Existen varios tipos de técnicas de pulverización catódica por magnetrón, cada una caracterizada por el tipo de fuente de alimentación utilizada y las condiciones específicas en las que se produce la pulverización catódica. Los tipos más comunes son el sputtering por magnetrón de corriente continua (CC), el sputtering por magnetrón de CC pulsada y el sputtering por magnetrón de radiofrecuencia (RF).
Sputtering por magnetrón de corriente continua (CC)
En este método, se emplea una fuente de alimentación de corriente continua para generar un plasma en un entorno de gas a baja presión. El plasma se forma cerca del material objetivo, que suele ser metálico o cerámico. El plasma hace que los iones de gas choquen con el objetivo, expulsando átomos a la fase gaseosa. El campo magnético producido por el imán aumenta la velocidad de pulverización catódica y garantiza una deposición uniforme del material pulverizado sobre el sustrato. La velocidad de sputtering puede calcularse mediante una fórmula específica que tiene en cuenta factores como la densidad del flujo de iones, el número de átomos del blanco por unidad de volumen, el peso atómico del material del blanco y la distancia entre el blanco y el sustrato.Pulverización catódica por magnetrón de corriente continua pulsada
Esta técnica utiliza una fuente de alimentación de corriente continua pulsada con un rango de frecuencia variable que suele oscilar entre 40 y 200 kHz. Se utiliza ampliamente en aplicaciones de sputtering reactivo y se presenta en dos formas comunes: sputtering pulsado unipolar y sputtering pulsado bipolar. En este proceso, los iones positivos colisionan con el material objetivo, provocando la acumulación de una carga positiva en su superficie, lo que reduce la atracción de los iones positivos hacia el objetivo. Este método es especialmente eficaz para controlar la acumulación de carga positiva en el blanco, que de otro modo puede obstaculizar el proceso de sputtering.
Sputtering por magnetrón de radiofrecuencia (RF)
