La principal diferencia entre los procesos CVD (deposición química en fase vapor) y PVD (deposición física en fase vapor) radica en el estado del material de revestimiento y el mecanismo de deposición utilizado.
En el CVD, el material de revestimiento se encuentra en estado gaseoso y se produce una reacción química en la superficie del sustrato. Esta reacción química distingue al CVD de los procesos PVD, que normalmente no implican reacciones químicas. La deposición del revestimiento CVD se produce en estado gaseoso fluido, lo que da lugar a una deposición difusa y multidireccional. Esto significa que el revestimiento puede aplicarse de manera más uniforme sobre superficies irregulares.
Por otro lado, el PVD consiste en vaporizar partículas físicas sólidas en un plasma, lo que supone una deposición en línea recta. El material de revestimiento en PVD está en forma sólida y se convierte en gas antes de condensarse en la superficie del sustrato. Los procesos PVD no implican reacciones químicas como el CVD.
Otra diferencia es que los procesos CVD tienden a consumir más recursos en comparación con los procesos PVD, como demuestran los estudios sobre el consumo de energía y los flujos de material en los procesos de revestimiento duro. Este mayor consumo en CVD se debe a los pasos adicionales que intervienen en la reacción química y al estado gaseoso fluido del material de recubrimiento.
En cuanto a los resultados del revestimiento, el PVD puede dar malos resultados en los laterales y la parte posterior del sustrato revestido, mientras que la tecnología CVD produce revestimientos finos más uniformes en superficies irregulares.
Tanto el proceso CVD como el PVD se utilizan para crear películas finas sobre un material de sustrato, pero las técnicas y mecanismos específicos utilizados los diferencian. La elección entre CVD y PVD depende de factores como el coste, la facilidad de uso y los resultados de recubrimiento deseados para una aplicación concreta.
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