Para crear plasma en el método de deposición física en fase vapor (PVD), se necesita un gas con propiedades específicas. El gas debe poder ionizarse fácilmente y no debe reaccionar químicamente con el material objetivo. El gas argón se utiliza habitualmente para este fin debido a su naturaleza inerte y peso atómico adecuado.
Gas argón en PVD:
El argón es un gas inerte, lo que significa que no se combina químicamente con otros átomos o compuestos. Esta propiedad es crucial en el PVD porque garantiza que el material de recubrimiento permanezca puro cuando pasa a la fase de vapor en la cámara de vacío. El uso de argón en el proceso de pulverización catódica, un método habitual en PVD, es especialmente beneficioso porque su peso atómico es suficiente para afectar a los átomos del material objetivo sin provocar reacciones químicas. Esto permite una transferencia eficaz del vapor del material objetivo al sustrato sin contaminación.Generación de plasma en PVD:
En PVD, el plasma se genera típicamente aplicando un voltaje a electrodos en un gas a bajas presiones. Este proceso puede facilitarse mediante diversos tipos de fuentes de energía, como la radiofrecuencia (RF), las frecuencias medias (MF) o la corriente continua (DC). La energía de estas fuentes ioniza el gas, formando electrones, iones y radicales neutros. En el caso del argón, el proceso de ionización es crucial para crear el medio de plasma necesario para el proceso de sputtering. El plasma aumenta la eficacia de la deposición promoviendo reacciones químicas y creando sitios activos en los sustratos, que son esenciales para la formación de películas finas con las propiedades deseadas.
Papel del plasma en el recubrimiento PVD:
