El sputtering RF y DC son técnicas de deposición en vacío utilizadas para depositar películas finas sobre superficies.
Estas técnicas se utilizan principalmente en las industrias electrónica y de semiconductores.
¿Cuál es la aplicación del sputtering de RF y CC? (5 puntos clave explicados)
1. Pulverización catódica por RF
El sputtering RF utiliza ondas de radiofrecuencia (RF) para ionizar átomos de gas.
La frecuencia típica utilizada es de 13,56 MHz.
Se ioniza un gas inerte como el argón para formar un plasma.
Los iones cargados positivamente se aceleran hacia un material objetivo.
Cuando estos iones golpean el objetivo, los átomos o moléculas son expulsados y depositados sobre un sustrato, formando una fina película.
El sputtering de RF es especialmente útil para depositar películas finas a partir de materiales aislantes o no conductores.
Neutraliza eficazmente la acumulación de cargas en la superficie del blanco, lo que supone un reto en el sputtering de corriente continua.
2. Pulverización catódica de corriente continua
El sputtering DC utiliza una corriente continua para ionizar el gas y crear el plasma.
Este proceso requiere un material blanco conductor.La corriente continua bombardea directamente el blanco con iones.Este método es eficaz para depositar películas finas a partir de materiales conductores.Sin embargo, es menos adecuado para materiales no conductores debido a la acumulación de carga en la superficie del blanco.3. AplicacionesTanto el sputtering de RF como el de CC se utilizan en diversas aplicaciones en las que se requiere la deposición de películas finas.
