estos materiales se utilizan en diversas aplicaciones, como revestimientos duros, aislantes eléctricos y barreras de difusión. La capacidad del PECVD para depositar estos materiales a bajas temperaturas lo hace adecuado para una amplia gama de sustratos.

4. Aplicaciones

  • Las películas PECVD desempeñan un papel crucial en muchos dispositivos, sirviendo como encapsulantes, capas de pasivación, máscaras duras y aislantes. También se utilizan en revestimientos ópticos, sintonización de filtros de RF y como capas de sacrificio en dispositivos MEMS.

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