El sputtering es un proceso de deposición física en fase vapor (PVD) en el que los átomos son expulsados de un material objetivo sólido debido al bombardeo de partículas de alta energía, normalmente iones. Este proceso se utiliza para depositar películas finas sobre un sustrato, lo que lo convierte en una técnica crucial en diversas industrias para el recubrimiento y la modificación de materiales.
Mecanismo del proceso de sputtering:
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Configuración e inicialización:
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El proceso comienza en una cámara de vacío donde se introduce un gas controlado, normalmente argón. El material objetivo, que es la fuente de los átomos que se depositarán, está cargado negativamente y sirve de cátodo. Esta configuración es necesaria para crear un entorno de plasma.Creación del plasma:
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El cátodo recibe energía eléctrica, lo que provoca la emisión de electrones libres. Estos electrones colisionan con los átomos de gas argón, ionizándolos en iones de argón y más electrones libres. Este proceso de ionización sustenta el plasma, que es una mezcla de partículas cargadas.
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Bombardeo iónico:
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Los iones de argón, al estar cargados positivamente, son acelerados hacia el blanco cargado negativamente (cátodo) debido al campo eléctrico. Cuando estos iones golpean la superficie del blanco, transfieren su energía cinética a los átomos del blanco.Expulsión de átomos:
- Si la energía transferida por los iones es suficiente, supera la energía de enlace de los átomos del blanco, provocando su expulsión de la superficie. Esta expulsión se debe a la transferencia de momento y a las colisiones subsiguientes dentro del material objetivo.Deposición sobre el sustrato:
- Los átomos expulsados se desplazan en línea recta y se depositan sobre un sustrato cercano situado en la trayectoria de estas partículas expulsadas. Esto da lugar a la formación de una fina película del material objetivo sobre el sustrato.
- Factores que influyen en la pulverización catódica:Energía de los iones incidentes:
Los iones de mayor energía pueden penetrar más profundamente en el material objetivo, aumentando la probabilidad de eyección de átomos.Masa de los iones incidentes y de los átomos del blanco:
La masa de los iones y de los átomos del blanco afecta a la eficacia de la transferencia de momento.
