La principal diferencia entre el sputtering por magnetrón y el sputtering por corriente continua radica en su aplicabilidad a distintos tipos de materiales y en los mecanismos por los que funcionan. El sputtering por magnetrón puede utilizarse tanto con materiales conductores como no conductores, mientras que el sputtering por corriente continua se limita a los materiales conductores. Además, el sputtering por magnetrón utiliza un campo magnético para mejorar el proceso de sputtering, lo que da lugar a mayores velocidades de deposición y a una mayor uniformidad, mientras que el sputtering DC no emplea dicho campo magnético.
Pulverización catódica por magnetrón:
El sputtering por magnetrón se caracteriza por el uso de un campo magnético que se superpone al campo eléctrico utilizado en el sputtering. Este campo magnético hace que las partículas cargadas (electrones e iones) sigan una trayectoria más compleja, aumentando su interacción con las moléculas de gas de la cámara y potenciando así el proceso de ionización. Así se consigue una mayor velocidad de deposición y un mejor control de la uniformidad de la película depositada. El sputtering por magnetrón puede funcionar en varios modos, como CC, RF, CC pulsada y HPIMS, lo que le permite adaptarse tanto a objetivos conductores como no conductores.Pulverización catódica de CC:
El sputtering de CC, concretamente el sputtering magnetrónico de CC, implica el uso de una corriente continua para generar el plasma necesario para el sputtering. Este método es eficaz para depositar materiales a partir de cátodos conductores sobre sustratos. La ausencia de un campo magnético en el sputtering DC tradicional significa que la eficiencia de ionización es menor en comparación con el sputtering magnetrón, lo que puede dar lugar a tasas de deposición más bajas. Sin embargo, el sputtering DC es más sencillo en cuanto a configuración y funcionamiento, por lo que resulta adecuado para aplicaciones en las que no son críticas unas tasas de deposición elevadas.
Ventajas y desventajas:
El sputtering por magnetrón ofrece altas velocidades de deposición a bajas presiones, buena uniformidad y cobertura por pasos. Sin embargo, sufre una erosión no uniforme del cátodo, lo que puede reducir su vida útil. Por otro lado, el sputtering DC es más simple y sencillo, pero está limitado a materiales conductores y puede no alcanzar las mismas tasas de deposición que el sputtering magnetrónico.
