Las desventajas de la deposición por haz de iones incluyen una pequeña área objetivo, bajas velocidades de deposición y una elevada complejidad y coste de los equipos. Además, es difícil conseguir un espesor uniforme en grandes áreas y pueden surgir problemas con el calentamiento del sustrato y la tensión de la película.
Área objetivo pequeña y tasas de deposición bajas:
La deposición por bombardeo con haz de iones se caracteriza por un área objetivo de bombardeo relativamente pequeña, lo que afecta directamente a la velocidad de deposición. Este método no es eficaz para depositar películas de gran superficie y espesor uniforme. Las velocidades de deposición de dieléctricos son particularmente bajas, oscilando entre 1-10 Å/s, lo que puede dificultar la eficacia del proceso, especialmente en aplicaciones de alto rendimiento.Elevada complejidad y coste de los equipos:
El equipo utilizado en el sputtering por haz de iones es complejo y requiere sistemas sofisticados para gestionar el haz de iones y el proceso de deposición. Esta complejidad no sólo aumenta la inversión inicial, sino también los costes operativos continuos. El elevado coste y la complejidad del sistema pueden suponer un obstáculo importante para las organizaciones que se plantean utilizar esta tecnología, especialmente las que tienen limitaciones presupuestarias.
Problemas de uniformidad y calentamiento del sustrato:
A menudo es difícil conseguir un bombardeo uniforme de iones sobre la superficie del sustrato, lo que provoca variaciones en las propiedades de la película en toda la superficie. Esta falta de uniformidad puede afectar a la calidad y el rendimiento de las películas depositadas. Además, el material objetivo energético puede provocar un calentamiento excesivo del sustrato, lo que puede dañarlo o afectar negativamente a las propiedades de la película.
Problemas con la tensión de la película y la incorporación de gas:
