Los pasos del proceso CVD (Chemical Vapor Deposition) pueden resumirse como sigue:
1) Introducción de productos químicos precursores: Los productos químicos precursores, que son la fuente del material de la película deseada, se introducen en el reactor CVD. Esto se hace normalmente introduciendo los gases reactivos y los gases inertes diluyentes en la cámara de reacción a un caudal especificado.
2) Transporte de las moléculas precursoras: Una vez dentro del reactor, las moléculas precursoras deben ser transportadas a la superficie del sustrato. Esto se consigue mediante una combinación de transporte de fluidos y difusión. Los gases reactivos se mueven hacia el sustrato, guiados por el patrón de flujo dentro del reactor.
3) Adsorción en la superficie del sustrato: Al llegar a la superficie del sustrato, las moléculas precursoras se adsorben o se adhieren a la superficie. En este proceso de adsorción influyen factores como la temperatura, la presión y las propiedades del material del sustrato.
4) Reacciones químicas: Una vez adsorbidas en la superficie del sustrato, las moléculas precursoras sufren reacciones químicas con el material del sustrato. Estas reacciones dan lugar a la formación de la película fina deseada. Las reacciones específicas dependen de la naturaleza de los precursores y del material del sustrato.
5) Desorción de subproductos: Durante las reacciones químicas, también se generan moléculas de subproductos. Estos subproductos deben desorberse de la superficie del sustrato para dejar espacio a más moléculas precursoras entrantes. La desorción puede facilitarse controlando las condiciones de temperatura y presión dentro de la cámara de reacción.
6) Evacuación de los subproductos: Los subproductos gaseosos de las reacciones se evacuan de la cámara de reacción a través de un sistema de escape. Esto ayuda a mantener el entorno químico deseado dentro de la cámara y evita la acumulación de subproductos no deseados.
Es importante señalar que el proceso de CVD puede producirse tanto en la superficie del sustrato como en la fase gaseosa dentro de la atmósfera del reactor. Las reacciones en la superficie del sustrato se conocen como reacciones heterogéneas y desempeñan un papel crucial en la formación de películas finas de alta calidad.
El proceso de CVD se lleva a cabo en una cámara de reacción cerrada, que suele incluir componentes como una fuente de gases y sus conductos de alimentación, controladores de flujo másico para el control de los gases, fuentes de calor para calentar el sustrato, sensores de temperatura y presión para su control, un tubo de cuarzo para sostener el sustrato y una cámara de escape para tratar los gases nocivos producidos como subproductos.
En general, el proceso de CVD implica la introducción, el transporte, la adsorción, la reacción y la evacuación controlados de productos químicos precursores para depositar películas finas de los materiales deseados sobre la superficie de un sustrato.
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