El carburo de silicio (SiC) puede soportar temperaturas de hasta 1.400˚C manteniendo su resistencia mecánica. También es capaz de funcionar a temperaturas aún más altas, muy por encima de los 1.316 °C (2.400 °F), especialmente en aplicaciones con tubos radiantes.
Resistencia a altas temperaturas:
El carburo de silicio es famoso por su capacidad para mantener una alta resistencia mecánica a temperaturas de hasta 1.400˚C. Esta propiedad lo convierte en un material ideal para aplicaciones en las que predominan las altas temperaturas. Más allá de esto, el SiC puede utilizarse eficazmente en entornos donde las temperaturas superan los 1.093 °C (2.000 °F), como en los tubos radiantes. En estas aplicaciones de alta temperatura, los elementos de SiC deben apoyarse adecuadamente para minimizar la distorsión y deben centrarse dentro del tubo radiante utilizando un espaciador refractario adecuado.Uso en tubos radiantes:
En situaciones en las que elementos metálicos como el cromo y el níquel resultan inadecuados debido a su limitada tolerancia a la temperatura, el SiC surge como una alternativa viable. Concretamente, cuando se utiliza como elemento de bayoneta dentro de un tubo radiante, el SiC puede funcionar a temperaturas muy superiores a los 1.093 °C (2.000 °F). Esto es crucial en los procesos industriales que requieren un calor extremo, donde el SiC no sólo satisface las demandas térmicas, sino que también ofrece una mayor resistencia a la corrosión química en comparación con otras cerámicas.
Conductividad térmica y oxidación:
El SiC también presenta una elevada conductividad térmica, que oscila entre 120 y 270 W/mK, superior a la de los aceros comunes y el hierro fundido. Esta elevada conductividad térmica ayuda a distribuir eficazmente el calor, lo que resulta beneficioso en aplicaciones de alta temperatura. Sin embargo, es importante tener en cuenta que la conductividad térmica disminuye al aumentar la temperatura, por lo que este factor debe tenerse muy en cuenta en aplicaciones específicas.
En cuanto a la oxidación, el SiC puede oxidarse térmicamente en SiO2, proceso que requiere temperaturas de entre 1.200 y 1.600 °C. Este proceso de oxidación es crucial para determinadas aplicaciones y demuestra otro aspecto de las capacidades de alta temperatura del SiC.
