La presión para la deposición química en fase vapor (CVD) puede variar en función del método específico que se utilice.
En el crecimiento del diamante mediante CVD, el proceso se produce normalmente a baja presión, que oscila entre 1-27 kPa (0,145-3,926 psi; 7,5-203 Torr). Este entorno de baja presión permite la alimentación de gases en una cámara, que luego se energizan para proporcionar las condiciones para el crecimiento del diamante en el sustrato.
La deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD) es otro método utilizado en CVD. Se realiza a presiones de 0,1-10 Torr y a temperaturas que oscilan entre 200 y 800°C. La LPCVD consiste en añadir reactivos a la cámara mediante un sistema especializado de suministro de precursores. Las paredes de la cámara y el cabezal de la ducha se enfrían, mientras que el sustrato se calienta. Esto favorece las reacciones heterogéneas en la superficie. Una vez finalizada la reacción, los subproductos se eliminan mediante bombas de vacío.
La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) es otra variante de la CVD que utiliza plasma para proporcionar la energía necesaria para el proceso de deposición. El PECVD se realiza a presiones de 2-10 Torr y a temperaturas relativamente bajas que oscilan entre 200-400°C. La energía eléctrica se utiliza para crear un plasma de gas neutro que facilita las reacciones químicas que impulsan la deposición.
Otras variantes del CVD son el HDP CVD y el SACVD. El HDP CVD utiliza un plasma de mayor densidad, lo que permite una deposición a menor temperatura (entre 80-150°C) dentro de la cámara. La SACVD, por su parte, tiene lugar por debajo de la presión ambiente estándar y utiliza ozono (O3) para catalizar la reacción. La presión para el SACVD se sitúa entre 13.300-80.000 Pa, con una alta tasa de deposición que mejora con el aumento de la temperatura hasta alrededor de 490°C.
En general, la presión para la deposición química en fase vapor puede variar en función del método específico que se utilice, desde presiones bajas de unas pocas Torr hasta presiones más altas de miles de Pa.
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