El pulverizado con magnetrón de corriente continua es un método utilizado para depositar películas finas de un material sobre otro.
El proceso comienza colocando el material objetivo, que será el recubrimiento, dentro de una cámara de vacío.
Esta cámara se coloca en paralelo al sustrato que debe recubrirse.
A continuación, se evacua la cámara de vacío para eliminar gases como H2O, aire, H2 y Ar.
Tras la evacuación, la cámara se rellena con un gas inerte de gran pureza, normalmente argón.
El argón se elige por su masa y su capacidad para transferir energía cinética durante las colisiones moleculares de alta energía en el plasma.
Se aplica una corriente eléctrica continua, normalmente entre -2 y -5 kV, al material objetivo, que actúa como cátodo.
Esta polarización negativa atrae iones cargados positivamente del plasma.
Al mismo tiempo, se aplica una carga positiva al sustrato, convirtiéndolo en el ánodo.
El campo eléctrico creado por esta configuración acelera el plasma, proporcionando la fuerza suficiente para bombardear el cátodo.
Este bombardeo hace que los átomos del material objetivo sean expulsados y se condensen en la superficie del sustrato, formando una fina película.
La diferencia clave entre el bombardeo por magnetrón y otros métodos de bombardeo como el bombardeo por diodo es la presencia de un fuerte campo magnético cerca de la zona objetivo.
Este campo magnético hace que los electrones se muevan en espiral a lo largo de las líneas de flujo magnético cercanas al blanco.
Esta configuración mantiene el plasma confinado cerca del blanco y evita que se dañe la fina película que se está formando sobre el sustrato.
Esta disposición permite una mayor velocidad de deposición y es especialmente útil para depositar metales puros como el hierro, el cobre y el níquel.
En general, el sputtering por magnetrón DC es un método versátil y eficaz para depositar películas finas, que ofrece un control sencillo y unos costes operativos bajos, especialmente para sustratos de gran tamaño.
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