El gas de proceso para el sputtering suele ser un gas inerte, normalmente argón. Este gas se introduce en una cámara de vacío donde se ioniza y forma un plasma. Los iones de este plasma se aceleran hacia un material objetivo, que forma parte del cátodo, y dislocan átomos o moléculas del material objetivo. Estas partículas dislocadas forman una corriente de vapor que se deposita sobre un sustrato, creando una fina película o revestimiento.
La elección del gas puede variar en función de los requisitos específicos del proceso de sputtering. El argón se utiliza ampliamente debido a su inercia química y su capacidad para transferir eficazmente el momento al material objetivo. Sin embargo, también pueden utilizarse otros gases como el neón, el criptón, el xenón, el oxígeno y el nitrógeno, sobre todo cuando se trata de diferentes tipos de materiales o cuando se forman compuestos. El peso atómico del gas es una consideración importante, ya que debe estar cerca del peso atómico del material objetivo para una transferencia de momento óptima.
En resumen, el gas de proceso en el sputtering es un componente crítico que facilita la ionización del gas, la formación de un plasma y la posterior eyección y deposición de átomos del material objetivo sobre un sustrato. La elección del gas puede adaptarse a las necesidades específicas del material que se deposita y a las propiedades deseadas de la película o revestimiento resultante.
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