La principal diferencia entre el sputtering por magnetrón DC y RF radica en el tipo de voltaje aplicado al blanco y su aplicabilidad a distintos tipos de materiales.
Sputtering por magnetrón de CC:
En el sputtering por magnetrón de corriente continua, se aplica un voltaje de corriente continua constante al blanco. Este método es adecuado para materiales conductores, ya que implica el bombardeo iónico directo del plasma gaseoso por electrones. El proceso funciona normalmente a presiones más altas, que pueden ser difíciles de mantener. La tensión necesaria para el sputtering DC oscila entre 2.000 y 5.000 voltios.Pulverización catódica por magnetrón RF:
Por otro lado, el sputtering por magnetrón RF utiliza un voltaje alterno a radiofrecuencias (normalmente 13,56 MHz). Este método es especialmente adecuado para materiales no conductores o aislantes, ya que evita la acumulación de carga en la superficie del blanco, que puede producirse en el sputtering DC. El uso de la radiofrecuencia permite operar a presiones más bajas debido al alto porcentaje de partículas ionizadas en la cámara de vacío. El voltaje requerido para el sputtering RF suele ser de 1.012 voltios o superior, lo que es necesario para conseguir la misma velocidad de deposición que con el sputtering DC. Este voltaje más alto es necesario porque el sputtering RF utiliza energía cinética para extraer electrones de las capas exteriores de los átomos de gas, en lugar del bombardeo directo de iones.
Conclusión:
