Conocimiento Cómo se crea el plasma en el sputtering con magnetrón: Explicación de los 4 pasos clave
Avatar del autor

Equipo técnico · Kintek Solution

Actualizado hace 2 meses

Cómo se crea el plasma en el sputtering con magnetrón: Explicación de los 4 pasos clave

El plasma se crea en el sputtering por magnetrón mediante un proceso denominado ionización gaseosa. Esto implica varios pasos y componentes clave. Vamos a desglosarlos:

4 Pasos clave para la creación de plasma en el sputtering de magnetrón

Cómo se crea el plasma en el sputtering con magnetrón: Explicación de los 4 pasos clave

1. Configuración de la cámara de vacío

El proceso comienza en una cámara de vacío. La presión dentro de la cámara se reduce para crear un entorno de baja presión. Esto es crucial para la generación eficiente de plasma.

2. Introducción del gas de pulverización catódica

Se introduce un gas inerte, normalmente argón o xenón, en la cámara de vacío. Los gases inertes se eligen porque no reaccionan con el material objetivo ni con otros gases del proceso. También facilitan mayores velocidades de sputtering y deposición debido a su alto peso molecular.

3. Aplicación de alta tensión

Se aplica un alto voltaje al gas dentro de la cámara. Para el argón, que se utiliza habitualmente, el potencial de ionización es de unos 15,8 electronvoltios (eV). Este alto voltaje ioniza los átomos de gas, creando un plasma.

4. Papel del magnetrón en la generación de plasma

En el sputtering por magnetrón, se superpone un campo magnético cerrado sobre la superficie del blanco. Este campo magnético mejora la eficiencia de la generación de plasma al aumentar la probabilidad de colisiones entre electrones y átomos de argón cerca de la superficie del blanco.

Mejora de la generación de plasma con magnetrón

Mejora del campo magnético

El campo magnético atrapa electrones, haciendo que giren en espiral alrededor del material objetivo. Estos electrones colisionan con los átomos de gas cercanos, ionizándolos y manteniendo el plasma. Esta cascada de colisiones genera electrones secundarios, que aumentan aún más la producción y densidad del plasma.

Proceso de pulverización catódica

El plasma generado contiene iones cargados positivamente. Estos iones son acelerados hacia el blanco cargado negativamente por un campo eléctrico. El impacto de estos iones de alta energía sobre la superficie del blanco desplaza los átomos del blanco.

Deposición sobre el sustrato

Los átomos desprendidos se desplazan desde el blanco hasta el sustrato, donde se condensan y forman una fina película. El sustrato suele colocarse en una posición que garantice un recubrimiento uniforme, lo que puede implicar el uso de un soporte de sustrato giratorio o móvil.

Conclusión

La creación de plasma en el sputtering magnetrónico es un proceso dinámico que implica la ionización del gas, la aplicación de alto voltaje y el uso estratégico de un campo magnético para mejorar y mantener el plasma. A continuación, este plasma facilita el proceso de sputtering, en el que los átomos objetivo son expulsados y depositados sobre un sustrato, formando una fina película.

Siga explorando, consulte a nuestros expertos

¡Libere el poder del plasma con KINTEK!

¿Está preparado para elevar sus procesos de deposición de películas finas?Las avanzadas cámaras de vacío y sistemas de sputtering por magnetrón de KINTEK están diseñados para optimizar la generación de plasma, garantizando recubrimientos de alta calidad con precisión y eficiencia. Nuestra tecnología de vanguardia aprovecha el proceso de ionización para ofrecer resultados superiores en su laboratorio. No pierda la oportunidad de mejorar sus capacidades de investigación y desarrollo.Póngase en contacto con KINTEK hoy mismo y descubra cómo nuestras soluciones pueden revolucionar sus aplicaciones de sputtering.

Productos relacionados

Horno de sinterización por plasma de chispa Horno SPS

Horno de sinterización por plasma de chispa Horno SPS

Descubra las ventajas de los hornos de sinterización por plasma de chispa para la preparación rápida de materiales a baja temperatura. Calentamiento uniforme, bajo coste y respetuoso con el medio ambiente.

Bell-jar Resonator MPCVD Máquina para laboratorio y crecimiento de diamantes

Bell-jar Resonator MPCVD Máquina para laboratorio y crecimiento de diamantes

Obtenga películas de diamante de alta calidad con nuestra máquina Bell-jar Resonator MPCVD diseñada para laboratorio y crecimiento de diamantes. Descubra cómo funciona la deposición de vapor químico de plasma de microondas para el cultivo de diamantes utilizando gas de carbono y plasma.

Sistema RF PECVD Deposición química en fase vapor mejorada con plasma por radiofrecuencia

Sistema RF PECVD Deposición química en fase vapor mejorada con plasma por radiofrecuencia

RF-PECVD es el acrónimo de "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Deposita DLC (película de carbono tipo diamante) sobre sustratos de germanio y silicio. Se utiliza en la gama de longitudes de onda infrarrojas de 3-12um.

Deposición por evaporación mejorada con plasma Máquina de revestimiento PECVD

Deposición por evaporación mejorada con plasma Máquina de revestimiento PECVD

Actualice su proceso de recubrimiento con equipos de recubrimiento PECVD. Ideal para LED, semiconductores de potencia, MEMS y mucho más. Deposita películas sólidas de alta calidad a bajas temperaturas.

Máquina de diamante MPCVD con resonador cilíndrico para crecimiento de diamante en laboratorio

Máquina de diamante MPCVD con resonador cilíndrico para crecimiento de diamante en laboratorio

Conozca la máquina MPCVD de resonador cilíndrico, el método de deposición química en fase vapor por plasma de microondas utilizado para el crecimiento de gemas y películas de diamante en las industrias de joyería y semiconductores. Descubra sus ventajas económicas frente a los métodos HPHT tradicionales.

Horno de fusión por inducción en vacío Horno de fusión de arco

Horno de fusión por inducción en vacío Horno de fusión de arco

Obtenga una composición precisa de las aleaciones con nuestro horno de fusión por inducción en vacío. Ideal para las industrias aeroespacial, de energía nuclear y electrónica. Haga su pedido ahora para fundir y colar metales y aleaciones de forma eficaz.

Sistema de hilado por fusión al vacío

Sistema de hilado por fusión al vacío

Desarrolle materiales metaestables con facilidad utilizando nuestro sistema de hilado por fusión al vacío. Ideal para trabajos de investigación y experimentación con materiales amorfos y microcristalinos. Ordene ahora para obtener resultados efectivos.

Horno de deposición química mejorada con plasma rotativo inclinado (PECVD)

Horno de deposición química mejorada con plasma rotativo inclinado (PECVD)

Presentamos nuestro horno PECVD giratorio inclinado para la deposición precisa de películas delgadas. Disfrute de una fuente de coincidencia automática, control de temperatura programable PID y control de caudalímetro másico MFC de alta precisión. Características de seguridad integradas para su tranquilidad.

Sistema Slide PECVD con gasificador líquido

Sistema Slide PECVD con gasificador líquido

Sistema KT-PE12 Slide PECVD: amplio rango de potencia, control de temperatura programable, calentamiento/enfriamiento rápido con sistema deslizante, control de flujo másico MFC y bomba de vacío.

Horno de atmósfera de hidrógeno

Horno de atmósfera de hidrógeno

KT-AH Horno de atmósfera de hidrógeno: horno de gas de inducción para sinterización/recocido con características de seguridad integradas, diseño de doble carcasa y eficiencia de ahorro de energía. Ideal para laboratorio y uso industrial.

Máquina de diamante MPCVD de 915 MHz

Máquina de diamante MPCVD de 915 MHz

915MHz MPCVD máquina de diamante y su crecimiento efectivo de múltiples cristales, el área máxima puede llegar a 8 pulgadas, el área máxima de crecimiento efectivo de un solo cristal puede llegar a 5 pulgadas. Este equipo se utiliza principalmente para la producción de películas de diamante policristalino de gran tamaño, el crecimiento de diamantes largos de un solo cristal, el crecimiento a baja temperatura de grafeno de alta calidad, y otros materiales que requieren energía proporcionada por plasma de microondas para el crecimiento.

Horno de atmósfera controlada con cinta de malla

Horno de atmósfera controlada con cinta de malla

Descubra nuestro horno de sinterización de cinta de malla KT-MB, perfecto para la sinterización a alta temperatura de componentes electrónicos y aislantes de vidrio. Disponible para entornos al aire libre o con atmósfera controlada.

Crisol de haz de pistola de electrones

Crisol de haz de pistola de electrones

En el contexto de la evaporación por haz de cañón de electrones, un crisol es un contenedor o soporte de fuente que se utiliza para contener y evaporar el material que se depositará sobre un sustrato.

Crisol de grafito de evaporación por haz de electrones

Crisol de grafito de evaporación por haz de electrones

Una tecnología utilizada principalmente en el campo de la electrónica de potencia. Es una película de grafito hecha de material fuente de carbono por deposición de material utilizando tecnología de haz de electrones.


Deja tu mensaje