Los materiales depositados en PECVD incluyen una variedad de elementos y compuestos, como carbono en forma de diamante y películas similares al diamante, metales, óxidos, nitruros y boruros. Las películas depositadas habitualmente son polisilicio, óxidos dopados y no dopados, y nitruros.
Resumen:
La PECVD es una técnica de deposición a baja temperatura que utiliza plasma para mejorar el proceso de deposición. Es capaz de depositar una amplia gama de materiales, incluyendo películas basadas en silicio, carbono tipo diamante y diversos compuestos metálicos.
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Explicación detallada:
- Películas de silicio:Polisilicio:
- Utilizado en dispositivos semiconductores, el polisilicio se deposita mediante PECVD a bajas temperaturas, lo que resulta crucial para mantener la integridad del sustrato.Óxido de silicio y nitruro de silicio:
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Estos materiales se utilizan habitualmente como aislantes y capas de pasivación en dispositivos microelectrónicos. El PECVD permite su deposición a temperaturas inferiores a 400 °C, lo que resulta beneficioso para los sustratos sensibles a la temperatura.
- Carbono tipo diamante (DLC):
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El DLC es una forma de carbono amorfo con una dureza significativa y se utiliza en aplicaciones que requieren alta resistencia al desgaste y baja fricción. El PECVD es eficaz para depositar DLC debido a su capacidad para manejar productos químicos complejos a bajas temperaturas.
- Compuestos metálicos:Óxidos, nitruros y boruros:
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Estos materiales se utilizan en diversas aplicaciones, como revestimientos duros, aislantes eléctricos y barreras de difusión. La capacidad del PECVD para depositar estos materiales a bajas temperaturas lo hace adecuado para una amplia gama de sustratos.
- Aplicaciones:
Las películas PECVD forman parte integral de muchos dispositivos, sirviendo como encapsulantes, capas de pasivación, máscaras duras y aislantes. También se utilizan en revestimientos ópticos, sintonización de filtros de RF y como capas de sacrificio en dispositivos MEMS.Corrección y revisión:
