Conocimiento ¿Por qué la deposición por pulverización catódica es 4 veces más lenta que la deposición por evaporación?
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Actualizado hace 3 semanas

¿Por qué la deposición por pulverización catódica es 4 veces más lenta que la deposición por evaporación?

La deposición por pulverización catódica es más lenta que la deposición por evaporación debido principalmente a las diferencias en los mecanismos y niveles de energía implicados en cada proceso.

La deposición por pulverización catódica implica un proceso más complejo con partículas de mayor energía, lo que da lugar a una tasa de deposición más lenta en comparación con el proceso de evaporación, más sencillo y directo.

4 razones principales por las que la deposición por pulverización catódica es más lenta

¿Por qué la deposición por pulverización catódica es 4 veces más lenta que la deposición por evaporación?

1. Mecanismo de deposición

Pulverización catódica: Este proceso implica la expulsión de átomos de un material objetivo sólido debido al bombardeo de partículas energéticas (normalmente iones).

Las partículas de alta energía se generan mediante descargas luminiscentes en un gas como el argón.

La complejidad de las interacciones en el sputtering, a menudo comparada con la cinética de una bola de billar en tres dimensiones, contribuye a su menor velocidad de deposición.

El proceso es más controlado y preciso, lo que puede ralentizar la deposición global.

Evaporación: Por el contrario, la evaporación consiste en calentar un material fuente hasta su punto de ebullición, lo que provoca su vaporización y posterior condensación sobre un sustrato.

Este proceso es más sencillo y directo, lo que permite mayores velocidades de deposición.

2. Niveles de energía

Pulverización catódica: Las especies depositadas en sputtering tienen energías más altas (1-100 eV) debido al bombardeo de iones, lo que puede mejorar la adherencia y la calidad de la película, pero también requiere más tiempo para que cada átomo se deposite eficazmente.

Evaporación: Las especies evaporadas tienen energías más bajas (0,1-0,5 eV), lo que permite una deposición más rápida ya que los átomos no necesitan estar colocados con tanta precisión ni tener un estado energético tan alto para adherirse al sustrato.

3. Velocidad de deposición y control

Pulverización catódica: Aunque el sputtering puede alcanzar tasas de deposición elevadas, generalmente funciona a tasas inferiores en comparación con la evaporación, especialmente para materiales que no sean metales puros.

Además, el sputtering no permite un control tan preciso del espesor de la película, lo que puede afectar a la velocidad de deposición global y a la uniformidad.

Evaporación: La evaporación ofrece mayores velocidades de deposición (hasta 750.000 A min^1) y es más adecuada para la producción de grandes volúmenes debido a su simplicidad y a la naturaleza directa del proceso de deposición.

4. Complejidad y coste

Pulverización catódica: El equipo y la configuración para la pulverización catódica son más complejos y costosos, lo que también puede contribuir a que las tasas de deposición sean más lentas, ya que el proceso requiere un control y una gestión de variables más precisos.

Evaporación: Los sistemas de evaporación suelen ser menos complejos y más económicos, lo que facilita procesos de deposición más rápidos y sencillos.

En resumen, la menor velocidad de deposición en sputtering se debe a su complejo mecanismo en el que intervienen partículas de alta energía, que si bien mejora la calidad y uniformidad de la película, ralentiza intrínsecamente el proceso en comparación con el proceso de evaporación, más sencillo y directo.

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