La deposición térmica de vapor químico (TCVD) es un método utilizado para el crecimiento de películas finas.
Utiliza altas temperaturas para activar reacciones químicas.
Este proceso consiste en depositar una película sólida sobre una superficie calentada debido a reacciones químicas en la fase de vapor.
El TCVD incluye varias tecnologías como la deposición de vapor químico orgánico metálico, la deposición de vapor químico de cloruro y la deposición de vapor químico de hidruro.
¿En qué consiste el proceso de deposición química térmica en fase vapor? (Explicación de 4 métodos clave)
1. Método de transporte químico
En este método, el material para la película fina reacciona con otra sustancia en la zona de origen para producir un gas.
A continuación, este gas se transporta a la zona de crecimiento, donde se somete a una reacción térmica para formar el material deseado.
La reacción directa se produce durante el proceso de transporte, y la reacción inversa ocurre durante el proceso de crecimiento del cristal.
2. Método de pirólisis
Consiste en transportar sustancias volátiles que contienen los elementos de la película a la zona de crecimiento.
Genera las sustancias necesarias mediante reacciones de descomposición térmica.
La temperatura de crecimiento de este método suele oscilar entre 1000 y 1050 grados Celsius.
Pasos generales del TCVD
Evaporación de un compuesto volátil
Primero se evapora la sustancia que se va a depositar, convirtiéndola en vapor.
Descomposición térmica o reacción química
El vapor sufre una descomposición térmica en átomos y moléculas, o reacciona con otros vapores, líquidos o gases en el sustrato.
Deposición de productos de reacción no volátiles
Los productos no volátiles de la reacción se depositan sobre el sustrato.
Condiciones del proceso
Este proceso requiere normalmente presiones que van desde unos pocos torr hasta por encima de la presión atmosférica.
También requiere temperaturas relativamente altas, en torno a los 1000°C.
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