El sputtering DC, también conocido como sputtering de corriente continua, es una técnica de recubrimiento por deposición física en fase vapor (PVD) de capa fina.
En esta técnica, un material objetivo que se utilizará como recubrimiento es bombardeado con moléculas de gas ionizadas.
Este bombardeo hace que los átomos se "pulvericen" en el plasma.
Estos átomos vaporizados se condensan y se depositan como una fina película sobre el sustrato a recubrir.
Explicación de 5 puntos clave
1. Fácil control y bajo coste
Una de las principales ventajas del sputtering DC es que es fácil de controlar y es una opción de bajo coste para la deposición de metales para recubrimiento.
2. 2. Aplicaciones comunes
Se utiliza habitualmente para la deposición de metales PVD y materiales de recubrimiento conductores de la electricidad.
El sputtering DC se emplea ampliamente en la industria de semiconductores para crear circuitos de microchips a nivel molecular.
También se utiliza para revestimientos de oro por pulverización catódica en joyas, relojes y otros acabados decorativos.
Además, se utiliza para revestimientos antirreflectantes sobre vidrio y componentes ópticos.
3. Especificaciones técnicas
El sputtering DC se basa en una fuente de alimentación de corriente continua (DC).
La presión de la cámara suele oscilar entre 1 y 100 mTorr.
Los iones cargados positivamente se aceleran hacia el material objetivo.
Los átomos expulsados se depositan sobre los sustratos.
4. Materiales adecuados
Esta técnica se utiliza habitualmente con materiales metálicos puros para sputtering, como el hierro (Fe), el cobre (Cu) y el níquel (Ni), debido a su elevada velocidad de deposición.
5. Desafíos con materiales dieléctricos
Sin embargo, es importante tener en cuenta que el sputtering DC de materiales dieléctricos puede hacer que las paredes de la cámara de vacío se recubran con un material no conductor.
Esto puede atrapar cargas eléctricas.
Esto puede provocar la aparición de pequeños y macroarcos durante el proceso de deposición.
Esto puede provocar una eliminación desigual de los átomos del material objetivo y posibles daños en la fuente de alimentación.
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