El proceso PECVD es un método utilizado en la fabricación de semiconductores para depositar películas finas sobre un sustrato a temperaturas más bajas que la tradicional deposición química en fase vapor (CVD). Esto se consigue utilizando plasma para potenciar las reacciones químicas necesarias para la deposición de la película.
Resumen del proceso PECVD:
PECVD implica el uso de plasma para facilitar la deposición de películas delgadas sobre un sustrato. Este proceso se caracteriza por temperaturas más bajas, que normalmente oscilan entre 200-400°C, que son significativamente más bajas que las temperaturas utilizadas en los procesos CVD convencionales que pueden oscilar entre 425-900°C. El uso del plasma permite la activación de los gases reactivos a estas temperaturas más bajas, lo que lo hace adecuado para depositar materiales en sustratos que, de otro modo, podrían resultar dañados por temperaturas más elevadas.
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Explicación detallada:Activación de gases reactivos:
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En un sistema PECVD, los gases reactivos se introducen entre dos electrodos, uno de los cuales está conectado a tierra y el otro recibe energía de radiofrecuencia (RF). La potencia de RF a una frecuencia de 13,56 MHz se utiliza para generar un plasma entre estos electrodos. Esta formación de plasma se debe al acoplamiento capacitivo entre los electrodos, que ioniza el gas y crea especies reactivas y energéticas mediante colisiones.
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Reacciones químicas:
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Las especies reactivas creadas en el plasma sufren reacciones químicas. Estas reacciones son impulsadas por la energía proporcionada por el plasma, que es más eficiente que la energía térmica sola. Los productos de estas reacciones se depositan como una película delgada sobre el sustrato.Deposición sobre el sustrato:
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Las especies reactivas se difunden a través de la vaina (la región entre el plasma y el electrodo) y se adsorben en la superficie del sustrato. Aquí, interactúan con la superficie y forman una capa de material. Este proceso continúa hasta que se alcanza el espesor de película deseado.
Ventajas del PECVD:
