La deposición química en fase vapor activada por plasma (PACVD) es una técnica especializada dentro de la categoría más amplia de la deposición química en fase vapor (CVD).
Utiliza el plasma para mejorar la reactividad química de los gases, lo que permite la deposición de películas finas a temperaturas más bajas.
Este método consiste en ionizar gas cerca de la superficie del sustrato mediante una descarga luminosa, que activa el gas de reacción y promueve reacciones químicas tanto termoquímicas como por plasma.
Explicación de 4 puntos clave
1. Activación del gas
En un sistema PACVD, el gas de reacción se introduce en una cámara a presiones que oscilan entre 1 y 600 Pa.
El sustrato, a menudo colocado sobre un cátodo, se mantiene a una temperatura específica.
Se inicia una descarga luminosa, que ioniza el gas cerca de la superficie del sustrato, aumentando su reactividad química.
2. Reacciones químicas
El gas activado experimenta tanto reacciones termoquímicas, típicas de los procesos CVD, como reacciones químicas de plasma exclusivas del PACVD.
Estas reacciones se ven facilitadas por la alta energía del plasma, que incluye iones, electrones libres y radicales.
Este mecanismo dual permite la deposición de películas con propiedades controladas, como la densidad y la adhesión.
3. Ventajas
El PACVD ofrece varias ventajas sobre el CVD convencional, como temperaturas de deposición más bajas, un impacto mínimo en las propiedades del sustrato y la capacidad de formar películas densas y sin agujeros.
Es versátil, capaz de depositar varios tipos de películas, incluyendo películas metálicas, inorgánicas y orgánicas.
4. Aplicaciones
La capacidad de depositar películas a bajas temperaturas y con un control preciso de las propiedades de la película hace que el PACVD sea adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
Estas aplicaciones van desde la fabricación de semiconductores hasta el recubrimiento de dispositivos y herramientas médicas.
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