Los métodos de deposición de óxido de indio y estaño (ITO) incluyen la deposición por láser pulsado (PLD), la galvanoplastia y la pulverización catódica. Cada método tiene sus condiciones y ventajas específicas.
Deposición por láser pulsado (PLD):
El PLD es un método versátil que puede depositar películas de ITO a temperaturas que oscilan entre la temperatura ambiente y los 400 °C, por lo que es adecuado para diversos sustratos, como plásticos, vidrio y otros materiales. La deposición se produce en un entorno de oxígeno con una presión de 5-50 mTorr. La densidad de energía láser utilizada suele estar entre 0,75-1,5 J/cm². Este método no requiere tratamiento térmico adicional y es especialmente ventajoso para sustratos que no pueden soportar altas temperaturas, ya que preserva su forma y propiedades.Galvanoplastia:
La galvanoplastia es uno de los métodos más antiguos de deposición de películas finas. En este proceso, el sustrato se sumerge en un baño químico que contiene átomos de metal disueltos. Se aplica una corriente eléctrica que hace que los átomos de metal se depositen sobre el sustrato. Este método se ha utilizado ampliamente para diversas aplicaciones, incluida la deposición de ITO por su alta conductividad y transparencia óptica. La galvanoplastia permite la deposición de ITO a temperaturas relativamente bajas, lo que la hace adecuada para una gran variedad de sustratos, especialmente el vidrio.
Pulverización catódica:
La pulverización catódica implica el uso de un blanco de pulverización catódica de ITO, que es un semiconductor cerámico negro-grisáceo formado mezclando óxido de indio y polvo de óxido de estaño en una proporción específica. El blanco se bombardea con partículas de alta energía, que expulsan los átomos del blanco y los depositan sobre el sustrato. Este método es conocido por su capacidad para producir películas finas uniformes y de alta calidad, y se utiliza ampliamente en la industria electrónica para aplicaciones que requieren una deposición precisa y controlada de ITO.
