Generalmente se considera que el sputtering tiene una mejor cobertura de paso que la evaporación. La cobertura por pasos se refiere a la capacidad del método de deposición para cubrir uniformemente superficies irregulares. El sputtering puede proporcionar una cobertura de película fina más uniforme en superficies con topografía variable. Esto se debe a que el sputtering utiliza átomos de plasma energizados para desalojar átomos de un material fuente y depositarlos sobre un sustrato. El impacto de los átomos de plasma sobre el material fuente hace que los átomos se desprendan y se adhieran al sustrato, lo que da lugar a una distribución más uniforme de la película fina.
En comparación, la evaporación tiende a depositar películas finas más rápidamente que el sputtering. Sin embargo, la evaporación puede no proporcionar una cobertura tan uniforme en superficies irregulares en comparación con el sputtering.
A la hora de elegir entre evaporación y sputtering, hay que tener en cuenta varios factores. La evaporación suele ser más rentable y menos compleja que el sputtering. También ofrece tasas de deposición más elevadas, lo que permite un alto rendimiento y una producción de gran volumen. Esto hace que la evaporación sea la opción preferida para aplicaciones en las que la rentabilidad y la velocidad de producción son cruciales.
Por otro lado, el sputtering ofrece una mejor calidad y uniformidad de la película, lo que puede dar lugar a un mayor rendimiento. También ofrece escalabilidad, aunque a un coste más elevado y con configuraciones más complejas. El sputtering puede ser la mejor opción para revestimientos metálicos o aislantes más gruesos. Para películas más finas de metales o no metales con temperaturas de fusión más bajas, la evaporación térmica resistiva puede ser más adecuada. La evaporación por haz de electrones puede elegirse para mejorar la cobertura de los pasos o cuando se trabaja con una amplia selección de materiales.
Es importante señalar que el sputtering y la evaporación no son los únicos métodos de deposición disponibles. Otros métodos, como la deposición química en fase vapor, también ofrecen una mejor cobertura de paso que la evaporación. La elección entre sputtering y evaporación depende de los requisitos específicos de la aplicación y del resultado deseado.
También hay que mencionar que tanto el sputtering como la evaporación tienen sus inconvenientes. El sputtering utiliza un plasma, que puede producir átomos de alta velocidad que pueden dañar el sustrato. Los átomos evaporados, en cambio, tienen una distribución de energía maxwelliana determinada por la temperatura de la fuente, lo que reduce el número de átomos de alta velocidad. Sin embargo, la evaporación por haz de electrones puede producir rayos X y electrones parásitos, que también pueden dañar el sustrato.
En resumen, el sputtering proporciona generalmente una mejor cobertura de paso que la evaporación, lo que da lugar a una cobertura más uniforme de la película fina sobre superficies irregulares. Sin embargo, la elección entre sputtering y evaporación depende de varios factores como el coste, la complejidad, las velocidades de deposición, la calidad de la película y los requisitos específicos de la aplicación.
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